射频场效应管、MOSFET(4585)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	噪声系数	电压 - 测试
ST9060C	76.8980	询价	1686	意法半导体	-	盒子	的积极	94V	安装结构	M243	ST9060	1.5GHz	LDMOS	M243	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50		12A		80W	17.3分贝	-
2SK3487-TD-E	0.2100	询价	4	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1,000
MCH3402-TL-E	0.1600	询价	54	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	3,000
2SK2406-TL-E	0.5300	询价	23	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	700
A2T21S260-12SR3	-	询价	5725	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	NI-780-2S2L	A2T21	2.17GHz	LDMOS	NI-780-2S2L	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	935320716128	EAR99	8541.29.0075	250		-	1.2A	65W	18.7分贝	-	28V
BLC10G22XS-600AVTY	101.2350	询价	3381	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	65V	表面贴装	SOT-1258-4	BLC10	2.11GHz～2.17GHz	LDMOS	SOT1258-4	-	符合ROHS3标准			1603-BLC10G22XS-600AVTYTR			100	2 N 沟道（双）公共源	2.8微安	2A	600W	15分贝	-	32V
PTFB201402FC-V1-R0	-	询价	8385	沃尔夫斯皮德公司	-	托盘	过时的	65V	表面贴装	H-37248-4		2.01GHz～2.025GHz	LDMOS	H-37248-4	-				1697-PTFB201402FC-V1-R0	EAR99	8541.29.0075	50	双重、共同来源	10微安	650毫安	140W	16分贝	-	28V
2SK3412-TL-E	0.4300	询价	198	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	700
2SK1470-TD-E	0.3100	询价	10	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1,000
BLA0912-250R	-	询价	8377	Ampleon美国公司	-	大部分	的积极	75V	安装结构	SOT-502A		960MHz～1.215GHz	LDMOS	SOT502A	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	0000.00.0000	1		1微安	150毫安	250W	13分贝	-	36V
BLC9G22LS-120VTY	-	询价	9971	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	表面贴装	SOT-1271-2	BLC9	2.11GHz～2.18GHz	LDMOS	SOT1271-2	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		过时的		100		2.8微安	700毫安	120W	18.1分贝	-	28V
PXAE213708NB-V1-R2	85.3006	询价	1835年	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	65V	表面贴装	PG-HB2SOF-8-1	PXAE213708	2.11GHz～2.18GHz	LDMOS	PG-HB2SOF-8-1	下载				1697-PXAE213708NB-V1-R2TR	EAR99	8541.29.0075	250		10微安	750毫安	54W	16分贝	-	29伏
BLF7G27LS-90P,112	70.2800	询价	16	恩智浦	-	管子	的积极	65V		SOT-1121B	BLF7G27	2.5GHz～2.7GHz	LDMOS	LDMOST	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	0000.00.0000	1	双重、共同来源	18A	720毫安	16W	18.5分贝	-	28V
BLF7G10LS-250	-	询价	3834	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	SOT-502B		869MHz～960MHz	LDMOS	SOT502B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行				100		5微安	1.8安	250W	19.5分贝	-	30V
FTD2017A-TL-E	-	询价	3521	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	3,000
BLF7G24LS-140	-	询价	1619	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	65V	安装结构	SOT-502B		2.3GHz～2.4GHz	LDMOS	SOT502B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		过时的		20		5微安	1.3A	140W	18.5分贝	-	28V
MRFG35002N6T1	11.0600	询价	2	飞思卡尔半导体	-	大部分	的积极	8V		PLD-1.5	MRFG35	3.55GHz	pHEMT场效应管	PLD-1.5	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	0000.00.0000	1,000		-	65毫安	1.5W	10分贝	-	6V
BLC8G27LS-140AV518-AMP	1.0000	询价	2	Ampleon美国公司	BLC	大部分	的积极	65V	安装结构	SOT-1275-1		2.496GHz～2.69GHz	LDMOS	SOT-1275-1	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0075	100	双重、共同来源	1.4微安	320毫安	140W	14.5分贝	-	28V
GTRB226002FC-V1-R0	154.4796	询价	3406	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	48V	表面贴装	H-37248C-4	GTRB226002	2.11GHz～2.2GHz	HEMT	H-37248C-4	-				1697-GTRB226002FC-V1-R0TR			50	-	-		450W	15分贝	-
A2I20H060GNR1	30.9400	询价	500	恩智浦半导体	-	大部分	的积极	65V	表面贴装	TO-270WBG-15		1.8GHz～2.2GHz	LDMOS（双）	TO-270WBG-15	-				2156-A2I20H060GNR1			10	2 N 沟道	-	24毫安	12W	32.4分贝	-	28V
BLF6G27LS-40P,112	75.6200	询价	40	恩智浦	-	大部分	的积极	65V	表面贴装	SOT-1121B		2.5GHz～2.7GHz	LDMOS	LDMOST	下载					EAR99	8541.29.0075	4	双重、共同来源	-	450毫安	12W	17.5分贝	-	28V
EC4301C-TL	0.0600	询价	350	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	10,000
GTRB424908FC/1-V1-R0	210.0922	询价	2807	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	48V	表面贴装	H-37248KC-6/2	GTRB424908	3.7GHz～4GHz	HEMT	H-37248KC-6/2	-				1697-GTRB424908FC/1-V1-R0TR			50	-	-		450W	12分贝	-
CGH35015F	94.9500	询价	31	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	过时的	84V	表面贴装	440196	CGH35015	3.3GHz～3.9GHz	HEMT	440196	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0075	50		-	100毫安	15W	12分贝	-	28V
CLF1G0035-200P	1.0000	询价	1919年	罗彻斯特电子有限责任公司	*	大部分	的积极								下载		供应商未定义	REACH 不出行	2156-CLF1G0035-200P-2156	EAR99	8541.29.0095	1
BLS7G3135LS-350P,1	858.0300	询价	20	Ampleon美国公司	-	大部分	SIC停产	65V	表面贴装	SOT-539B	BLS7G3135	3.5GHz	LDMOS	SOT539B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		宣传册3A001B3	8541.29.0075	20	双重、共同来源	-	200毫安	320W	10分贝	-	32V
MHT1801A	1.1400	询价	9	恩智浦	*	大部分	不适合新设计								-	不适用	供应商未定义	可根据要求提供REACH信息	2832-MHT1801A	EAR99		1
MW7IC930NR1	59.9800	询价	2	恩智浦半导体	-	大部分	过时的	65V	表面贴装	TO-270-16 变体，薄牛皮		920MHz～960MHz	LDMOS（双）	TO-270WB-16	-				2156-MW7IC930NR1	EAR99	8542.33.0001	6	2 N 沟道	10微安	第285章	3.2W	35.9分贝	-	28V
PTFB183404E-V1-R250	-	询价	3835	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	H-36275-8		1.88GHz	LDMOS	H-36275-8	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	250		-	2.6安	80W	17分贝	-	30V
MMRF1304LR5	-	询价	6321	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	133伏	安装结构	NI-360	MMRF1	512兆赫	LDMOS	NI-360	-	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	935311475178	EAR99	8541.29.0075	50		-	10毫安	25W	25.9分贝	-	50V

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

射频场效应管、MOSFET(4585)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²