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FET，MOSFET （55612）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
2N7002KW_R1_00001	0.1900	RFQ	4	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	2N7002	MOSFET （金属 o化物）	SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	60 V	115ma（ta）	4.5V，10V	3ohm @ 500mA，10v	2.5V @ 250µA	0.8 NC @ 4.5 V	±20V	35 pf @ 25 V	-	200mw（ta）
PJC7407_R1_00001	0.4400	RFQ	59	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	PJC7407	MOSFET （金属 o化物）	SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-PJC7407_R1_00001TR	Ear99	8541.21.0095	3,000	P通道	20 v	1.3a（ta）	1.8V，4.5V	125mohm @ 1.3A，4.5V	1.2V @ 250µA	5.4 NC @ 4.5 V	±12V	416 pf @ 10 V	-	350MW（TA）
SIHG026N60EF-GE3	14.3000	RFQ	4124	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-247AC	下载		（1 （无限）		742-SIHG026N60EF-GE3	Ear99	8541.29.0095	500	n通道	600 v	95A（TC）	10V	26mohm @ 38a，10v	5V @ 250µA	227 NC @ 10 V	±30V	7926 pf @ 100 V	-	521W（TC）
SQJQ144AER-T1_GE3	2.8300	RFQ	2	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®8X8		MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	40 V	575a（TC）	10V	0.9MOHM @ 20A，10V	3.5V @ 250µA	145 NC @ 10 V	±20V	9020 PF @ 25 V	-	600W（TC）
PJQ5420_R2_00001	0.1992	RFQ	9821	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	PJQ5420	MOSFET （金属 o化物）	DFN5060-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-PJQ5420_R2_00001TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	10.5A（ta），60a（tc）	4.5V，10V	9mohm @ 16a，10v	2.5V @ 250µA	7.1 NC @ 4.5 V	±20V	763 PF @ 25 V	-	2W（TA），54W（tc）
PJF4NA70_T0_00001	-	RFQ	2554	Panjit International Inc.	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	PJF4NA70	MOSFET （金属 o化物）	ITO-220AB	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		3757-PJF4NA70_T0_001	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	700 v	4A（ta）	10V	2.8ohm @ 2a，10v	4V @ 250µA	10.5 NC @ 10 V	±30V	514 pf @ 25 V	-	33W（TC）
BSP100,135	0.2000	RFQ	28	NXP半导体	Trenchmos™	大部分	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		MOSFET （金属 o化物）	SOT-223	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BSP100,135-954	Ear99	8541.29.0095	1	n通道	30 V	3.2A（ta）	4.5V，10V	100mohm @ 2.2a，10v	2.8V @ 1mA	6 NC @ 10 V	±20V	250 pf @ 20 V	-	8.3W（TC）
NX6008NBKR	0.2200	RFQ	16	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-236AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	60 V	270mA（ta）	1.5V，4.5V	2.8ohm @ 300mA，4.5V	900mv @ 250µA	0.7 NC @ 4.5 V	±8V	27 pf @ 30 V	-	270MW（TA），1.3W（tc）
R6520ENXC7G	5.3400	RFQ	987	Rohm半导体	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	R6520	MOSFET （金属 o化物）	TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-R6520ENXC7G	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	650 v	20A（TA）	10V	205mohm @ 9.5A，10V	4V @ 630µA	61 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	68W（TC）
R6020knxc7g	4.9000	RFQ	775	Rohm半导体	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	R6020	MOSFET （金属 o化物）	TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-R6020knxc7g	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	600 v	20A（TA）	10V	196mohm @ 9.5a，10V	5V @ 1mA	40 NC @ 10 V	±20V	1550 pf @ 25 V	-	68W（TC）
R6524knxc7g	5.5800	RFQ	990	Rohm半导体	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	R6524	MOSFET （金属 o化物）	TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-R6524KNXC7G	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	650 v	24A（24A）	10V	185mohm @ 11.3a，10v	5V @ 750µA	45 NC @ 10 V	±20V	1850 pf @ 25 V	-	74W（TC）
PSMNR55-40SSHJ	7.0900	RFQ	3	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-1235		MOSFET （金属 o化物）	LFPAK88（SOT1235）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	40 V	500a（ta）	10V	0.55MOHM @ 25A，10V	3.6V @ 1mA	267 NC @ 10 V	±20V	21162 PF @ 25 V	-	375W（TA）
DMP3011SFVWQ-7	0.3045	RFQ	6	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	DMP3011	MOSFET （金属 o化物）	PowerDI3333-8	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	P通道	30 V	19.8a（ta），50a （TC）	4.5V，10V	10mohm @ 11.5a，10v	3V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±25V	2380 pf @ 15 V	-	980MW（TA）
BUK7Y59-60EX	-	RFQ	7909	NXP半导体	Trenchmos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669		MOSFET （金属 o化物）	LFPAK56，Power-SO8	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BUK7Y59-60EX-954	Ear99	8541.29.0095	1	n通道	60 V	17a（TC）	10V	59mohm @ 5a，10v	4V @ 1mA	7.8 NC @ 10 V	±20V	494 pf @ 25 V	-	37W（TC）
PSMN070-200P，127	1.1300	RFQ	8	NXP半导体	Trenchmos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-PSMN070-200P，127-954			1	n通道	200 v	35A（TC）	10V	70mohm @ 17a，10v	4V @ 1mA	77 NC @ 10 V	±20V	4570 pf @ 25 V	-	250W（TC）
PMPB95ENEA/FX	0.1200	RFQ	5	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫		MOSFET （金属 o化物）	DFN2020MD-6	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-PMPB95ENEA/FX-954			1	n通道	80 V	4.1a（ta）	4.5V，10V	105MOHM @ 2.8A，10V	2.7V @ 250µA	14.9 NC @ 10 V	±20V	504 pf @ 40 V	-	1.6W（TA）
PHD71NQ03LT，118	-	RFQ	7622	NXP半导体	Trenchmos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	DPAK	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-PHD71NQ03LT，118-954			1	n通道	30 V	75A（TC）	5V，10V	10mohm @ 25a，10v	2.5V @ 1mA	13.2 NC @ 5 V	±20V	1220 pf @ 25 V	-	120W（TC）
PSMN2R0-60ES，127	1.4000	RFQ	7	NXP半导体	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	PSMN2R0	MOSFET （金属 o化物）	i2pak	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-PSMN2R0-60ES，127-954			1	n通道	60 V	120A（TC）	10V	2.2MOHM @ 25A，10V	4V @ 1mA	137 NC @ 10 V	±20V	9997 PF @ 30 V	-	338W（TC）
CPH6424-TL-E	0.4400	RFQ	3	Onmi	*	大部分	积极的							下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-CPH6424-TL-E-488			1
IPS70R2K0CEE8211AKMA1	0.2300	RFQ	40	Infineon技术	*	大部分	积极的							下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-IPS70R2K0CEE8211AKMA1-448			1
IPP60R065S7XKSA1	6.7700	RFQ	4855	Infineon技术	CoolMos™S7	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ipp60r	MOSFET （金属 o化物）	pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	600 v	8A（TC）	12V	65mohm @ 8a，12v	4.5V @ 490µA	51 NC @ 12 V	±20V	1932 PF @ 300 V	-	167W（TC）
IPT063N15N5ATMA1	5.8100	RFQ	1	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn	IPT063N	MOSFET （金属 o化物）	PG-HSOF-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	448-IPT063N15N5ATMA1DKR	Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	150 v	16.2A（TA），122A （TC）	8V，10V	6.3MOHM @ 50a，10v	4.6V @ 153µA	59 NC @ 10 V	±20V	4550 PF @ 75 V	-	3.8W（ta），214W（TC）
IPBE65R145CFD7AATMA1	3.4789	RFQ	7132	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA	IPBE65R	MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-7-11	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	650 v	17a（TC）	10V	145mohm @ 8.5a，10v	4.5V @ 420µA	36 NC @ 10 V	±20V	1694 PF @ 400 V	-	98W（TC）
IAUA250N04S6N006AUMA1	4.4500	RFQ	8	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	5-Powersfn	IAUA250	MOSFET （金属 o化物）	PG-HSOF-5-4	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	40 V	450a（TJ）	7V，10V	0.64MOHM @ 100A，10V	3V @ 145µA	169 NC @ 10 V	±20V	11064 PF @ 25 V	-	250W（TC）
IAUC26N10S5L245ATMA1	0.5973	RFQ	1870年	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）	PG-TDSON-8-33	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	100 v	26a（TJ）	4.5V，10V	24.5MOHM @ 13A，10V	2.2V @ 13µA	12 nc @ 10 V	±20V	762 PF @ 50 V	-	40W（TC）
IPTG018N10NM5ATMA1	6.1800	RFQ	1	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-powersmd，鸥翼	IPTG018N	MOSFET （金属 o化物）	PG-HSOG-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,800	n通道	100 v	32A（TA），273A TC）	6V，10V	1.8mohm @ 150a，10v	3.8V @ 202µA	152 NC @ 10 V	±20V	11000 PF @ 50 V	-	3.8W（TA），273W（tc）
IQE030N06NM5ATMA1	2.9600	RFQ	9	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	IQE030N	MOSFET （金属 o化物）	PG-TSON-8-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	60 V	21a（21A），137a （TC）	6V，10V	3mohm @ 20a，10v	3.3V @ 50µA	49 NC @ 10 V	±20V	3800 PF @ 30 V	-	2.5W（ta），107W（107W）TC）
IAUC50N08S5L096ATMA1	0.6636	RFQ	9366	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）	PG-TDSON-8-33	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	80 V	50a	4.5V，10V	9.6mohm @ 25a，10v	2V @ 24µA	29 NC @ 10 V	±20V	1684 PF @ 40 V	-	60W（TC）
IRF122	0.8800	RFQ	731	国际整流器	*	大部分	积极的							下载		供应商不确定	到达受影响	2156-IRF122-600047		0000.00.0000	1
NDP708AE	2.2600	RFQ	3	Fairchild半导体	*	大部分	积极的							下载		供应商不确定	供应商不确定	2156P708AE-600039			1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

FET，MOSFET （55612）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²