射频场效应管、MOSFET(4585)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	噪声系数	电压 - 测试
MMRF5016HSR5	-	询价	7750	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	48V	表面贴装	NI-400S-2S	MMRF5	1.8GHz～2.2GHz	HEMT	NI-400S-2S	-		1（无限制）	REACH 不出行	935331343528	过时的	0000.00.0000	250		-		32W	-	-
BLF147,112	-	询价	6000	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	65V	安装结构	SOT-121B		108兆赫	场效应管	CRFM4	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20	N沟道	25A	1A	150W	14分贝	-	28V
BF862,215	-	询价	5036	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	20V	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BF862	-	结型场效应晶体管	SOT-23 (TO-236AB)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	N沟道	25毫安		-	-	-
MRF8S18260HR5	-	询价	6992	恩智浦	-	管子	过时的	65V	安装结构	SOT-1110A	MRF8	1.81GHz	LDMOS	NI1230-8	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		5A991G	8541.29.0075	50	双重的	-	1.6安	74W	17.9分贝	-	30V
B10G3741N55DZ	32.9100	询价	802	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	65V	表面贴装	20-QFN 裸露焊盘		3.7GHz～4.1GHz	LDMOS	20-PQFN (8x8)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	500	-	1.4微安		47.6分贝	34.8分贝	-
BLA6G1011L-200RG,1	300.7900	询价	20	Ampleon美国公司	-	大部分	SIC停产	65V	安装结构	SOT-502D	BLA6G1011	1.03GHz～1.09GHz	LDMOS	LDMOST	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20		49A	100毫安	200W	20分贝	-	28V
GTVA355001EC-V1-R0	734.1100	询价	48	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	卷带式 (TR)	的积极	125V	安装结构	H-36248-2		2.9GHz～3.5GHz	HEMT	H-36248-2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			宣传册3A001B3	8541.29.0075	50		-	200毫安	500W	13.5分贝	-	50V
MRF7S18125AHR3	-	询价	1906年	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	SOT-957A	MRF7	1.88GHz	LDMOS	NI-780H-2L	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	250		-	1.1安	125W	17分贝	-	28V
MRF8S18120HSR3	-	询价	7139	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	NI-780S	MRF8	1.81GHz	LDMOS	NI-780S	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		5A991G	8541.29.0075	250		-	800毫安	72W	18.2分贝	-	28V
LET16045C	-	询价	6304	意法半导体	-	盒子	过时的	80V		M243	LET16045	1.6GHz	LDMOS	M243	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	25		9A	400毫安	45W	16分贝	-	28V
BLF8G10LS-160V,112	66.3900	询价	5	恩智浦	-	管子	的积极	65V	法兰安装	SOT-502B	BLF8	920MHz～960MHz	LDMOS	SOT502B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	0000.00.0000	1			1.1安	35W	19.7分贝	-	30V
CGH60030D-GP4	89.0266	询价	9959	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	不适合新设计	84V		死	CGH60030	6GHz	HEMT	死	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		CGH60030D	EAR99	8541.29.0075	10		-	250毫安	30W	15分贝	-	28V
MRF5S19100HSR5	-	询价	8688	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	NI-780S	MRF5	1.93GHz～1.99GHz	LDMOS	NI-780S	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		5A991G	8541.29.0075	50		-	1A	22W	13.9分贝	-	28V
ATF-35143-BLKG	-	询价	7928	博通有限公司	-	条	过时的	5.5V		SC-82A、SOT-343	ATF-35143	2GHz	pHEMT场效应管	SOT-343	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	100		80毫安	15毫安	10分贝	18分贝	0.4分贝	2V
TAV-551+	1.5875	询价	6982	迷你电路	-	卷带式 (TR)	的积极	5V	表面贴装	4-SMD，无铅		6GHz	pHEMT	FG873	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		3157-TAV-551+TR	EAR99	8542.33.0001	500		-	15毫安	20.1分贝	16.3分贝	1.7分贝	3V
BLF9G20LS-160VU	-	询价	5290	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	65V	安装结构	SOT-1120B	BLF9	1.81GHz～1.88GHz	LDMOS	LDMOST	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	20		-	800毫安	35.5W	19.8分贝	-	28V
MCH5818-TL-E	-	询价	2233	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	3,000
BLC10G22LS-241PVT	-	询价	第1741章	Ampleon美国公司	*	卷带式 (TR)	过时的				BLC10				-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		过时的		100
MRF6V2300NR1	-	询价	7766	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	110V	表面贴装	TO-270AB	MRF6	220兆赫	LDMOS	TO-270 WB-4	下载	不符合RoHS标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	500		-	900毫安	300W	25.5分贝	-	50V
ON5173,118	-	询价	1711	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	ON51	-	-	D2PAK	-	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行	934057198118	EAR99	8541.29.0095	800	-	-		-	-	-
MRF101AN	26.4000	询价	第836章	恩智浦	-	管子	的积极	133伏		TO-220-3	MRF101	1.8MHz～250MHz	LDMOS	TO-220-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50		10微安	100毫安	115W	21.1分贝	-	50V
PD85035S-E	23.9580	询价	2337	意法半导体	-	管子	的积极	40V		PowerSO-10 裸露底垫	PD85035	870兆赫	LDMOS	PowerSO-10RF（直读）	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	400		8A	350毫安	15W	17分贝	-	13.6V
PTFA080551E-V4-R0	54.9642	询价	5872	沃尔夫斯皮德公司	-	条	不适合新设计	65V	安装结构	H-36265-2	PTFA080551	869MHz～960MHz	LDMOS	H-36265-2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	50		10微安	450毫安	55W	18.5分贝	-	28V
MRFG35002N6AT1	-	询价	5235	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	8V	表面贴装	PLD-1.5	MRFG35	3.55GHz	pHEMT场效应管	PLD-1.5	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,000		-	65毫安	158毫W	10分贝	-	6V
STMFS4834NST	0.5300	询价	6	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1,500人
NE3210S01-T1B	-	询价	8946	西尔	-	卷带式 (TR)	过时的	4V		4-SMD		12GHz	第一个化镓异质结场效应管	贴片式	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	4,000		15毫安	10毫安	-	13.5分贝	0.35分贝	2V
BLS9G2934L-400U	-	询价	2722	Ampleon美国公司	-	托盘	SIC停产	65V		SOT-502A	BLS9	2.9GHz～3.4GHz	LDMOS	SOT502A	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20		4微安	400毫安	400W	12分贝	-	32V
SD2942W	163.3500	询价	82	意法半导体	-	管子	的积极	130伏		M244	SD2942	175兆赫	场效应管	M244	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	15	N沟道	40A	500毫安	350W	17分贝	-	50V
BLC9G20LS-150PVZ	-	询价	9006	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	65V	安装结构	SOT-1275-3	BLC9	-	LDMOS	SOT-1275-3	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20		-		150W	-	-	28V
SD56120M	-	询价	1415	意法半导体	-	管子	过时的	65V		M252	SD56120	860兆赫	LDMOS	M252	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	15		14A	400毫安	120W	16分贝	-	32V

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

射频场效应管、MOSFET(4585)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²