场效应管、MOSFET(55612)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）
2SK3704-CB11-SY	0.9000	询价	7	三洋	*	大部分	的积极				2SK3704	-			下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1											-
FDC658APG	-	询价	3188	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的				FDC658				-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	488-FDC658APGTR	过时的		3,000				-
PJU4NA70_T0_00001	-	询价	5360	强茂国际有限公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	PJU4NA70	MOSFET（金属O化物）		TO-251AA	-				3757-PJU4NA70_T0_00001	过时的		1		N沟道	700伏	4A（塔）	10V	2.8欧姆@2A，10V	4V@250μA	10V时为10.5nC	±30V	514pF@25V	-	77W（温度）
FDB6030BL	3.2000年	询价	82	仙童	PowerTrench®	大部分	过时的	-65°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+片）、TO-263AB		MOSFET（金属O化物）		D2PAK (TO-263)	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8541.29.0095	800		N沟道	30V	40A（温度）	4.5V、10V	18毫欧@20A，10V	3V@250μA	17nC@5V	±20V	1160pF@15V	-	60W（温度）
IRFS7434TRL7PP	-	询价	3629	国际校正器公司	HEXFET®、StrongIRFET™	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-7，D²Pak（6引脚+接片）		MOSFET（金属O化物）		D2PAK-7	下载					EAR99	8542.39.0001	1		N沟道	40V	240A（温度）	6V、10V	1mOhm@100A，10V	3.9V@250μA	315nC@10V	±20V	10250pF@25V	-	245W（温度）
FDA38N30	-	询价	4934	仙童	UniFET™	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3		MOSFET（金属O化物）		TO-3PN	下载						0000.00.0000	1		N沟道	300伏	38A（温度）	10V	85毫欧@19A，10V	5V@250μA	60nC@10V	±30V	2600pF@25V	-	312W（温度）
SI4825DDY-T1-GE3	0.9400	询价	128	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SI4825	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,500人		P沟道	30V	14.9A（温度）	4.5V、10V	12.5毫欧@10A、10V	2.5V@250μA	86nC@10V	±25V	2550pF@15V	-	2.7W（Ta）、5W（Tc）
FQPF5N80	-	询价	9789	onsemi	QFET®	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	FQPF5	MOSFET（金属O化物）		TO-220F-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	800V	2.8A（温度）	10V	2.6欧姆@1.4A，10V	5V@250μA	33nC@10V	±30V	1250pF@25V	-	47W（温度）
TSM60N600CP ROG	-	询价	4669	台积电	-	切带 (CT)	SIC停产	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TSM60	MOSFET（金属O化物）		TO-252，（D-Pak）	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	600伏	8A（温度）	10V	600mOhm@4A，10V	4V@250μA	13nC@10V	±30V	743pF@100V	-	83W（温度）
SI4850EY-T1-GE3	1.7700	询价	第558章	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SI4850	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	60V	6A（塔）	4.5V、10V	22毫欧@6A，10V	3V@250μA	27nC@10V	±20V		-	1.7W（塔）
HAT1127HWS-E	-	询价	3583	瑞萨电子美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	150℃	表面贴装	SC-100、SOT-669		MOSFET（金属O化物）		LFPAK	-		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,500人		P沟道	30V	40A（塔）	4.5V、10V	4.5毫欧@20A，10V	2.5V@1mA	125nC@10V	+10V，-20V	5600pF@10V	-	30W（温度）
FF11MR12W1M1B70BPSA1	185.0800	询价	15	英飞凌科技	CoolSiC™+	托盘	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	模块	FF11MR12	碳化硅（SiC）	20mW（温度）	AG-EASY1B	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	24	2个N沟道（半桥）		1200V（1.2kV）	100A（Tj）		11.3毫欧@100A，15V	5.55V@40mA	248nC@15V		7360pF @ 800V	-
FDS5680	1.0000	询价	7325	仙童	PowerTrench®	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	FDS56	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载					EAR99	8542.39.0001	1		N沟道	60V	8A（塔）	6V、10V	20毫欧@8A，10V	4V@250μA	42nC@10V	±20V	1850pF@15V	-	2.5W（塔）
IXTA380N036T4-7-TR	4.2820	询价	7461	IXYS	沟	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-7，D²Pak（6引脚+接片）	IXTA380	MOSFET（金属O化物）		TO-263-7 (IXTA)	-	符合ROHS3标准		REACH 不出行	238-IXTA380N036T4-7-TR	EAR99	8541.29.0095	800		N沟道	36V	380A（温度）	10V	1mOhm@100A，10V	4V@250μA	260nC@10V	±15V	13400pF@25V	-	480W（温度）
RJK6026DPP-00#T2	0.9600	询价	25	瑞萨电子美国公司	*	大部分	的积极								下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1
TSM5055DCR	1.1755	询价	1419	台积电	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN	TSM5055	MOSFET（金属O化物）	2.2W（Ta）、30W（Tc）、2.4W（Ta）、69W（Tc）	8-PDFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	1801-TSM5055DCRTR	EAR99	8541.29.0095	5,000	2 N 沟道（双）不定价		30V	10A（Ta）、38A（Tc）、20A（Ta）、107A（Tc）		11.7毫欧@10A、10V、3.6毫欧@20A、10V	2.5V@250μA	9.3nC@10V，49nC@10V		555pF@15V，2550pF@15V	-
RF1K4915796	0.8200	询价	25	仙童	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	30V	6.3A（塔）	4.5V、10V	30mOhm@6.3A，10V	3V@250μA	88nC@20V	±20V	1575pF@25V	-	2W（塔）
DMNH4006SPS-13	0.5968	询价	3369	分散公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装		DMNH4006	MOSFET（金属O化物）			下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行	DMNH4006SPS-13DI	EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	40V	110A（温度）	10V	7毫欧@50A，10V	4V@250μA	50.9nC@10V	20V	2280pF@25V	-	1.6W（塔）
AUIRF1010EZS	-	询价	5742	国际校正器公司	HEXFET®	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+片）、TO-263AB		MOSFET（金属O化物）		PG-TO263-3	下载					EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	60V	75A（温度）	10V	8.5毫欧@51A，10V	4V@250μA	86nC@10V	±20V	2810pF@25V	-	140W（温度）
C3M0075120K-A	17.9000	询价	8949	沃尔夫斯皮德公司	C3M™	管子	的积极	-40°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-4	C3M0075120	SiCFET（碳化硅）		TO-247-4L	下载		3（168小时）		1697-C3M0075120K-A	EAR99	8541.29.0095	30		N沟道	1200伏	32A（温度）	15V	90毫欧@20A，15V	3.6V@5mA	53nC@15V	+15V，-4V	1390 pF @ 1000 V	-	136W（温度）
SI7892BDP-T1-GE3	1.9000	询价	1	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® SO-8	SI7892	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	15A（塔）	4.5V、10V	4.2毫欧@25A，10V	3V@250μA	40nC@4.5V	±20V	15V时为3775pF	-	1.8W（塔）
IRFP451	3.6000	询价	第538章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3		MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	450伏	14A（温度）	10V	400毫欧@7.9A，10V	4V@250μA	130nC@10V	±20V	2000pF@25V	-	180W（温度）
BUK7K29-100E/1X	-	询价	6636	安世半导体美国公司	汽车，AEC-Q101	大部分	最后一次购买	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	SOT-1205、8-LFPAK56	山毛洼7K29		68W（塔）	LFPAK56D	-				1727-BUK7K29-100E/1X	EAR99	8541.29.0095	1			100V	29.5A（塔）		24.5毫欧@10A、10V	4V@1mA	38.1nC@10V		2436pF@25V	标准
NTMFS4849NT3G	-	询价	8977	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN，5接口	NTMFS4	MOSFET（金属O化物）		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道	30V	10.2A（Ta）、71A（Tc）	4.5V、11.5V	5.1毫欧@30A，10V	2.5V@250μA	22nC@4.5V	±16V	2040pF@12V	-	870mW（Ta）、42.4W（Tc）
FDC638APZ	0.6300	询价	64	onsemi	PowerTrench®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	FDC638	MOSFET（金属O化物）		超级SOT™-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	20V	4.5A（塔）	2.5V、4.5V	43毫欧@4.5A，4.5V	1.5V@250μA	12nC@4.5V	±12V	1000pF@10V	-	1.6W（塔）
TK65S04N1L,LQ	2.0100	询价	5	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	175°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK65S04	MOSFET（金属O化物）		DPAK+	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道	40V	65A（塔）	10V	4.3毫欧@32.5A，10V	2.5V@300μA	39nC@10V	±20V	2550pF@10V	-	107W（温度）
FDMA3028N	1.0000	询价	1705	仙童	PowerTrench®	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-VDFN 裸露焊盘	频分多址3028	MOSFET（金属O化物）	700毫W	6-MicroFET (2x2)	下载					EAR99	8542.39.0001	1	2 个 N 沟道（双）		30V	3.8A		68毫欧@3.8A，4.5V	1.5V@250μA	5.2nC@5V		375pF@15V	逻辑电平门
IRF7416GTRPBF	-	询价	1308	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）		MOSFET（金属O化物）		8-SO	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000		P沟道	30V	10A（塔）	4.5V、10V	20毫欧@5.6A，10V	1V@250μA	92nC@10V	±20V	1700pF@25V	-	2.5W（塔）
RBA250N04AHPF-4UA01#GB0	5.6000	询价	1	瑞萨电子美国公司	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	TO-263-7、D²Pak（6引脚+接片）、TO-263CB		MOSFET（金属O化物）		TO-263-7	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道	40V	250A（温度）	10V	0.85毫欧@125A，10V	4V@250μA	368nC@10V	±20V	19350pF@25V	-	1.8W（Ta）、348W（Tc）
SI4816DY-T1-GE3	-	询价	9991	威世硅科	小脚丫®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SI4816	MOSFET（金属O化物）	1W、1.25W	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人	2个N沟道（半桥）		30V	5.3A、7.7A		22毫欧@6.3A，10V	2V@250μA	12nC@5V		-	逻辑电平门

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

场效应管、MOSFET(55612)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²