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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MSCSM70VR1M07CT6AG | 502.0100 | ![]() | 1297 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | MSCSM70 | (SIC) | 966W(TC) | - | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 150-MSCSM70VR1M07CT6AG | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道(相腿) | 700V | 349A(TC) | 6.4MOHM @ 120A,20V | 2.4V @ 12mA | 645nc @ 20V | 13500pf @ 700V | - | |
![]() | UT6KE5TCR | 0.6800 | ![]() | 3681 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 6-Powerudfn | UT6KE5 | MOSFET (金属 o化物) | 2W(TA) | HUML2020L8 | - | (1 (无限) | 3,000 | 2 n通道 | 100V | 2A(TA) | 207MOHM @ 2A,10V | 2.5V @ 1mA | 2.8NC @ 10V | 90pf @ 50V | 标准 | ||||||
![]() | HIP2060ase | 1.8300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | * | 大部分 | 积极的 | HIP2060 | - | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | ||||||||||||||
![]() | CPH5616-TL-E | 0.4400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Sanyo | * | 大部分 | 积极的 | CPH5616 | - | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 0000.00.0000 | 1 | - | |||||||||||||||
![]() | NVMJD012N06CLTWG | 0.7134 | ![]() | 4638 | 0.00000000 | Onmi | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | SOT-12205,8-LFPAK56 | NVMJD012 | MOSFET (金属 o化物) | 3.2W(ta),42W((((((((() | 8-lfpak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 488-NVMJD012N06CLTWGTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 60V | 11.5A(TA),42A (TC) | 11.9mohm @ 25a,10v | 2.2V @ 30µA | 11.5NC @ 10V | 792pf @ 25V | - | |
![]() | FDS6900AS-G | - | ![]() | 6955 | 0.00000000 | Onmi | PoterTrench®,SyncFet™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | FDS69 | MOSFET (金属 o化物) | 900MW(TA) | 8-SOIC | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道(双) | 30V | 6.9a,8.2a | 27mohm @ 6.9a,10v | 3V @ 250µA,3V @ 1mA | 15nc @ 10V | 600pf @ 15V | 逻辑级别门 | |||
![]() | BSM450D12P4G102 | 1.0000 | ![]() | 6512 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 盒子 | 积极的 | 175°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | BSM450 | (SIC) | 1.45kW(TC) | 模块 | 下载 | (1 (无限) | 846-BSM450D12P4G102 | 4 | 2 n通道 | 1200V | 447a(TC) | - | 4.8V @ 218.4mA | - | 44000pf @ 10V | 标准 | |||||
![]() | NVMFD5853NT1G | - | ![]() | 5776 | 0.00000000 | Onmi | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | NVMFD5853 | MOSFET (金属 o化物) | 3.1W | 8-dfn(5x6)(SO8FL偶) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,500 | 2 n 通道(双) | 40V | 12a | 10mohm @ 15a,10v | 4V @ 250µA | 24NC @ 10V | 1225pf @ 25V | 逻辑级别门 | ||
![]() | AO6804 | - | ![]() | 5780 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-74,SOT-457 | AO680 | MOSFET (金属 o化物) | 800MW | 6-TSOP | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双)公共排水 | 20V | 4a | 32MOHM @ 5A,4.5V | 1.2V @ 250µA | 7.7nc @ 4.5V | 725pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||
IRF7756GTRPBF | - | ![]() | 3304 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) | IRF775 | MOSFET (金属 o化物) | 1W | 8-tssop | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | 2(p 通道(双) | 12V | 4.3a | 40mohm @ 4.3a,4.5V | 900mv @ 250µA | 18NC @ 4.5V | 1400pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||||
![]() | BSL316CL6327 | 1.0000 | ![]() | 4405 | 0.00000000 | Infineon技术 | Optimos™ | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6薄,TSOT-23-6 | BSL316 | MOSFET (金属 o化物) | 500MW | PG-TSOP6-6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | n和p通道 | 30V | 1.4a,1.5a | 160MOHM @ 1.4A,10V | 2V @ 3.7µA | 0.6NC @ 5V | 94pf @ 15V | 逻辑级别门 | ||
![]() | NDM3000 | 1.6000 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 16-Soic(0.154英寸,宽度为3.90mm) | NDM300 | MOSFET (金属 o化物) | 1.4W | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 3n和3p 通道(3相桥) | 30V | 3a | 90MOHM @ 3A,10V | 3V @ 250µA | 25nc @ 10V | 360pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||||
![]() | CAB530M12BM3 | 945.9100 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Wolfspeed,Inc。 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | CAB530 | (SIC) | - | 模块 | 下载 | Rohs不合规 | 不适用 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n通道 | 1200V(1.2kV) | 530a | 3.55MOHM @ 530a,15v | 3.6V @ 140mA | 1362NC @ 4V | 39600pf @ 800V | - | |||
![]() | FDS9933 | 0.3600 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | PowerTrench® | 大部分 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | FDS99 | MOSFET (金属 o化物) | 900MW | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 2(p 通道(双) | 20V | 5a | 55mohm @ 3.2A,4.5V | 1.2V @ 250µA | 20NC @ 4.5V | 825pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||||
![]() | FS70km-06 #B00 | 4.4900 | ![]() | 115 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | FS70公里 | - | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | ||||||||||||||
![]() | FDM2509NZ | 0.3700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | PowerTrench® | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-udfn暴露垫 | FDM2509 | MOSFET (金属 o化物) | 800MW | Microfet 2x2薄 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 20V | 8.7a | 18mohm @ 8.7a,4.5V | 1.5V @ 250µA | 17nc @ 4.5V | 1200pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||||
![]() | NVJD5121NT1G-M06 | 0.3900 | ![]() | 6448 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | NVJD5121 | MOSFET (金属 o化物) | 250MW(TA) | SC-88/SC70-6/SOT-363 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 60V | 295ma(ta) | 1.6ohm @ 500mA,10v | 2.5V @ 250µA | 0.9NC @ 4.5V | 26pf @ 20V | - | ||
VEC2415-TL-E | - | ![]() | 1713年 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-SMD,平坦的铅 | VEC2415 | MOSFET (金属 o化物) | 1W | SOT-28FL/VEC8 | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 60V | 3a | 80MOHM @ 1.5A,10V | 2.6V @ 1mA | 10NC @ 10V | 505pf @ 20V | 逻辑级别门 | ||||
![]() | SI3948DV | - | ![]() | 3735 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | PowerTrench® | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6薄,TSOT-23-6 | SI3948 | MOSFET (金属 o化物) | 700MW(TA) | SuperSot™-6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 30V | 2.5a(ta) | 145MOHM @ 2A,4.5V | 3V @ 250µA | 3.2nc @ 5V | 220pf @ 15V | 逻辑级别门 | ||
![]() | BSS84AKS,115 | 0.4500 | ![]() | 72 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 汽车,AEC-Q101,Trenchmos™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | BSS84 | MOSFET (金属 o化物) | 445MW | 6-TSSOP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2(p 通道(双) | 50V | 160mA | 7.5OHM @ 100mA,10V | 2.1V @ 250µA | 0.35nc @ 5V | 36pf @ 25V | 逻辑级别门 | ||
![]() | RFD20N03SM9AR4770 | 0.8500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | * | 大部分 | 积极的 | RFD20 | - | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | ||||||||||||||
![]() | CAS480M12HM3 | 2.0000 | ![]() | 6957 | 0.00000000 | Wolfspeed,Inc。 | - | 盒子 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | CAS480 | (SIC) | - | 模块 | 下载 | 不适用 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道(半桥) | 1200V(1.2kV) | 640a(TC) | 2.97mohm @ 480a,15v | 3.6V @ 160mA | 1590nc @ 15V | 43100pf @ 800V | - | ||||
![]() | NTLTD7900ZR2 | 0.2100 | ![]() | 37 | 0.00000000 | Onmi | - | 大部分 | 过时的 | NTLTD79 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | ||||||||||||||||
![]() | DMP2101UCP9-7 | 0.2639 | ![]() | 3921 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 9-XFBGA,DSBGA | DMP2101 | MOSFET (金属 o化物) | 970MW(TA) | X2-DSN1515-9(B型) | - | 31-DMP2101UCP9-7 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2(p 通道(双) | 20V | 2.5a(ta) | 100mohm @ 1A,4.5V | 900mv @ 250µA | 3.2nc @ 4.5V | 392pf @ 10V | 标准 | ||||
![]() | SIS9446DN-T1-GE3 | 1.2800 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | PowerPak®1212-8 | MOSFET (金属 o化物) | 2.6W(23w),23W(tc) | PowerPak®1212-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n通道 | 40V | 11.3a(TA),34A (TC) | 1.2MOHM @ 10A,10V | 2.3V @ 250µA | 16NC @ 10V | 720pf @ 20V | 标准 | ||||
![]() | EFC3C001NUZTCG | - | ![]() | 8068 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 4-XFBGA,WLCSP | EFC3C001 | MOSFET (金属 o化物) | 1.6W | 4-WLCSP(1.26x1.26) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-EFC3C001NUZTCG-488 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 n 通道(双)公共排水 | - | - | - | 1.3V @ 1mA | 15nc @ 4.5V | - | 逻辑水平门,2.5V | |
![]() | SI4830CDY-T1-E3 | - | ![]() | 5772 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Littlefoot® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SI4830 | MOSFET (金属 o化物) | 2.9W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道(半桥) | 30V | 8a | 20mohm @ 8a,10v | 3V @ 1mA | 25nc @ 10V | 950pf @ 15V | 逻辑级别门 | |||
![]() | SI1553DL-T1-E3 | - | ![]() | 4161 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | SI1553 | MOSFET (金属 o化物) | 270MW | SC-70-6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n和p通道 | 20V | 660mA,410mA | 385MOHM @ 660mA,4.5V | 600mv @ 250µA(250µA)) | 1.2nc @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | ||
![]() | DMP4047SSDQ-13 | 0.8300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 二极管合并 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | DMP4047 | MOSFET (金属 o化物) | 1.3W(TA) | 8-so | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2(p 通道(双) | 40V | 5.1a(ta) | 45MOHM @ 4.4A,10V | 3V @ 250µA | 21.5nc @ 10V | 1154pf @ 20V | - | |||
![]() | DMN31D5UDAQ-7B | 0.0357 | ![]() | 1162 | 0.00000000 | 二极管合并 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-SMD,没有铅 | DMN31 | MOSFET (金属 o化物) | 370MW(TA) | X2-DFN0806-6 | 下载 | 31-DMN31D5UDAQ-7B | Ear99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 2 n通道 | 30V | 400mA(TA) | 1.5OHM @ 100mA,4.5V | 1V @ 250µA | 0.38NC @ 4.5V | 22.6pf @ 15V | 标准 |
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