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FET，MOSFET（6056）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet
SI1902DL-T1-E3	0.5300	RFQ	8479	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1902	MOSFET （金属 o化物）	270MW	SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）	20V	660mA	385MOHM @ 660mA，4.5V	1.5V @ 250µA	1.2nc @ 4.5V	-	逻辑级别门
CMS06NP03Q8-HF	-	RFQ	8242	comchip技术	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	CMS06	MOSFET （金属 o化物）	1.5W（TA）	8-SOIC	-				641-CMS06NP03Q8-HF	Ear99	8541.29.0095	1	n和p通道	30V	6.9a（6），6.3a（ta）	28mohm @ 6a，10v，36mohm @ 6a，10v	2.5V @ 250µA	-	-	-
APTC60VDAM45T1G	73.1700	RFQ	7035	微芯片技术	coolmos™	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP1	APTC60	MOSFET （金属 o化物）	250W	SP1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）	600V	49a	45MOHM @ 24.5A，10V	3.9V @ 3mA	150nc @ 10V	7200pf @ 25V	超交界处
DMG1026UV-7	0.4000	RFQ	156	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	DMG1026	MOSFET （金属 o化物）	580MW	SOT-563	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）	60V	410mA	1.8Ohm @ 500mA，10v	1.8V @ 250µA	0.45NC @ 10V	32pf @ 25V	逻辑级别门
DMNH4015SSDQ-13	0.3969	RFQ	1638年	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	DMNH4015	MOSFET （金属 o化物）	1.4W，2W	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）	40V	8.6a（ta）	15mohm @ 12a，10v	3V @ 250µA	33nc @ 10V	1938pf @ 15V	-
CPH5614-TL-E	0.3200	RFQ	21	Sanyo	*	大部分	积极的				CPH5614	-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000								-
FDC6333C-G	-	RFQ	6759	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	FDC6333	MOSFET （金属 o化物）	700MW（TA）	SuperSot™-6	-		（1 （无限）	到达不受影响	488-FDC6333C-GTR	Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道	30V	2.5A（2a），2a（ta）	95mohm @ 2.5a，10v，130mohm @ 2a，10v	3V @ 250µA	6.6nc @ 10V，5.7nc @ 10V	282pf @ 15V，185pf @ 15V	-
NTMD6N02R2G	0.8800	RFQ	2	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NTMD6	MOSFET （金属 o化物）	730MW	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500	2 n 通道（双）	20V	3.92a	35mohm @ 6a，4.5V	1.2V @ 250µA	20NC @ 4.5V	1100pf @ 16V	逻辑级别门
AO4884	0.3910	RFQ	4169	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AO488	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）	40V	10a	13mohm @ 10a，10v	2.7V @ 250µA	33nc @ 10V	1950pf @ 20V	逻辑级别门
DMC3035LSD-13	-	RFQ	3488	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	DMC3035	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道	30V	6.9a，5a	35mohm @ 6.9a，10v	2.1V @ 250µA	8.6nc @ 10V	384pf @ 15V	逻辑级别门
G06N06S2	0.2669	RFQ	4744	戈福德半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）	2.1W（TC）	8-sop	-	Rohs符合条件		到达不受影响	3141-G06N06S2TR	Ear99	8541.29.0000	4,000	2 n通道	60V	6A（TC）	25mohm @ 6a，10v	2.4V @ 250µA	46NC @ 10V	1600pf @ 30V	标准
PJQ5848_R2_00001	0.3152	RFQ	3075	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	PJQ5848	MOSFET （金属 o化物）	1.7W（ta），20W（20W）TC）	DFN5060B-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-PJQ5848_R2_00001TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）	40V	8.6a（ta），30a（tc）	12MOHM @ 12A，10V	2.5V @ 250µA	10NC @ 4.5V	1040pf @ 20V	-
2SK3704-CB11-SY	0.9000	RFQ	7	Sanyo	*	大部分	积极的				2SK3704	-			下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1								-
DMC3021LSDQ-13	0.5700	RFQ	1	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	DMC3021	MOSFET （金属 o化物）	2.5W	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道	30V	8.5a，7a	21mohm @ 7a，10v	2.1V @ 250µA	16.1nc @ 10V	767pf @ 10V	逻辑级别门
SI7236DP-T1-E3	-	RFQ	5143	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SI7236	MOSFET （金属 o化物）	46W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）	20V	60a	5.2MOHM @ 20.7A，4.5V	1.5V @ 250µA	105nc @ 10V	4000pf @ 10V	-
DMN3061SVTQ-7	0.4700	RFQ	3057	二极管合并	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	DMN3061	MOSFET （金属 o化物）	880MW（TA）	TSOT-26	-				31-DMN3061SVTQ-7	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）	30V	3.4a（ta）	60mohm @ 3.1a，10v	1.8V @ 250µA	6.6nc @ 10V	278pf @ 15V	标准
SI3585CDV-T1-GE3	0.5500	RFQ	3868	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3585	MOSFET （金属 o化物）	1.4W，1.3W	6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道	20V	3.9a，2.1a	58mohm @ 2.5a，4.5V	1.5V @ 250µA	4.8NC @ 10V	150pf @ 10V	逻辑级别门
DMC25D0UVT-7	0.4100	RFQ	10	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	DMC25	MOSFET （金属 o化物）	1.2W	TSOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道	25V，30V	400mA，3.2a	4ohm @ 400mA，4.5V	1.5V @ 250µA	0.7NC @ 8V	26.2pf @ 10V	-
FDMS9408	0.6700	RFQ	1	Fairchild半导体	*	大部分	积极的				FDMS940	-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	3,000								-
MCH6631-TL-E-SY	0.0900	RFQ	93	Sanyo	*	大部分	积极的				MCH6631	-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	3,000								-
FDS6994S	0.9200	RFQ	50	Fairchild半导体	PoterTrench®，SyncFet™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS69	MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	2,500	2 n 通道（双）	30V	6.9a，8.2a	21mohm @ 6.9a，10v	3V @ 250µA	12nc @ 5V	800pf @ 15V	逻辑级别门
BUK9K29-100E/1X	-	RFQ	4351	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	大部分	上次购买	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-12205，8-LFPAK56	BUK9K29		68W（TA）	LFPAK56D	-				1727-BUK9K29-100E/1X	Ear99	8541.29.0095	1		100V	30a（TA）	27mohm @ 5a，10v	2.1V @ 1mA	54NC @ 10V	3637pf @ 25V	逻辑级别门
DMP3164LVT-13	0.1185	RFQ	9075	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	DMP3164	MOSFET （金属 o化物）		TSOT-26	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	DMP3164LVT-13DI	Ear99	8541.29.0095	10,000	2（p 通道（双）		2.8A（ta）	95MOHM @ 2.7a，10V	2.1V @ 250µA			-
SI4542DY-T1-E3	-	RFQ	9072	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4542	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道	30V	-	25mohm @ 6.9a，10v	1V @ 250µA（250µA）	50NC @ 10V	-	逻辑级别门
Aony36302	-	RFQ	3494	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-powersmd，平面线	Aony363	MOSFET （金属 o化物）	3.1W（3.1W），21W（（（（），3.1W（ta），44.5W（（（（ta）	8-DFN（5x6）	下载			到达不受影响	785-AONY36302TR			1	2 n 通道（双）	30V	20a（20a），51a（tc（51a tc），30a ta（85a tc）（TC）	5.2MOHM @ 20A，10V	2.2V @ 250µA	30nc @ 10V	1000pf @ 15V	标准
SI4310BDY-T1-E3	-	RFQ	6530	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	SI4310	MOSFET （金属 o化物）	1.14W，1.47W	14-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）	30V	7.5a，9.8a	11mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA	18NC @ 4.5V	2370pf @ 15V	逻辑级别门
UT6JA2TCR	0.8300	RFQ	5	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-Powerudfn	UT6JA2	-	2W	HUML2020L8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）	30V	4a	70MOHM @ 4A，10V	2.5V @ 1mA	6.7nc @ 10V	305pf @ 15V	-
sta509a	-	RFQ	3583	桑肯	-	大部分	过时的	150°C	通过洞	10-sip	STA509	MOSFET （金属 o化物）	（4W）（ta），20W（20W）TC）	10-sip	下载	Rohs符合条件			1261-STA509A	Ear99	8541.29.0095	440	4 n通道	57V	3A（3A）	250MOHM @ 1A，10V	2.5V @ 250µA	-	200pf @ 10V	标准
SI3993CDV-T1-GE3	0.5100	RFQ	9869	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3993	MOSFET （金属 o化物）	1.4W	6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）	30V	2.9a	111MOHM @ 2.5A，10V	2.2V @ 250µA	8NC @ 10V	210pf @ 15V	-
DMTH10H017LPDQ-13	0.6951	RFQ	2	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	DMTH10	MOSFET （金属 o化物）	1.5W（ta），93W（tc）	PowerDi5060-8（E类型）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	31-DMTH10H017LPDQ-13TR	Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）	100V	13a（13A），59a （TC）	17.4mohm @ 17a，10v	3V @ 250µA	28.6nc @ 10V	1986pf @ 50V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

FET，MOSFET（6056）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²