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FET，MOSFET（6056）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet
DMG6302UDW-13	0.0490	RFQ	8002	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	DMG6302	MOSFET （金属 o化物）	310MW（TA）	SOT-363	下载			到达不受影响	31-DMG6302UDW-13TR	Ear99	8541.21.0095	10,000	2（p 通道（双）	25V	150mA（ta）	10ohm @ 140mA，4.5V	1.5V @ 250µA	0.34NC @ 4.5V	30.7pf @ 10V	-
SQ1539EH-T1_GE3	0.7600	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-70-6双重	SQ1539	MOSFET （金属 o化物）	1.5W	POWERPAK®SC-70-6双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道	30V	850mA（TC）	280MOHM @ 1A，10V，940MOHM @ 500mA，10V	2.6V @ 250µA	1.4NC @ 4.5V，1.6NC @ 4.5V	48pf @ 15V，50pf @ 15V	-
MSCSM170AM058CD3AG	1.0000	RFQ	6340	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	MSCSM170	（SIC）	1.642kW（TC）	-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCSM170AM058CD3AG	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（相腿）	1700V（（1.7kV）	353A（TC）	7.5MOHM @ 180a，20v	3.3V @ 15mA	1068nc @ 20V	19800pf @ 1000V	-
IRF7380QTRPBF	-	RFQ	8285	Infineon技术	-	（CT）	过时的		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF7380	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2 n 通道（双）	80V	3.6a	73mohm @ 2.2a，10v	4V @ 250µA	23nc @ 10V	660pf @ 25V	逻辑级别门
SI7844DP-T1-GE3	-	RFQ	6195	Vishay Siliconix	-	（CT）	过时的		表面安装	POWERPAK®SO-8	SI7844	MOSFET （金属 o化物）	1.4W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）	30V	6.4a	22mohm @ 10a，10v	2.4V @ 250µA	20NC @ 10V	-	逻辑级别门
G130N06S2	0.9200	RFQ	4	戈福德半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）	2.6W（TC）	8-sop	下载	Rohs符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0000	4,000	2 n通道	60V	9A（TC）	13mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	67nc @ 10V	3021pf @ 30V	标准
DF11MR12W1M1PB11BPSA1	-	RFQ	3849	Infineon技术	EasyPack™	托盘	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	DF11MR12	（SIC）	20mw	Ag-Easy1b-2	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	30	2 n 通道（双）	1200V（1.2kV）	50a（TJ）	22.5mohm @ 50a，15v	5.55V @ 20mA	124nc @ 15V	3680pf @ 800V	-
FDD8424H-F085A	-	RFQ	8930	Fairchild半导体	PowerTrench®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-5，DPAK（ + 4 +选项卡，TO-252AD	FDD8424	MOSFET （金属 o化物）	1.3W	TO-252-4	下载	不适用				Ear99	8541.29.0095	50	n和p通道	40V	9a，6.5a	24mohm @ 9a，10v	3V @ 250µA	20NC @ 10V	1000pf @ 20V	逻辑级别门
DMNH6042SSD-13	0.3830	RFQ	7164	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	DMNH6042	MOSFET （金属 o化物）	2.1W	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）	60V	16.7A（TC）	50MOHM @ 5.1A，10V	3V @ 250µA	4.2nc @ 4.5V	584pf @ 25V	-
ECH8697R-TL-W	0.6200	RFQ	4	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	ECH8697	MOSFET （金属 o化物）	1.5W	SOT-28FL/ECH8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）公共排水	24V	10a	11.6mohm @ 5A，4.5V	-	6NC @ 4.5V	-	逻辑水平门，2.5V
SP8K1FU6TB	-	RFQ	4626	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SP8K1	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）	30V	5a	51MOHM @ 5A，10V	2.5V @ 1mA	5.5nc @ 5V	230pf @ 10V	逻辑级别门
ECH8664R-TL-H	-	RFQ	8583	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	ECH8664	MOSFET （金属 o化物）	1.4W	8-ech	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）	30V	7a	23.5MOHM @ 3.5A，4.5V	-	10NC @ 4.5V	-	逻辑级别门
SI6544BDQ-T1-GE3	-	RFQ	9899	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6544	MOSFET （金属 o化物）	830MW	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道	30V	3.7a，3.8a	43MOHM @ 3.8A，10V	3V @ 250µA	15nc @ 10V	-	逻辑级别门
IRF7341GTRPBF	2.2500	RFQ	20	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF734	MOSFET （金属 o化物）	2.4W	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2 n 通道（双）	55V	5.1a	50MOHM @ 5.1A，10V	1V @ 250µA（250µA）	44NC @ 10V	780pf @ 25V	-
MCH6635-TL-E	0.0700	RFQ	84	Sanyo	*	大部分	积极的				MCH6635	-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	5,000								-
CAB011A12GM3T	252.2300	RFQ	4220	Wolfspeed，Inc。	-	盒子	积极的				CAB011				-		不适用		1697-CAB011A12GM3T			18
FDC6320C	0.2200	RFQ	275	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	FDC6320	MOSFET （金属 o化物）	700MW	SuperSot™-6	下载					Ear99	8542.39.0001	1	n和p通道	25V	220mA，120mA	4ohm @ 400mA，4.5V	1.5V @ 250µA	0.4NC @ 4.5V	9.5pf @ 10V	逻辑级别门
SI4948BEY-T1-GE3	1.3200	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4948	MOSFET （金属 o化物）	1.4W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）	60V	2.4a	120MOHM @ 3.1A，10V	3V @ 250µA	22nc @ 10V	-	逻辑级别门
mmftn620kd-aq	-	RFQ	5614	diotec半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457		MOSFET （金属 o化物）	500MW	SOT-26	下载	不适用	不适用	供应商不确定	2796-MMFTN620KD-AQTR		8541.21.0000	1	2 n通道	60V	350mA	1.5OHM @ 500mA，10V	1.5V @ 250µA	1.3nc @ 10V	35pf @ 25V	逻辑级别门
DMN3016LDV-7	0.6300	RFQ	2274	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	DMN3016	MOSFET （金属 o化物）		PowerDI3333-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	2 n 通道（双）		21a（TC）	12mohm @ 7a，10v	2V @ 250µA	9.5NC @ 4.5V	1184pf @ 15V	-
QS8K11TCR	0.9200	RFQ	4	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	QS8K11	-	1.5W	TSMT8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）	30V	3.5a	50mohm @ 3.5A，10V	2.5V @ 1mA	3.3nc @ 5V	180pf @ 10V	-
FDSS2407-SB82086P	-	RFQ	5064	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				FDSS24	-			-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-FDSS2407-SB82086PTR			2,500								-
FDMS3669S	0.8500	RFQ	1	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS3669	MOSFET （金属 o化物）	1W（ta），2.2W（2.2W（tc），1W（1W（ta），2.5W（ta（TC）（TC）	8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	352	2 n 通道（双）	30V	（13a）（24a t tc）（18a ta），60a tc（60a tc）（TC）	10mohm @ 13a，10v，5mohm @ 18a，10v	2.7V @ 250µA，2.5V @ 1mA	24nc @ 10v，34nc @ 10V	1605pf @ 15V，2060pf @ 15V	逻辑级别门
SI1922EDH-T1-BE3	0.4100	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1922	MOSFET （金属 o化物）	（740MW）（TA），1.25W（tc）	SC-70-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）	20V	1.3A（1.3A），1.3A（TC）	198mohm @ 1A，4.5V	1V @ 250µA	2.5nc @ 8v	-	-
CAB006A12GM3T	368.4100	RFQ	7753	Wolfspeed，Inc。	-	盒子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	CAB006	（SIC）	10MW	模块	下载		不适用		1697-CAB006A12GM3T			18	2 n 通道（半桥）	1200V	200a（200a tj）	6.9mohm @ 200a，15v	3.6V @ 69mA	708nc @ 15V	20400pf @ 800V	（SIC）
HUFA76404DK8T	-	RFQ	7068	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	HUFA76404	MOSFET （金属 o化物）	2.5W	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）	62V	3.6a	110MOHM @ 3.6A，10V	3V @ 250µA	4.9nc @ 5V	250pf @ 25V	逻辑级别门
FDMS9600S	2.4900	RFQ	2	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	FDMS9600	MOSFET （金属 o化物）	1W	8-MLP（5x6），Power56	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）	30V	12a，16a	8.5mohm @ 12a，10v	3V @ 250µA	13nc @ 4.5V	1705pf @ 15V	逻辑级别门
PMDPB28UN，115	-	RFQ	4161	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	PMDPB	MOSFET （金属 o化物）	510MW	6-Huson（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）	20V	4.6a	37MOHM @ 4.6A，4.5V	1V @ 250µA	4.7nc @ 4.5V	265pf @ 10V	逻辑级别门
SQ4532AEY-T1_GE3	0.8800	RFQ	1	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ4532	MOSFET （金属 o化物）	3.3W	8-SOIC	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道	30V	7.3A（TC），5.3a tc）	31mohm @ 4.9a，10v，70Mohm @ 3.5a，10v	2.5V @ 250µA	7.8NC @ 10V，10.2NC @ 10V	535pf @ 15V，528pf @ 15V	-
SSM6L16FETE85LF	0.3800	RFQ	29	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TA）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SSM6L16	MOSFET （金属 o化物）	150MW	ES6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	4,000	n和p通道	20V	100mA	3ohm @ 10mA，4V	1.1V @ 100µA	-	9.3pf @ 3V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

FET，MOSFET（6056）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²