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FET，MOSFET（6056）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | （VDSS） | 电流 -id（ID） @ 25°C | RDS（最大值） @ ID，VGS | VGS（TH）（最大） @ ID | （QG））（最大） @ vgs | （ciss）（最大（ciss） @ vds | fet |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PMDPB28UN，115 | - |  | 4161 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-udfn暴露垫 | PMDPB | MOSFET （金属 o化物） | 510MW | 6-Huson（2x2） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 20V | 4.6a | 37MOHM @ 4.6A，4.5V | 1V @ 250µA | 4.7nc @ 4.5V | 265pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||
 | SQ4532AEY-T1_GE3 | 0.8800 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SQ4532 | MOSFET （金属 o化物） | 3.3W | 8-SOIC | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n和p通道 | 30V | 7.3A（TC），5.3a tc） | 31mohm @ 4.9a，10v，70Mohm @ 3.5a，10v | 2.5V @ 250µA | 7.8NC @ 10V，10.2NC @ 10V | 535pf @ 15V，528pf @ 15V | - | ||||
 | SSM6L16FETE85LF | 0.3800 | | 29 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 不适合新设计 | 150°C（TA） | 表面安装 | SOT-563，SOT-666 | SSM6L16 | MOSFET （金属 o化物） | 150MW | ES6 | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.21.0095 | 4,000 | n和p通道 | 20V | 100mA | 3ohm @ 10mA，4V | 1.1V @ 100µA | - | 9.3pf @ 3V | - | |||
 | VMM300-03F | - | | 4646 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™ | 盒子 | 过时的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | Y3-DCB | VMM300 | MOSFET （金属 o化物） | 1500W | Y3-DCB | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2 | 2 n 通道（双） | 300V | 290a | 8.6mohm @ 145a，10v | 4V @ 30mA | 1440NC @ 10V | 40000pf @ 25V | - | ||
 | FDMS3622S | - | | 2375 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | PowerTrench® | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-POWERTDFN | FDMS3622 | MOSFET （金属 o化物） | 1W | Power56 | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 2 n 通道（双） | 25V | 17.5a，34a | 5mohm @ 17.5A，10V | 2V @ 250µA | 26NC @ 10V | 1570pf @ 13V | 逻辑级别门 | |||||
 | SI7218DN-T1-GE3 | - | | 3490 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | POWERPAK®1212-8 | SI7218 | MOSFET （金属 o化物） | 23W | POWERPAK®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 30V | 24a | 25mohm @ 8a，10v | 3V @ 250µA | 17NC @ 10V | 700pf @ 15V | - | |||
 | BSM400D12P3G002 | 1.0000 | | 4 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | 模块 | BSM400 | （SIC） | 1570W（TC） | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 846-BSM400D12P3G002 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4 | 2 n 通道（半桥） | 1200V（1.2kV） | 400A（TC） | - | 5.6V @ 109.2mA | - | 17000pf @ 10V | - | |
 | DMC4050SSDQ-13 | 0.8300 | | 13 | 0.00000000 | 二极管合并 | 汽车，AEC-Q101 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | DMC4050 | MOSFET （金属 o化物） | 1.8W | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n和p通道互补 | 40V | 5.3a | 45mohm @ 3a，10v | 1.8V @ 250µA | 37.56NC @ 10V | 1790.8pf @ 20v | - | ||
 | TPCP8407，LF | 0.7400 | | 2 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | 汽车，AEC-Q101 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 150°C | 表面安装 | 8-SMD，平坦的铅 | TPCP8407 | MOSFET （金属 o化物） | 690MW（TA） | PS-8 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 264-TPCP8407LFCT | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n和p通道 | 40V | （5a ta），4a ta（4a ta） | 36.3mohm @ 2.5a，10v，56.8mohm @ 2a，10v | 3V @ 1mA | 11.8nc @ 10v，18nc @ 10v | 505pf @ 10V，810pf @ 10V | - | ||
| MSCSM70VR1M07CT6AG | 502.0100 | | 1297 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜175°C（TJ） | 底盘安装 | 模块 | MSCSM70 | （SIC） | 966W（TC） | - | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 150-MSCSM70VR1M07CT6AG | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道（相腿） | 700V | 349A（TC） | 6.4MOHM @ 120A，20V | 2.4V @ 12mA | 645nc @ 20V | 13500pf @ 700V | - | |
| UT6KE5TCR | 0.6800 | | 3681 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | 6-Powerudfn | UT6KE5 | MOSFET （金属 o化物） | 2W（TA） | HUML2020L8 | - | （1 （无限） | 3,000 | 2 n通道 | 100V | 2A（TA） | 207MOHM @ 2A，10V | 2.5V @ 1mA | 2.8NC @ 10V | 90pf @ 50V | 标准 | ||||||
| DMN31D5UDAQ-7B | 0.0357 | | 1162 | 0.00000000 | 二极管合并 | 汽车，AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-SMD，没有铅 | DMN31 | MOSFET （金属 o化物） | 370MW（TA） | X2-DFN0806-6 | 下载 | 31-DMN31D5UDAQ-7B | Ear99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 2 n通道 | 30V | 400mA（TA） | 1.5OHM @ 100mA，4.5V | 1V @ 250µA | 0.38NC @ 4.5V | 22.6pf @ 15V | 标准 | ||||
 | GSFK0501E | 0.4200 | | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -50°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET （金属 o化物） | 300MW（TA） | SOT-363 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 2个p通道 | 50V | 180mA（TA） | 4ohm @ 150mA，10v | 3V @ 250µA | 530pc @ 10V | 25.2pf @ 25V | 标准 | |||
| FDS6900AS-G | - | | 6955 | 0.00000000 | Onmi | PoterTrench®，SyncFet™ | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | FDS69 | MOSFET （金属 o化物） | 900MW（TA） | 8-SOIC | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 30V | 6.9a，8.2a | 27mohm @ 6.9a，10v | 3V @ 250µA，3V @ 1mA | 15nc @ 10V | 600pf @ 15V | 逻辑级别门 | |||
| NVMJD012N06CLTWG | 0.7134 | | 4638 | 0.00000000 | Onmi | 汽车，AEC-Q101 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | SOT-12205，8-LFPAK56 | NVMJD012 | MOSFET （金属 o化物） | 3.2W（ta），42W（（（（（（（（（） | 8-lfpak | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 488-NVMJD012N06CLTWGTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 60V | 11.5A（TA），42A （TC） | 11.9mohm @ 25a，10v | 2.2V @ 30µA | 11.5NC @ 10V | 792pf @ 25V | - | |
 | CPH5616-TL-E | 0.4400 | | 2 | 0.00000000 | Sanyo | * | 大部分 | 积极的 | CPH5616 | - | - | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | 0000.00.0000 | 1 | - | |||||||||||||||
| BSM450D12P4G102 | 1.0000 | | 6512 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 盒子 | 积极的 | 175°C（TJ） | 底盘安装 | 模块 | BSM450 | （SIC） | 1.45kW（TC） | 模块 | 下载 | （1 （无限） | 846-BSM450D12P4G102 | 4 | 2 n通道 | 1200V | 447a（TC） | - | 4.8V @ 218.4mA | - | 44000pf @ 10V | 标准 | |||||
| IRF120CECC | - | | 6415 | 0.00000000 | 国际整流器 | * | 大部分 | 积极的 | IRF120 | - | - | 不适用 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | - | ||||||||||||||
| NVMJD027N06CLTWG | 0.6426 | | 3596 | 0.00000000 | Onmi | 汽车，AEC-Q101 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | SOT-12205，8-LFPAK56 | NVMJD027 | - | 3.2W（24W）（24W）TC） | 8-lfpak | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 488-NVMJD027N06CLTWGTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 60V | 7.7a（ta），21a （TC） | 27mohm @ 9a，10v | 2.2V @ 13µA | 5NC @ 10V | 335pf @ 30V | - | |
 | 2SJ645-TL-E | 0.4400 | | 3 | 0.00000000 | Onmi | * | 大部分 | 积极的 | 2SJ645 | - | - | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | 683 | - | ||||||||||||||||
| AOSD26313C | 0.1725 | | 5688 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | AOSD213 | MOSFET （金属 o化物） | 1.7W（TA） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 785-AOSD26313CTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n和p通道互补 | 30V | （7A）（ta），5.7a ta（TA） | 20mohm @ 7a，10v，32mohm @ 5.7A，10V | 2.3V @ 250µA，2.2V @ 250µA | 20nc @ 10v，33nc @ 10v | 600pf @ 15V，1100pf @ 15V | - | |
 | FD6M045N06 | 6.1600 | | 1 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | Power-SPM™ | 管子 | 过时的 | -40°C〜150°C（TJ） | 通过洞 | EPM15 | FD6M045 | MOSFET （金属 o化物） | - | EPM15 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0095 | 19 | 2 n 通道（双） | 60V | 60a | 4.5mohm @ 40a，10v | 4V @ 250µA | 87NC @ 10V | 3890pf @ 25V | - | ||||
 | PJL9812_R2_00201 | 0.6300 | | 4 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | PJL9812 | MOSFET （金属 o化物） | 2W（TA） | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 30V | 6a（6a） | 35mohm @ 6a，10v | 1.3V @ 250µA | 5.1nc @ 4.5V | 421pf @ 15V | - | ||
 | AO4614BL_103 | - | | 8639 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | AO4614 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-SOIC | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n和p通道 | 40V | 6a，5a | 30mohm @ 6a，10v | 3V @ 250µA | 10.8NC @ 10V | 650pf @ 20V | 逻辑级别门 | |||
 | HP8MA2TB1 | 1.8500 | | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | 8-POWERTDFN | HP8MA2 | MOSFET （金属 o化物） | （3W）（TA） | 8-hsop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n和p通道 | 30V | 18A（18A），（15a）（15A） | 9.6mohm @ 18a，10v，17.9mohm @ 15a，10v | 2.5V @ 1mA | 22nc @ 10v，25nc @ 10v | 1100pf @ 15V，1250pf @ 15V | - | ||
 | MCH6661-TL-W | - | | 5037 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | MCH6661 | MOSFET （金属 o化物） | 800MW | SC-88FL/MCPH6 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 30V | 1.8a | 188mohm @ 900mA，10v | 2.6V @ 1mA | 2NC @ 10V | 88pf @ 10V | 逻辑水平门，4V驱动器 | ||
| FDP047N08-F10 | 2.8600 | | 432 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | * | 大部分 | 积极的 | FDP047 | - | - | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | ||||||||||||||
| HIP2060ase | 1.8300 | | 1 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | * | 大部分 | 积极的 | HIP2060 | - | - | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | ||||||||||||||
| SH8K32TB1 | 1.7000 | | 10 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 不适合新设计 | 150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SH8K32 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-SOP（5.0x6.0） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 60V | 4.5a | 65mohm @ 4.5A，10V | 2.5V @ 1mA | 10NC @ 5V | 500pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||
 | NVMFD024N06CT1G | 2.2600 | | 2639 | 0.00000000 | Onmi | 汽车，AEC-Q101 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | 8-POWERTDFN | NVMFD024 | MOSFET （金属 o化物） | 3.1W（TA），28W（tc） | 8-dfn（5x6）（SO8FL偶） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,500 | 2 n 通道（双） | 60V | 8a（8a ta），24a （TC） | 22.6mohm @ 3a，10v | 4V @ 20µA | 5.7nc @ 10V | 333pf @ 30V | - |
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