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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
AON6912A Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6912A 0.4234
RFQ
 ECAD 5066 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn AON6912 MOSFET （金属 o化物） 1.9W，2.1W 8-DFN（5x6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（半桥） 30V 10a，13.8a 13.7mohm @ 10a，10v 2.5V @ 250µA 17NC @ 10V 910pf @ 15V 逻辑级别门
APTMC120HRM40CT3AG Microchip Technology APTMC120HRM40CT3AG -
RFQ
 ECAD 6020 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 APTMC120 （SIC） 375W SP3 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 1200V（1.2kV） 73A（TC） 34mohm @ 50a，20v 3V @ 12.5mA 161nc @ 5V 2788pf @ 1000V -
PMV20XNEA,215 Nexperia USA Inc. PMV20XNEA，215 -
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 ECAD 3902 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 大部分 积极的 PMV20 - 下载 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 1 -
UPA1601GS-E1-A Renesas UPA1601GS-E1-A 1.8400
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 ECAD 40 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-SOIC （0.220英寸，5.59mm） UPA1601 MOSFET （金属 o化物） 1W（ta） 16 SOP - Rohs不合规 到达不受影响 2156-UPA1601GS-E1-A Ear99 8542.39.0001 163 7 n通道 30V 270mA（ta） 5.3OHM @ 150mA，4V 800mv @ 150mA - 15pf @ 10V -
US6J12TCR Rohm Semiconductor US6J12TCR 0.6100
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 ECAD 8977 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，平坦的铅 US6J12 MOSFET （金属 o化物） 910MW（TA） Tumt6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 12V 2A（TA） 105MOHM @ 2A，4.5V 1V @ 1mA 7.6nc @ 4.5V 850pf @ 6V -
SI4214DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4214DDY-T1-GE3 0.6900
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 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4214 MOSFET （金属 o化物） 3.1W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 8.5a 19.5mohm @ 8a，10v 2.5V @ 250µA 22nc @ 10V 660pf @ 15V 逻辑级别门
SI4816DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4816DY-T1-GE3 -
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 ECAD 9991 0.00000000 Vishay Siliconix Littlefoot® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4816 MOSFET （金属 o化物） 1W，1.25W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（半桥） 30V 5.3a，7.7a 22mohm @ 6.3a，10v 2V @ 250µA 12nc @ 5V - 逻辑级别门
2SK3355-S-AZ Renesas Electronics America Inc 2SK3355-S-az -
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 ECAD 8988 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 大部分 积极的 2SK3355 - 下载 不适用 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 0000.00.0000 1 -
SH8KE7TB1 Rohm Semiconductor SH8KE7TB1 2.1000
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 ECAD 2067 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SH8KE7 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） 8-sop - （1 （无限） 2,500 2 n通道 100V 8a（8a） 20.9mohm @ 8a，10v 2.5V @ 1mA 19.8nc @ 10V 1110pf @ 50V 标准
APTMC120TAM34CT3AG Microchip Technology APTMC120TAM34CT3AG -
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 ECAD 4034 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 APTMC120 （SIC） 375W SP3 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 6 n通道（3相桥） 1200V（1.2kV） 74A（TC） 34mohm @ 50a，20v 4V @ 15mA 161nc @ 5V 2788pf @ 1000V -
FDMS7606 onsemi FDMS7606 -
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 ECAD 2258 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 8-Powerwdfn FDMS76 MOSFET （金属 o化物） 1W Power56 - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 11.5a，12a 11.4mohm @ 11.5A，10V 3V @ 250µA 22nc @ 10V 1400pf @ 15V 逻辑级别门
TT8J2TR Rohm Semiconductor tt8j2tr 0.9800
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 ECAD 10 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 TT8 MOSFET （金属 o化物） 1.25W 8-TSST 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 30V 2.5a 84mohm @ 2.5a，10v 2.5V @ 1mA 4.8NC @ 5V 460pf @ 10V 逻辑级别门
ECH8604-TL-E Sanyo ECH8604-TL-E -
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 ECAD 1868年 0.00000000 Sanyo - 大部分 过时的 150°C 表面安装 8-SMD，平坦的铅 MOSFET （金属 o化物） 1.3W（TA） 8-ech - Rohs不合规 供应商不确定 2156-ECH8604-TL-E-600057 1 2 n通道 20V 6a（6a） 30mohm @ 3a，4v 1.3V @ 1mA 23nc @ 10V 700pf @ 10V -
SI4946BEY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4946BEY-T1-E3 1.4800
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 ECAD 27 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4946 MOSFET （金属 o化物） 3.7W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V 6.5a 41MOHM @ 5.3A，10V 3V @ 250µA 25nc @ 10V 840pf @ 30V 逻辑级别门
DMHT3006LFJ-13 Diodes Incorporated DMHT3006LFJ-13 0.5153
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 ECAD 1606 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 12-Powervdfn DMHT3006 MOSFET （金属 o化物） 1.3W（TA） V-DFN5045-12（C型） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 4（n n 通道（半桥） 30V 13A（TA） 10mohm @ 10a，10v 3V @ 250µA 17NC @ 10V 1171pf @ 15V -
FDMA1023PZ Fairchild Semiconductor FDMA1023PZ -
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 ECAD 3139 0.00000000 Fairchild半导体 PowerTrench® 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-vdfn裸露的垫子 FDMA1023 MOSFET （金属 o化物） 700MW 6-microfet（2x2） 下载 Ear99 8542.39.0001 1 2（p 通道（双） 20V 3.7a 72MOHM @ 3.7A，4.5V 1.5V @ 250µA 12nc @ 4.5V 655pf @ 10V 逻辑级别门
IRF6802SDTRPBF International Rectifier IRF6802SDTRPBF 0.8100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 国际整流器 DirectFet™ 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 DirectFet™等距SA IRF6802 MOSFET （金属 o化物） 1.7W（TA），21W（21W）TC） DirectFet™等距SA 下载 不适用 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 0000.00.0000 1,117 2 n 通道（双） 25V 16a（16A），57A （TC） 4.2MOHM @ 16a，10v 2.1V @ 35µA 13nc @ 4.5V 1350pf @ 13V -
HAT2292C-EL-E Renesas HAT2292C-EL-E 0.3400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 - 表面安装 6-SMD，平坦的铅 HAT2292 MOSFET （金属 o化物） - 6-cmfpak - Rohs不合规 供应商不确定 2156-HAT2292C-EL-E Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 20V 1.5a 205mohm @ 1.5A，4.5V - - - -
FDS6894AZ onsemi FDS6894AZ -
RFQ
 ECAD 9708 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDS68 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 2 n 通道（双） 20V 8a 17mohm @ 8a，4.5V 1.5V @ 250µA 20NC @ 4.5V 1455pf @ 10V 逻辑级别门
SQ1912AEEH-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ1912AEEH-T1_GE3 0.4900
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SQ1912 MOSFET （金属 o化物） 1.5W SC-70-6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 800mA（TC） 280MOHM @ 1.2A，4.5V 1.5V @ 250µA 1.25nc @ 4.5V 27pf @ 10V -
FDMS3668S onsemi FDMS3668S -
RFQ
 ECAD 8452 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN FDMS3668 MOSFET （金属 o化物） 1W Power56 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 13a，18a 8mohm @ 13a，10v 2.7V @ 250µA 29nc @ 10V 1765pf @ 15V 逻辑级别门
NX3008NBKV,115 Nexperia USA Inc. NX3008NBKV，115 0.4200
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车，AEC-Q101，Trenchmos™ 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 NX3008 MOSFET （金属 o化物） 500MW SOT-666 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 4,000 2 n 通道（双） 30V 400mA 1.4OHM @ 350mA，4.5V 1.1V @ 250µA 0.68nc @ 4.5V 50pf @ 15V 逻辑级别门
FDMS3604AS onsemi FDMS3604AS -
RFQ
 ECAD 6826 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN FDMS3604 MOSFET （金属 o化物） 1W Power56 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 13a，23a 8mohm @ 13a，10v 2.7V @ 250µA 29nc @ 10V 1695pf @ 15V 逻辑级别门
TSM200N03DPQ33 Taiwan Semiconductor Corporation TSM200N03DPQ33 0.6553
RFQ
 ECAD 5162 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn TSM200 MOSFET （金属 o化物） 20W（TC） 8-pdfn（3x3） 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 1801-TSM200N03DPQ33TR Ear99 8541.29.0095 15,000 2 n通道 30V 20A（TC） 20mohm @ 10a，10v 2.5V @ 250µA 4.1nc @ 4.5V 345pf @ 25V 标准
APTC80DSK29T3G Microsemi Corporation APTC80DSK29T3G -
RFQ
 ECAD 6852 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP3 APTC80 MOSFET （金属 o化物） 156W SP3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 800V 15a 290MOHM @ 7.5A，10V 3.9V @ 1mA 90NC @ 10V 2254pf @ 25V -
AON4807 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON4807 -
RFQ
 ECAD 8703 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 AON480 MOSFET （金属 o化物） 1.9W 8-DFN （3x2） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 30V 4a 68mohm @ 4A，10V 2.3V @ 250µA 10NC @ 10V 290pf @ 15V 逻辑级别门
SCH1306-TL-E Sanyo SCH1306-TL-E 1.0000
RFQ
 ECAD 5992 0.00000000 Sanyo * 大部分 积极的 SCH1306 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 5,000 -
DMN62D0UDWQ-7 Diodes Incorporated DMN62D0UDWQ-7 0.0993
RFQ
 ECAD 8969 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 DMN62 MOSFET （金属 o化物） 320MW（TA） SOT-363 下载 到达不受影响 31-DMN62D0UDWQ-7TR Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V 350mA（ta） 2ohm @ 100mA，4.5V 1.1V @ 250µA 0.5NC @ 4.5V 32pf @ 30V -
NVMFD5489NLT3G onsemi NVMFD5489NLT3G -
RFQ
 ECAD 1076 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN NVMFD5483 MOSFET （金属 o化物） 3W 8-dfn（5x6）（SO8FL偶） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双） 60V 4.5a 65mohm @ 15a，10v 2.5V @ 250µA 12.4NC @ 10V 330pf @ 25V 逻辑级别门
FMM65-015P IXYS FMM65-015p -
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 ECAD 9046 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 I4-PAC™-5 FMM65 MOSFET （金属 o化物） - ISOPLUS I4-PAC™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 24 2 n 通道（双） 150V 65a 22mohm @ 50a，10v 4V @ 1mA 230nc @ 10V - -
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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