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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
FDMS0346 onsemi FDMS0346 -
RFQ
 ECAD 3475 0.00000000 Onmi * 大部分 过时的 FDMS03 - - 不适用 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 1 -
DMPH6050SPD-13 Diodes Incorporated DMPH6050SPD-13 1.0600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN DMPH6050 MOSFET （金属 o化物） PowerDI5060-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2（p 通道（双） 26a（TC） 48mohm @ 5a，10v 3V @ 250µA 14.5nc @ 4.5V 1525pf @ 30V -
DMN3013LDG-13 Diodes Incorporated DMN3013LDG-13 0.3080
RFQ
 ECAD 8285 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerldfn DMN3013 MOSFET （金属 o化物） 2.16W（TA） POWERDI3333-8（d型） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 9.5A（ta），15a （TC） 14.3MOHM @ 4A，8V 1.2V @ 250µA 5.7nc @ 4.5V 600pf @ 15V -
SI1036X-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1036X-T1-GE3 0.4200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 SI1036 MOSFET （金属 o化物） 220MW SC-89-6 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 610ma（ta） 540MOHM @ 500mA，4.5V 1V @ 250µA 1.2nc @ 4.5V 36pf @ 15V -
IRF640S2497 Harris Corporation IRF640S2497 -
RFQ
 ECAD 2298 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 积极的 IRF640 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 1 -
FDG8842CZ onsemi FDG8842CZ 0.6200
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 ECAD 5738 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 FDG8842 MOSFET （金属 o化物） 300MW SC-88 （SC-70-6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 30V，25V 750mA，410mA 400MOHM @ 750mA，4.5V 1.5V @ 250µA 1.44NC @ 4.5V 120pf @ 10V 逻辑级别门
AO4616L_103 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4616L_103 -
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 ECAD 4574 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） AO461 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-SOIC - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 30V 8.1a（ta），7.1a（7.1a）（ta） 20mohm @ 8.1a，10v，25mohm @ 7.1a，10v 3V @ 250µA，2.7V @ 250µA 19.2nc @ 10v，30.9nc @ 10v 1250pf @ 15V，1573pf @ 15V -
DN2625DK6-G Microchip Technology DN2625DK6-G 3.3500
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 ECAD 1871年 0.00000000 微芯片技术 - 托盘 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-vdfn暴露垫 DN2625 MOSFET （金属 o化物） - 8-DFN（5x5） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 490 2 n 通道（双） 250V 1.1a 3.5OHM @ 1A，0V - 7.04NC @ 1.5V 1000pf @ 25V 耗尽模式
IPG15N06S3L-45 Infineon Technologies IPG15N06S3L-45 -
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 ECAD 5377 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn IPG15N MOSFET （金属 o化物） 21W PG-TDSON-8-4 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双） 55V 15a 45mohm @ 10a，10v 2.2V @ 10µA 20NC @ 10V 1420pf @ 25V 逻辑级别门
NDS9959 Fairchild Semiconductor NDS9959 0.4700
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 ECAD 7722 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） NDS995 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.21.0095 2,500 2 n 通道（双） 50V 2a 300MOHM @ 1.5A，10V 4V @ 250µA 15nc @ 10V 250pf @ 25V -
2SJ356(0)-T2-AZ Renesas Electronics America Inc 2SJ356（0）-t2-az 0.9400
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 ECAD 37 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 大部分 积极的 2SJ356 - 下载 不适用 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 0000.00.0000 1,000 -
FD6M033N06 Fairchild Semiconductor FD6M033N06 3.8100
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 ECAD 1 0.00000000 Fairchild半导体 Power-SPM™ 管子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 EPM15 FD6M033 MOSFET （金属 o化物） - EPM15 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 19 2 n 通道（双） 60V 73a 3.3mohm @ 40a，10v 4V @ 250µA 129nc @ 10V 6010pf @ 25V -
SISF02DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISF02DN-T1-GE3 1.5600
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet®Geniv 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 PowerPak®1212-8SCD SISF02 MOSFET （金属 o化物） 5.2W（ta），69.4W（TC） PowerPak®1212-8SCD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双）公共排水 25V 30.5A（TA），60a tc） 3.5MOHM @ 7A，10V 2.3V @ 250µA 56nc @ 10V 2650pf @ 10V -
MCH3307-TL-E onsemi MCH3307-TL-E 0.1000
RFQ
 ECAD 138 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 MCH3307 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 3,000 -
NXH010P90MNF1PTG onsemi NXH010P90MNF1PTG 169.4400
RFQ
 ECAD 1800 0.00000000 Onmi - 托盘 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 NXH010 （SIC） 328W（TJ） - 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 488-NXH010P90MNF1PTG Ear99 8541.29.0095 28 2 n 通道（双）公共来源 900V 154a（TC） 14mohm @ 100a，15v 4.3V @ 40mA 546.4NC @ 15V 7007pf @ 450V -
SP8K1FRATB Rohm Semiconductor SP8K1FRATB 1.3400
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 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SP8K1 MOSFET （金属 o化物） 1.4W（TA） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 5A（5A） 51MOHM @ 5A，10V 2.5V @ 1mA 5.5nc @ 5V 230pf @ 10V -
HUF76113DK8T Fairchild Semiconductor HUF76113DK8T 0.5100
RFQ
 ECAD 77 0.00000000 Fairchild半导体 Ultrafet® 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-VFSOP （0.091英寸，2.30mm） HUF76113 MOSFET （金属 o化物） 2.5W（TA） US8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 6a（6a） 32MOHM @ 6A，10V 3V @ 250µA 19.2nc @ 10V 605pf @ 25V 逻辑级别门
SP8K31HZGTB Rohm Semiconductor SP8K31HZGTB 1.4900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SP8K31 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-SP8K31HZGTBTR Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V 3.5A（ta） 120MOHM @ 3.5A，10V 2.5V @ 1mA 5.2nc @ 5V 250pf @ 10V -
NVMFD016N06CT1G onsemi NVMFD016N06CT1G 2.2800
RFQ
 ECAD 8637 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN NVMFD016 MOSFET （金属 o化物） 3.1W（TA），36W（TC） 8-dfn（5x6）（SO8FL偶） - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 60V （9A）（ta），32a （TC） 16.3mohm @ 5A，10V 4V @ 25µA 6.9nc @ 10V 489pf @ 30V -
ECH8602M-TL-H onsemi ECH8602M-TL-H -
RFQ
 ECAD 4796 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 ECH8602 MOSFET （金属 o化物） 1.5W 8-ech - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 6a 30mohm @ 3a，4.5V - 7.5NC @ 4.5V - 逻辑级别门
FDS8958B onsemi FDS8958B 0.9400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDS89 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 n和p通道 30V 6.4a，4.5a 26mohm @ 6.4a，10v 3V @ 250µA 12nc @ 10V 540pf @ 15V 逻辑级别门
FDMS5361L Fairchild Semiconductor FDMS5361L 0.4600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Fairchild半导体 * 大部分 积极的 FDMS5361 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 3,000 -
MSCSM70AM025CT6LIAG Microchip Technology MSCSM70AM025CT6LIAG 881.2550
RFQ
 ECAD 5787 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 - 底盘安装 模块 MSCSM70 （SIC） 1882W（TC） sp6c li 下载 （1 （无限） 到达不受影响 150-MSCSM70AM025CT6LIAG Ear99 8541.29.0095 1 2 n通道 700V 689a（TC） - 2.4V @ 24mA tovice（typ） 1290nc @ 20V 27pf @ 700V -
PSMN6R1-40HLX Nexperia USA Inc. PSMN6R1-40HLX 1.8800
RFQ
 ECAD 6199 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 SOT-12205，8-LFPAK56 PSMN6R1 MOSFET （金属 o化物） 64W（TA） LFPAK56D 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 40V 40a（ta） 6.1MOHM @ 10a，10v 2.1V @ 1mA 22.2nc @ 5V 3000pf @ 25V 逻辑级别门
UM6J1NTN Rohm Semiconductor um6j1ntn 0.4800
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 UM6J1 MOSFET （金属 o化物） 150MW UMT6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 30V 200mA 1.4OHM @ 200mA，10v 2.5V @ 1mA - 30pf @ 10V 逻辑级别门
RFP50N06R4034 Harris Corporation RFP50N06R4034 0.6100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 积极的 RFP50 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 1 -
FDMA1023PZ onsemi FDMA1023PZ 0.9500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-vdfn裸露的垫子 FDMA1023 MOSFET （金属 o化物） 700MW 6-microfet（2x2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 FDMA1023PZTR Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 3.7a 72MOHM @ 3.7A，4.5V 1.5V @ 250µA 12nc @ 4.5V 655pf @ 10V 逻辑级别门
FW297-TL-2W onsemi FW297-TL-2W -
RFQ
 ECAD 4857 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FW297 MOSFET （金属 o化物） 1.8W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V 4.5a 58mohm @ 4.5A，10V 2.6V @ 1mA 14NC @ 10V 750pf @ 20V 逻辑水平门，4V驱动器
FDW2501NZ Fairchild Semiconductor FDW2501NZ -
RFQ
 ECAD 8759 0.00000000 Fairchild半导体 PowerTrench® 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） FDW25 MOSFET （金属 o化物） 600MW 8-tssop 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.21.0095 3 2 n 通道（双） 20V 5.5a 18mohm @ 5.5a，4.5V 1.5V @ 250µA 17nc @ 4.5V 1286pf @ 10V 逻辑级别门
DMTH4011SPD-13 Diodes Incorporated DMTH4011SPD-13 0.7900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN DMTH4011 MOSFET （金属 o化物） 2.6W（ta） PowerDI5060-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 40V 11.1A（TA），42A （TC） 15mohm @ 20a，10v 4V @ 250µA 10.6nc @ 10V 805pf @ 20V -
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    2000+

    每日平均RFQ量

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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