SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs (ciss)(最大(ciss) @ vds fet
MSCSM70VR1M07CT6AG Microchip Technology MSCSM70VR1M07CT6AG 502.0100
RFQ
ECAD 1297 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜175°C(TJ) 底盘安装 模块 MSCSM70 (SIC) 966W(TC) - 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 150-MSCSM70VR1M07CT6AG Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道(相腿) 700V 349A(TC) 6.4MOHM @ 120A,20V 2.4V @ 12mA 645nc @ 20V 13500pf @ 700V -
UT6KE5TCR Rohm Semiconductor UT6KE5TCR 0.6800
RFQ
ECAD 3681 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 6-Powerudfn UT6KE5 MOSFET (金属 o化物) 2W(TA) HUML2020L8 - (1 (无限) 3,000 2 n通道 100V 2A(TA) 207MOHM @ 2A,10V 2.5V @ 1mA 2.8NC @ 10V 90pf @ 50V 标准
HIP2060ASE Harris Corporation HIP2060ase 1.8300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 积极的 HIP2060 - - 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 1 -
CPH5616-TL-E Sanyo CPH5616-TL-E 0.4400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Sanyo * 大部分 积极的 CPH5616 - - 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 0000.00.0000 1 -
NVMJD012N06CLTWG onsemi NVMJD012N06CLTWG 0.7134
RFQ
ECAD 4638 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 SOT-12205,8-LFPAK56 NVMJD012 MOSFET (金属 o化物) 3.2W(ta),42W((((((((() 8-lfpak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 488-NVMJD012N06CLTWGTR Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道(双) 60V 11.5A(TA),42A (TC) 11.9mohm @ 25a,10v 2.2V @ 30µA 11.5NC @ 10V 792pf @ 25V -
FDS6900AS-G onsemi FDS6900AS-G -
RFQ
ECAD 6955 0.00000000 Onmi PoterTrench®,SyncFet™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) FDS69 MOSFET (金属 o化物) 900MW(TA) 8-SOIC - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道(双) 30V 6.9a,8.2a 27mohm @ 6.9a,10v 3V @ 250µA,3V @ 1mA 15nc @ 10V 600pf @ 15V 逻辑级别门
BSM450D12P4G102 Rohm Semiconductor BSM450D12P4G102 1.0000
RFQ
ECAD 6512 0.00000000 Rohm半导体 - 盒子 积极的 175°C(TJ) 底盘安装 模块 BSM450 (SIC) 1.45kW(TC) 模块 下载 (1 (无限) 846-BSM450D12P4G102 4 2 n通道 1200V 447a(TC) - 4.8V @ 218.4mA - 44000pf @ 10V 标准
NVMFD5853NT1G onsemi NVMFD5853NT1G -
RFQ
ECAD 5776 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 8-POWERTDFN NVMFD5853 MOSFET (金属 o化物) 3.1W 8-dfn(5x6)(SO8FL偶) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道(双) 40V 12a 10mohm @ 15a,10v 4V @ 250µA 24NC @ 10V 1225pf @ 25V 逻辑级别门
AO6804 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO6804 -
RFQ
ECAD 5780 0.00000000 Alpha&欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SC-74,SOT-457 AO680 MOSFET (金属 o化物) 800MW 6-TSOP 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道(双)公共排水 20V 4a 32MOHM @ 5A,4.5V 1.2V @ 250µA 7.7nc @ 4.5V 725pf @ 10V 逻辑级别门
IRF7756GTRPBF Infineon Technologies IRF7756GTRPBF -
RFQ
ECAD 3304 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) IRF775 MOSFET (金属 o化物) 1W 8-tssop 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2(p 通道(双) 12V 4.3a 40mohm @ 4.3a,4.5V 900mv @ 250µA 18NC @ 4.5V 1400pf @ 10V 逻辑级别门
BSL316CL6327 Infineon Technologies BSL316CL6327 1.0000
RFQ
ECAD 4405 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-23-6薄,TSOT-23-6 BSL316 MOSFET (金属 o化物) 500MW PG-TSOP6-6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1 n和p通道 30V 1.4a,1.5a 160MOHM @ 1.4A,10V 2V @ 3.7µA 0.6NC @ 5V 94pf @ 15V 逻辑级别门
NDM3000 Fairchild Semiconductor NDM3000 1.6000
RFQ
ECAD 16 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 16-Soic(0.154英寸,宽度为3.90mm) NDM300 MOSFET (金属 o化物) 1.4W 16-Soic 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 2,500 3n和3p 通道(3相桥) 30V 3a 90MOHM @ 3A,10V 3V @ 250µA 25nc @ 10V 360pf @ 10V 逻辑级别门
CAB530M12BM3 Wolfspeed, Inc. CAB530M12BM3 945.9100
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Wolfspeed,Inc。 - 托盘 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 模块 CAB530 (SIC) - 模块 下载 Rohs不合规 不适用 Ear99 8541.29.0095 1 2 n通道 1200V(1.2kV) 530a 3.55MOHM @ 530a,15v 3.6V @ 140mA 1362NC @ 4V 39600pf @ 800V -
FDS9933 Fairchild Semiconductor FDS9933 0.3600
RFQ
ECAD 20 0.00000000 Fairchild半导体 PowerTrench® 大部分 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) FDS99 MOSFET (金属 o化物) 900MW 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.21.0095 2,500 2(p 通道(双) 20V 5a 55mohm @ 3.2A,4.5V 1.2V @ 250µA 20NC @ 4.5V 825pf @ 10V 逻辑级别门
FS70KM-06#B00 Renesas Electronics America Inc FS70km-06 #B00 4.4900
RFQ
ECAD 115 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 大部分 积极的 FS70公里 - - 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 1 -
FDM2509NZ Fairchild Semiconductor FDM2509NZ 0.3700
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Fairchild半导体 PowerTrench® 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6-udfn暴露垫 FDM2509 MOSFET (金属 o化物) 800MW Microfet 2x2薄 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道(双) 20V 8.7a 18mohm @ 8.7a,4.5V 1.5V @ 250µA 17nc @ 4.5V 1200pf @ 10V 逻辑级别门
NVJD5121NT1G-M06 onsemi NVJD5121NT1G-M06 0.3900
RFQ
ECAD 6448 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 NVJD5121 MOSFET (金属 o化物) 250MW(TA) SC-88/SC70-6/SOT-363 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道(双) 60V 295ma(ta) 1.6ohm @ 500mA,10v 2.5V @ 250µA 0.9NC @ 4.5V 26pf @ 20V -
VEC2415-TL-E onsemi VEC2415-TL-E -
RFQ
ECAD 1713年 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 8-SMD,平坦的铅 VEC2415 MOSFET (金属 o化物) 1W SOT-28FL/VEC8 - (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道(双) 60V 3a 80MOHM @ 1.5A,10V 2.6V @ 1mA 10NC @ 10V 505pf @ 20V 逻辑级别门
SI3948DV Fairchild Semiconductor SI3948DV -
RFQ
ECAD 3735 0.00000000 Fairchild半导体 PowerTrench® 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-23-6薄,TSOT-23-6 SI3948 MOSFET (金属 o化物) 700MW(TA) SuperSot™-6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道(双) 30V 2.5a(ta) 145MOHM @ 2A,4.5V 3V @ 250µA 3.2nc @ 5V 220pf @ 15V 逻辑级别门
BSS84AKS,115 Nexperia USA Inc. BSS84AKS,115 0.4500
RFQ
ECAD 72 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车,AEC-Q101,Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 BSS84 MOSFET (金属 o化物) 445MW 6-TSSOP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2(p 通道(双) 50V 160mA 7.5OHM @ 100mA,10V 2.1V @ 250µA 0.35nc @ 5V 36pf @ 25V 逻辑级别门
RFD20N03SM9AR4770 Fairchild Semiconductor RFD20N03SM9AR4770 0.8500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Fairchild半导体 * 大部分 积极的 RFD20 - - 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 1 -
CAS480M12HM3 Wolfspeed, Inc. CAS480M12HM3 2.0000
RFQ
ECAD 6957 0.00000000 Wolfspeed,Inc。 - 盒子 积极的 -40°C〜175°C(TJ) 底盘安装 模块 CAS480 (SIC) - 模块 下载 不适用 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道(半桥) 1200V(1.2kV) 640a(TC) 2.97mohm @ 480a,15v 3.6V @ 160mA 1590nc @ 15V 43100pf @ 800V -
NTLTD7900ZR2 onsemi NTLTD7900ZR2 0.2100
RFQ
ECAD 37 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 NTLTD79 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000
DMP2101UCP9-7 Diodes Incorporated DMP2101UCP9-7 0.2639
RFQ
ECAD 3921 0.00000000 二极管合并 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 9-XFBGA,DSBGA DMP2101 MOSFET (金属 o化物) 970MW(TA) X2-DSN1515-9(B型) - 31-DMP2101UCP9-7 Ear99 8541.29.0095 3,000 2(p 通道(双) 20V 2.5a(ta) 100mohm @ 1A,4.5V 900mv @ 250µA 3.2nc @ 4.5V 392pf @ 10V 标准
SIS9446DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS9446DN-T1-GE3 1.2800
RFQ
ECAD 50 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 PowerPak®1212-8 MOSFET (金属 o化物) 2.6W(23w),23W(tc) PowerPak®1212-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n通道 40V 11.3a(TA),34A (TC) 1.2MOHM @ 10A,10V 2.3V @ 250µA 16NC @ 10V 720pf @ 20V 标准
EFC3C001NUZTCG onsemi EFC3C001NUZTCG -
RFQ
ECAD 8068 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 4-XFBGA,WLCSP EFC3C001 MOSFET (金属 o化物) 1.6W 4-WLCSP(1.26x1.26) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 2156-EFC3C001NUZTCG-488 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道(双)公共排水 - - - 1.3V @ 1mA 15nc @ 4.5V - 逻辑水平门,2.5V
SI4830CDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4830CDY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 5772 0.00000000 Vishay Siliconix Littlefoot® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SI4830 MOSFET (金属 o化物) 2.9W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道(半桥) 30V 8a 20mohm @ 8a,10v 3V @ 1mA 25nc @ 10V 950pf @ 15V 逻辑级别门
SI1553DL-T1-E3 Vishay Siliconix SI1553DL-T1-E3 -
RFQ
ECAD 4161 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 SI1553 MOSFET (金属 o化物) 270MW SC-70-6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 20V 660mA,410mA 385MOHM @ 660mA,4.5V 600mv @ 250µA(250µA)) 1.2nc @ 4.5V - 逻辑级别门
DMP4047SSDQ-13 Diodes Incorporated DMP4047SSDQ-13 0.8300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 二极管合并 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) DMP4047 MOSFET (金属 o化物) 1.3W(TA) 8-so - (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2(p 通道(双) 40V 5.1a(ta) 45MOHM @ 4.4A,10V 3V @ 250µA 21.5nc @ 10V 1154pf @ 20V -
DMN31D5UDAQ-7B Diodes Incorporated DMN31D5UDAQ-7B 0.0357
RFQ
ECAD 1162 0.00000000 二极管合并 汽车,AEC-Q101 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6-SMD,没有铅 DMN31 MOSFET (金属 o化物) 370MW(TA) X2-DFN0806-6 下载 31-DMN31D5UDAQ-7B Ear99 8541.21.0095 10,000 2 n通道 30V 400mA(TA) 1.5OHM @ 100mA,4.5V 1V @ 250µA 0.38NC @ 4.5V 22.6pf @ 15V 标准
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库