射频场效应管、MOSFET(4585)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	噪声系数	电压 - 测试
C4H2350N10Z	20.1600	询价	第478章	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	50V	表面贴装	6-VDFN 裸露焊盘		2.3GHz～5GHz	-	6-DFN (4.5x4)	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000	-	-		-	19分贝	-
BLF8G22L-160BV,118	-	询价	6769	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极		安装结构	SOT-1120B	BLF8G22	-	-	CDFM6	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	100	-	-		-	-	-
2SK544E-AC	0.0700	询价	19号	onsemi	*	大部分	的积极								下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	1
AFT21S232SR5	-	询价	6854	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	NI-780S	AF21	2.11GHz	LDMOS	NI-780S	-	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		5A991G	8541.29.0095	50		-	1.5A	50W	16.7分贝	-	28V
2N5952_D74Z	-	询价	8888	onsemi	-	胶带和盒子 (TB)	过时的	30V	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	2N5952	1kHz	结型场效应晶体管	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,000	N沟道	8毫安		-	-	2分贝	15V
BLC9G20XS-160AVZ	-	询价	8162	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	65V	安装结构	SOT-1275-3	BLC9	1.81GHz～1.88GHz	LDMOS	SOT-1275-3	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20	双重、共同来源	-	300毫安	200W	16.6分贝	-	30V
MRFE6S9135HSR3	94.6700	询价	16	飞思卡尔半导体	-	大部分	的积极	66伏	表面贴装	NI-880S		1GHz	LDMOS	NI-880S	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0075	1		10微安	1A	39W	21分贝	-	28V
MHT1001HR5	-	询价	5861	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	68V	安装结构	SOT-979A	MHT1001	2.39GHz	LDMOS	NI-1230-4H	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	935325901178	EAR99	8541.29.0075	50	双重的	-	1.9安	40W	14分贝	-	28V
PTFB191501EV1R250XTMA1	-	询价	4823	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	表面贴装	2 纸张封装，鳍片底部	PTFB191501	1.99GHz	LDMOS	H-36248-2	下载		1（无限制）	REACH 不出行		5A991G	8541.21.0095	250		-	1.2A	150W	18分贝	-	30V
AFT26P100-4WGSR3	-	询价	7289	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的				AF26				-	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	935323496128	EAR99	8541.29.0075	250
PTFA181001E V4 T500	-	询价	2416	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	表面贴装	2 纸张封装，鳍片底部		1.805GHz～1.88GHz	LDMOS	H-36248-2	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		-	750毫安	45W	16.5分贝	-	28V
MRF8S26060HR3	-	询价	9534	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	NI-400-240	MRF8	2.69GHz	LDMOS	NI-400-240	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	935314195118	5A991G	8541.29.0075	250		-	450毫安	15.5W	16.3分贝	-	28V
AFT18HW355SR5,178	1.0000	询价	2872	恩智浦	*	大部分	的积极								下载						0000.00.0000	1
BF998,215	-	询价	7114	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	12V	表面贴装	TO-253-4、TO-253AA	BF998	200兆赫	场效应管	SOT-143B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	N 沟道双感应	30毫安	10毫安	-	-	0.6分贝	8V
WS1A3940-V1-R3K	26.9391	询价	4341	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	125V	表面贴装	20-TFLGA 裸露焊盘	WS1A3940	3.7GHz～3.98GHz	-	20-LGA (6x6)	-				1697-WS1A3940-V1-R3KTR			3,000	-	-	45毫安	10W	11.7分贝	-	48V
CGH40035F	197.6500	询价	3502	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	的积极	84V		440193	CGH40	0Hz～4GHz	HEMT	440193	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		CGH40035FE	EAR99	8541.29.0075	120		10.5A	500毫安	45W	14分贝	-	28V
BLM9D3336-14AMZ	24.1800	询价	第855章	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	65V	表面贴装	20-VLGA裸焊盘	BLM9	3.3GHz～3.65GHz	LDMOS	20-LGA (7x7)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		1.4微安	38毫安	14W	32.4分贝	-	28V
BLF7G22LS-130,112	-	询价	7432	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	65V	安装结构	SOT-502B	BLF7G22	2.11GHz～2.17GHz	LDMOS	SOT502B	下载		1（无限制）	REACH 不出行		5A991G	8541.29.0075	20		28A	950毫安	30W	18.5分贝	-	28V
PXAE263708NB-V1-R0	62.0868	询价	9702	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	65V	表面贴装	PG-HB2SOF-8-1	PXAE263708	2.62GHz～2.69GHz	LDMOS	PG-HB2SOF-8-1	-				1697-PXAE263708NB-V1-R0TR	EAR99	8541.29.0075	50		10微安	850毫安	57W	14分贝	-	28V
ATF-541M4-TR2	-	询价	9545	博通有限公司	-	卷带式 (TR)	过时的	5V		0505（1412公制）	ATF-541M4	2GHz	pHEMT场效应管	迷你包 1412	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	10,000		120毫安	60毫安	21.4分贝	17.5分贝	0.5分贝	3V
MRF8S18260HSR5	-	询价	5901	恩智浦	-	管子	SIC停产	65V	安装结构	SOT-1110B	MRF8	1.81GHz	LDMOS	NI1230S-8	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		5A991G	8541.29.0075	50	双重的	-	1.6安	74W	17.9分贝	-	30V
A2T18S262W12NR3	-	询价	3406	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	OM-880X-2L2L	A2T18	1.805GHz～1.88GHz	LDMOS	OM-880X-2L2L	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	250		10微安	1.6安	231W	19.3分贝	-	28V
BLF7G27LS-140,112	-	询价	2553	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	65V	安装结构	SOT-502B	BLF7G27	2.5GHz～2.7GHz	LDMOS	SOT502B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20		28A	1.3A	30W	16.5分贝	-	28V
MRF7S15100HSR3	-	询价	5839	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	NI-780S	MRF7	1.51GHz	LDMOS	NI-780S	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	935317045128	EAR99	8541.29.0075	250		-	600毫安	23W	19.5分贝	-	28V
A3T21H360W23SR6	76.3629	询价	5582	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极	65V	安装结构	ACP-1230S-4L2S	A3T21	2.11GHz～2.2GHz	LDMOS	ACP-1230S-4L2S	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	935354511128	EAR99	8541.29.0075	150	双重的	10微安	600毫安	328W	16.4分贝	-	28V
BLF8G20LS-140VJ	-	询价	4433	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	SOT-1244B		1.81GHz～1.88GHz	LDMOS	CDFM6	下载		1（无限制）	REACH 不出行	934068306118	EAR99	8541.29.0095	100		-	900毫安	35W	18.5分贝	-	28V
CE3514M4-C2	0.8200	询价	53	西尔	-	卷带式 (TR)	的积极	4V		4-SMD，写入	CE3514	12GHz	pHEMT场效应管	4-超迷你模具	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	15,000		68毫安	15毫安	125毫W	12.2分贝	0.62分贝	2V
GTVA126001EC-V1-R0	845.6000	询价	30	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	卷带式 (TR)	的积极	125V	安装结构	H-36248-2	GTVA126001	1.2GHz～1.4GHz	HEMT	H-36248-2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0075	50		-	100毫安	600W	20分贝	-	50V
BLP05H635XRY	-	询价	4680	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	135V	表面贴装	SOT-1223-2	BLP05	108兆赫	LDMOS	4-HSOPF	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	100	双重、共同来源	-	10毫安	35W	27分贝	-	50V
MMBF4416LT1G	-	询价	7963	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	30V	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	MMBF44	-	结型场效应晶体管	SOT-23-3 (TO-236)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0070	3,000	N沟道	15毫安		-	-	-

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

射频场效应管、MOSFET(4585)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²