射频场效应管、MOSFET(4585)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	噪声系数	电压 - 测试
MRF6S27085HR5	-	询价	5305	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	68V	安装结构	SOT-957A	MRF6	2.66GHz	LDMOS	NI-780H-2L	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50		-	900毫安	20W	15.5分贝	-	28V
MMRF1004GNR1	24.8182	询价	2878	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极	68V	表面贴装	TO-270BA	MMRF1004	2.17GHz	LDMOS	TO-270-2海鸥	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	935320363528	EAR99	8541.29.0075	500		-	130毫安	10W	15.5分贝	-	28V
BLF4G20LS-110B,112	-	询价	3899	恩智浦	-	托盘	过时的	65V	安装结构	SOT-502B	BLF4	1.93GHz～1.99GHz	LDMOS	SOT502B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	60		12A	650毫安	100W	13.4分贝	-	28V
MRF8P9300HSR5	-	询价	2627	恩智浦	-	卷带式 (TR)	SIC停产	70V	安装结构	NI-1230S	MRF8	960兆赫	LDMOS	NI-1230S	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	935310166178	EAR99	8541.29.0075	50	双重的	-	2.4A	100W	19.4分贝	-	28V
MRF8S18210WHSR5	-	询价	8771	恩智浦	-	卷带式 (TR)	SIC停产	65V	表面贴装	NI-880XS	MRF8	1.93GHz	场效应管	NI-880XS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	935314716178	EAR99	8541.29.0095	50	N沟道	-	1.3A	50W	17.8分贝	-	30V
BLF2324M8LS200PJ	144.3600	询价	1668	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	65V	表面贴装	SOT-539B	BLF2324	2.3GHz～2.4GHz	LDMOS	SOT539B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	934068579118	EAR99	8541.29.0075	100	双重、共同来源	-	1.74A	60W	17.2分贝	-	28V
MRF6S27050HSR5	-	询价	8775	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	68V	安装结构	NI-780S	MRF6	2.62GHz	LDMOS	NI-780S	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	50		-	500毫安	7W	16分贝	-	28V
DE475-102N21A	-	询价	3029	IXYS-RF	德	管子	过时的	1000伏		6-SMD，写入裸露焊盘	DE475	-	场效应管	DE475	下载		1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.29.0095	20	N沟道	24A		1800W	-	-
MRF372R5	-	询价	3144	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	68V	安装结构	NI-860C3	MRF37	857MHz～863MHz	LDMOS	NI-860C3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	50		17A	800毫安	180W	17分贝	-	32V
BLF7G27LS-90P,112	70.2800	询价	16	恩智浦	-	管子	的积极	65V		SOT-1121B	BLF7G27	2.5GHz～2.7GHz	LDMOS	LDMOST	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	0000.00.0000	1	双重、共同来源	18A	720毫安	16W	18.5分贝	-	28V
BLM8G0710S-15PBY	43.9200	询价	1	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	SIC停产	65V	表面贴装	SOT-1211-3	BLM8	957.5兆赫	LDMOS	16-HSOPF	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.33.0001	100	双重的	-	15毫安	1.5W	36.1分贝	-	28V
BLF202,115	-	询价	3598	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	40V	表面贴装	SOT-409A	BLF202	175兆赫	场效应管	8-CSMD	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	500	N沟道	1A	20毫安	2W	13分贝	-	12.5V
BLC8G27LS-160AVHY	-	询价	4014	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	28V	安装结构	SOT-1275-1		2.5GHz～2.69GHz	LDMOS	东风六号	-		1（无限制）	REACH 不出行	934960002518	过时的	0000.00.0000	100		-	第490章	31.6W	14.5分贝	-	28V
BLC9G15LS-400AVTZ	-	询价	1548	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	65V	安装结构	SOT-1258-3	BLC9	1452MHz～1511MHz	LDMOS	东风六号	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20	双重、共同来源	-	第810章	540W	16.5分贝	-	32V
MCH3406-P-TL-E	0.0500	询价	18	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	3,000
MRF6V4300NR5	-	询价	9285	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	110V	表面贴装	TO-270AB	MRF6	450兆赫	LDMOS	TO-270 WB-4	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	935310007578	EAR99	8541.29.0075	50		-	900毫安	300W	22分贝	-	50V
A5G35S008N-3400	105.4700	询价	8662	恩智浦	-	大部分	的积极	125V	表面贴装	6-LDFN 裸露焊盘		3.3GHz～3.8GHz	-	6-PDFN (4x4.5)	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1	-	-	24毫安	27分贝	18.6分贝	-	48V
PTFB212503EL-V1-R250	-	询价	2339	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	H-33288-6		2.17GHz	LDMOS	H-33288-6	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	250		-	1.85安	55W	18.1分贝	-	30V
ARF465AG	61.8200	询价	30	微芯片	-	大部分	的积极	1200伏		TO-247-3	ARF465	40.68兆赫	场效应管	TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1	N沟道	6A		150W	15分贝	-	300伏
VRF141	70.0400	询价	1004	微芯片	-	盒子	的积极	80V		M174	VRF141	30兆赫兹	场效应管	M174	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1	N沟道	20A	250毫安	150W	20分贝	-	28V
CGHV40320D-GP4	290.9560	询价	20	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	的积极	150伏		死	CGHV40320	4GHz	HEMT	死	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			宣传册3A001B3	8541.29.0075	10		-	500毫安	320W	19分贝	-	50V
MRFG35010AR1	-	询价	3633	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	15V	安装结构	NI-360HF	MRFG35	3.55GHz	pHEMT场效应管	NI-360HF	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	500		-	140毫安	1W	10分贝	-	12V
50C02SP-AC	0.1500	询价	12	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	1
CG2H80030D-GP4	93.5950	询价	80	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	的积极	84V		死	CG2H80030	8GHz	HEMT	死	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0075	10		-	200毫安	30W	16.5分贝	-	28V
MRF8S18120HSR5	-	询价	2568	恩智浦	-	卷带式 (TR)	SIC停产	65V	安装结构	NI-780S	MRF8	1.81GHz	LDMOS	NI-780S	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	935310108178	5A991G	8541.29.0075	50		-	800毫安	72W	18.2分贝	-	28V
PTAB182002FC-V1-R250	96.5903	询价	9739	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极				PTAB182002				下载	符合RoHS标准	3（168小时）			EAR99	8541.29.0095	250
BF1211,215	-	询价	2570	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	6V	表面贴装	TO-253-4、TO-253AA	BF121	400兆赫	场效应管	SOT-143B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	N 沟道双感应	30毫安	15毫安	-	29分贝	0.9分贝	5V
CGH09120F	266.5500	询价	225	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	的积极	84V		440095	CGH09120	2.5GHz	HEMT	440095	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0075	50		-	1.2A	120W	21.5分贝	-	28V
MRFG35010	-	询价	4489	恩智浦	-	管子	过时的	15V	安装结构	NI-360HF	MRFG35	3.55GHz	pHEMT场效应管	NI-360HF	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	20		-	130毫安	9W	10分贝	-	12V
BLP10H6120PY	-	询价	6694	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	110V		SOT-1223-2	BLP10	1GHz	LDMOS	4-HSOPF	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	934960006518	EAR99	8541.29.0075	100		1.4微安	80毫安	120W	18分贝	-	50V

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

射频场效应管、MOSFET(4585)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²