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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
MCCD2005-TP Micro Commercial Co MCCD2005-TP -
RFQ
 ECAD 2804 0.00000000 微商业公司 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-WFDFN暴露垫 MCCD2005 MOSFET （金属 o化物） - DFN2030-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双）公共排水 20V 8a 13mohm @ 8a，10v 1V @ 250µA 17.9nc @ 4.5V 1800pf @ 10V -
FDS9926A onsemi FDS9926A 0.7300
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） FDS9926 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 2 n 通道（双） 20V 6.5a 30mohm @ 6.5a，4.5V 1.5V @ 250µA 9NC @ 4.5V 650pf @ 10V 逻辑级别门
PJX8805_R1_00001 Panjit International Inc. PJX8805_R1_00001 0.1185
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 ECAD 8661 0.00000000 Panjit International Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 PJX8805 MOSFET （金属 o化物） 300MW（TA） SOT-563 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 3757-PJX8805_R1_00001TR Ear99 8541.21.0095 4,000 2（p 通道（双） 30V 500mA（ta） 390MOHM @ 500mA，4.5V 1.3V @ 250µA 1.6NC @ 4.5V 137pf @ 15V -
APTM60A11FT1G Microchip Technology APTM60A11FT1G 66.5200
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 ECAD 2985 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP1 APTM60 MOSFET （金属 o化物） 390W SP1 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（半桥） 600V 40a 132MOHM @ 33A，10V 5V @ 2.5mA 330NC @ 10V 10552pf @ 25V -
FW216A-TL-2WX onsemi FW216A-TL-2WX -
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 ECAD 3177 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 - - - FW216 - - - - 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 - - - - - - - -
CMLDM7002AJ TR PBFREE Central Semiconductor Corp cmldm7002aj t​​ r pbfree 0.8700
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 ECAD 6 0.00000000 中央半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -65°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 CMLDM7002 MOSFET （金属 o化物） 350MW SOT-563 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V 280mA 2ohm @ 500mA，10v 2.5V @ 250µA 0.59NC @ 4.5V 50pf @ 25V -
SI4913DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4913DY-T1-GE3 -
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 ECAD 3943 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4913 MOSFET （金属 o化物） 1.1W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2（p 通道（双） 20V 7.1a 15mohm @ 9.4a，4.5V 1V @ 500µA 65nc @ 4.5V - 逻辑级别门
VQ2001P Vishay Siliconix VQ2001P -
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 ECAD 5621 0.00000000 Vishay Siliconix - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） - VQ2001 MOSFET （金属 o化物） 2W - 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 4个p通道 30V 600mA 2ohm @ 1a，12v 4.5V @ 1mA - 150pf @ 15V -
SSM6L36TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L36TU，LF 0.3800
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 ECAD 14 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-SMD，平坦的铅 SSM6L36 MOSFET （金属 o化物） 500MW（TA） UF6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 20V 500mA（ta），330mA（ta） 630mohm @ 200ma，5v，1.31Ohm @ 100mA，4.5V 1V @ 1mA 1.23nc @ 4V，1.2NC @ 4V 46pf @ 10V，43pf @ 10V 逻辑级别门，1.5V
ZXMC3A16DN8QTA Diodes Incorporated ZXMC3A16DN8QTA 1.1233
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 ECAD 5272 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） ZXMC3 MOSFET （金属 o化物） 1.25W（TA） 8-so - 到达不受影响 31-ZXMC3A16DN8QTATR Ear99 8541.29.0095 500 n和p通道互补 30V 6.4a（ta），5.4a（5.4a）（ta） 35MOHM @ 9A，10V，48MOHM @ 4.2A，10V 1V @ 250µA 17.5nc @ 10v，24.9nc @ 10v 796pf @ 25V，970pf @ 15V -
HUFA76413DK8T-F085 onsemi HUFA76413DK8T-F085 -
RFQ
 ECAD 2442 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101，Ultrafet™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） HUFA76413 MOSFET （金属 o化物） 2.5W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V 5.1a 49mohm @ 5.1A，10V 3V @ 250µA 23nc @ 10V 620pf @ 25V 逻辑级别门
SI4906DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4906DY-T1-E3 -
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 ECAD 9113 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4906 MOSFET （金属 o化物） 3.1W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 40V 6.6a 39mohm @ 5a，10v 2.2V @ 250µA 22nc @ 10V 625pf @ 20V -
PMDXB950UPEZ Nexperia USA Inc. PMDXB950UPEZ 0.3700
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 ECAD 46 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-xfdfn暴露垫 PMDXB950 MOSFET （金属 o化物） 265MW DFN1010B-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 5,000 2（p 通道（双） 20V 500mA 1.4OHM @ 500mA，4.5V 950mv @ 250µA 2.1nc @ 4.5V 43pf @ 10V 逻辑级别门
SI1917EDH-T1-E3 Vishay Siliconix SI1917EDH-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 9386 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SI1917 MOSFET （金属 o化物） 570MW SC-70-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 12V 1a 370MOHM @ 1A，4.5V 450mv @ 100µA（100µA）） 2NC @ 4.5V - 逻辑级别门
ZXMC4A16DN8TC Diodes Incorporated ZXMC4A16DN8TC -
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 ECAD 1244 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） ZXMC4A16 MOSFET （金属 o化物） 2.1W 8-so 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道互补 40V 5.2A（ta），4.7a ta（4.7a） 50mohm @ 4.5a，10v，60mohm @ 3.8a，10v 1V @ 250mA （最小） 17NC @ 10V 770pf @ 40V，1000pf @ 20V 逻辑级别门
TSM5055DCR Taiwan Semiconductor Corporation TSM5055DCR 1.1755
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 ECAD 1419 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN TSM5055 MOSFET （金属 o化物） 2.2W（TA），30W tc），2.4W ta（69W（ta）（TC） 8-pdfn（5x6） 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 1801-TSM5055DCRTR Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双） 30V （10a（ta），38a tc（38a tc），20a（ta（107a ta）（107a tc） 11.7MOHM @ 10a，10v，3.6MOHM @ 20A，10V 2.5V @ 250µA 9.3nc @ 10v，49nc @ 10v 555pf @ 15V，2550pf @ 15V -
SI9933BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI9933BDY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 3154 0.00000000 Vishay Siliconix - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI9933 MOSFET （金属 o化物） 1.1W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2（p 通道（双） 20V 3.6a 60mohm @ 4.7A，4.5V 1.4V @ 250µA 9NC @ 4.5V - 逻辑级别门
DMC2450UV-13 Diodes Incorporated DMC2450UV-13 0.0863
RFQ
 ECAD 2777 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 DMC2450 MOSFET （金属 o化物） 450MW SOT-563 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 DMC2450UV-13DI Ear99 8541.21.0095 10,000 n和p通道 20V 1.03a，700mA 480MOHM @ 200MA，5V 900mv @ 250µA 0.5NC @ 4.5V 37.1pf @ 10V -
CCB021M12FM3T Wolfspeed, Inc. CCB021M12FM3T 241.9900
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 ECAD 5 0.00000000 Wolfspeed，Inc。 - 盒子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 CCB021 （SIC） 10MW 模块 下载 不适用 1697-CCB021M12FM3T 18 6 n通道（3相桥） 1200V 51A（TJ） 27.9mohm @ 30a，15v 3.6V @ 17.7mA 162nc @ 15V 4900pf @ 800V （SIC）
DMN62D4LDW-7 Diodes Incorporated DMN62D4LDW-7 0.0600
RFQ
 ECAD 6493 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 DMN62 MOSFET （金属 o化物） 330MW（TA） SOT-363 下载 到达不受影响 31-DMN62D4LDW-7TR Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V 261ma（ta） 3ohm @ 200ma，10v 2V @ 250µA 1.04NC @ 10V 41pf @ 30V -
MCH3360-TL-E Sanyo MCH3360-TL-E 1.0000
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 ECAD 3173 0.00000000 Sanyo * 大部分 积极的 MCH3360 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 3,000 -
NTJD4001NT2G onsemi NTJD4001NT2G -
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 ECAD 8400 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 NTJD4001 MOSFET （金属 o化物） 272MW SC-88/SC70-6/SOT-363 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 250mA 1.5OHM @ 10mA，4V 1.5V @ 100µA 1.3nc @ 5V 33pf @ 5V -
BUK7K29-100E/1X Nexperia USA Inc. BUK7K29-100E/1X -
RFQ
 ECAD 6636 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车，AEC-Q101 大部分 上次购买 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 SOT-12205，8-LFPAK56 BUK7K29 68W（TA） LFPAK56D - 1727-BUK7K29-100E/1X Ear99 8541.29.0095 1 100V 29.5A（TA） 24.5mohm @ 10a，10v 4V @ 1mA 38.1NC @ 10V 2436pf @ 25V 标准
EFC4C012NLTDG onsemi EFC4C012NLTDG 2.5200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，没有铅 EFC4C012 MOSFET （金属 o化物） 2.5W（TA） 6-WLCSP（3.5x1.9） 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双）公共排水 - - - 2.2V @ 1mA 18NC @ 4.5V - -
FDMA3028N Fairchild Semiconductor FDMA3028N 1.0000
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 ECAD 1705年 0.00000000 Fairchild半导体 PowerTrench® 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-vdfn裸露的垫子 FDMA3028 MOSFET （金属 o化物） 700MW 6-microfet（2x2） 下载 Ear99 8542.39.0001 1 2 n 通道（双） 30V 3.8a 68mohm @ 3.8A，4.5V 1.5V @ 250µA 5.2nc @ 5V 375pf @ 15V 逻辑级别门
JAN2N7334 Microsemi Corporation JAN2N7334 -
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 ECAD 7192 0.00000000 Microsemi Corporation 军事，MIL-PRF-19500/597 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 14 浸（0.300英寸，7.62mm） 2N733 MOSFET （金属 o化物） 1.4W MO-036AB 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 4 n通道 100V 1a 700MOHM @ 600mA，10V 4V @ 250µA 60nc @ 10V - -
SI4567DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4567DY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 8437 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4567 MOSFET （金属 o化物） 2.75W，2.95W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 40V 5a，4.4a 60mohm @ 4.1A，10V 2.2V @ 250µA 12nc @ 10V 355pf @ 20V -
FDMD8260LET60 Fairchild Semiconductor FDMD8260LET60 3.1200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Fairchild半导体 PowerTrench® 大部分 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 12-Powerwdfn FDMD8260 MOSFET （金属 o化物） 1.1W 12-Power3.3x5 下载 Ear99 8542.39.0001 1 2 n 通道（双） 60V 15a 5.8mohm @ 15a，10v 3V @ 250µA 68nc @ 10V 5245pf @ 30V -
MPIC2112P onsemi MPIC2112P 0.6000
RFQ
 ECAD 126 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 MPIC2112 - 下载 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 1 -
AON6912A Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6912A 0.4234
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 ECAD 5066 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn AON6912 MOSFET （金属 o化物） 1.9W，2.1W 8-DFN（5x6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（半桥） 30V 10a，13.8a 13.7mohm @ 10a，10v 2.5V @ 250µA 17NC @ 10V 910pf @ 15V 逻辑级别门
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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