射频场效应管、MOSFET(4585)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	噪声系数	电压 - 测试
CG2H40025F	141.2700	询价	4663	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	的积极	120V	安装结构	440166	CG2H40025	6GHz	HEMT	440166	下载		不适用			EAR99	8541.29.0075	250		-	250毫安	-	15分贝	-	28V
MCH3309-TL-H	0.0800	询价	第333章	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	3,000
BF1202,215	-	询价	8189	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	10V	表面贴装	TO-253-4、TO-253AA	BF120	400兆赫	场效应晶体管	SOT-143B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	N 沟道双感应	30毫安	12毫安	-	30.5分贝	0.9分贝	5V
MPF102_D27Z	-	询价	1245	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	25V	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	强积金102	-	结型场效应晶体管	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,000	N沟道	20毫安		-	-	-
MRF9045NBR1	-	询价	1111	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V		TO-272-2	MRF90	945兆赫	LDMOS	TO-272-2	下载	不符合 RoHS 指令	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	500		-	350毫安	45W	19分贝	-	28V
MRF19030LR3	-	询价	1983年	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	NI-400	MRF19	1.96GHz	LDMOS	NI-400	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		5A991G	8542.31.0001	250		-	300毫安	30W	13分贝	-	26V
BLM7G22S-60PBG,118	-	询价	1128	恩智浦	*	卷带式 (TR)	的积极				BLM7				-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	934066083118	EAR99	8541.29.0075	100
PTFC210202FC-V1-R0	68.8500	询价	30	沃尔夫斯皮德公司	-	条	不适合新设计	65V	安装结构	H-37248-4	PTFC210202	2.2GHz	LDMOS	H-37248-4	下载	符合RoHS标准	3（168小时）			EAR99	8542.33.0001	50	双重的	-	170毫安	5W	21分贝	-	28V
MRF8S9260HR5	-	询价	8801	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	70V	安装结构	SOT-957A	MRF8	960兆赫	LDMOS	NI-880H-2L	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	935317145178	EAR99	8541.29.0075	50		-	1.7安	75W	18.6分贝	-	28V
PTFA092213ELV4R250XTMA2	-	询价	1987年	英飞凌科技	*	卷带式 (TR)	过时的								下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001128134	EAR99	8541.29.0075	250
PTF240101S V1	-	询价	7221	英飞凌科技	金茂®	卷带式 (TR)	过时的	65V	表面贴装	H-32259-2		2.68GHz	LDMOS	H-32259-2	下载		3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		1微安	180毫安	10W	16分贝	-	28V
MRFG35003N6T1	-	询价	2223	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	8V	表面贴装	PLD-1.5	MRFG35	3.55GHz	pHEMT场效应管	PLD-1.5	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,000		-	180毫安	3W	9分贝	-	6V
MRF7S19080HSR5	-	询价	6765	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	NI-780S	MRF7	1.99GHz	LDMOS	NI-780S	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50		-	750毫安	24W	18分贝	-	28V
BLD6G22LS-50,112	-	询价	9825	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	65V	表面贴装	SOT-1130B		2.14GHz	LDMOS	CDFM4	下载		1（无限制）	REACH 不出行	934063512112	EAR99	8541.29.0075	20	双重、共同来源	10.2A	170毫安	8W	14分贝	-	28V
PD57060TR-E	49.0050	询价	5504	意法半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	65V		PowerSO-10 裸露底垫	PD57060	945兆赫	LDMOS	10-PowerSO	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	600		7A	100毫安	60W	14.3分贝	-	28V
STAC3932F	117.9750	询价	3544	意法半导体	-	托盘	不适合新设计	250伏		STAC244F	STAC3932	123兆赫	场效应晶体管	STAC244F	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	497-12234	EAR99	8541.29.0095	20	N沟道	20A	250毫安	580W	24.6分贝	-	100伏
MRF5S19060MR1	-	询价	8626	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	表面贴装	TO-270AB	MRF5	1.93GHz～1.99GHz	LDMOS	TO-270 WB-4	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	500		-	750毫安	12W	14分贝	-	28V
MRF18030ALSR3	-	询价	3797	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	NI-400S	MRF18	1.81GHz～1.88GHz	LDMOS	NI-400S	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		5A991G	8542.31.0001	250		-	250毫安	30W	14分贝	-	26V
MRF6VP3091NR5	-	询价	5178	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	115V	安装结构	TO-272BB	MRF6	860兆赫	LDMOS	TO-272 WB-4	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	935314619578	EAR99	8541.29.0095	50	双重的	-	350毫安	18W	22分贝	-	50V
A3G20S350-01SR3	89.0908	询价	1303	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极	125V	表面贴装	NI-400S-2SA		2.11GHz～2.17GHz	N沟道	NI-400S-2SA	-	符合ROHS3标准		REACH 不出行	568-A3G20S350-01SR3TR	EAR99	8541.29.0095	250	N沟道	-	500毫安	59W	18.1分贝	-	48V
MRF7P20040HR5	-	询价	5714	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	NI-780-4	MRF7	2.03GHz	LDMOS	NI-780-4	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50	双重的	-	150毫安	10W	18.2分贝	-	32V
MRF5S19060MBR1	-	询价	4918	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	TO-272BB	MRF5	1.93GHz～1.99GHz	LDMOS	TO-272 WB-4	下载	不符合 RoHS 指令	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	500		-	750毫安	12W	14分贝	-	28V
BLP9H10S-850AVTY	77.3000	询价	57	Ampleon美国公司	BLP	卷带式 (TR)	的积极	105V		OMP-1230-6F-1	BLP9	617MHz～960MHz	LDMOS	OMP-1230-6F-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	100	双重、共同来源	2.8微安	1.4A	850W	17.8分贝	-	50V
PXAC261212FC-V1-R0	99.4876	询价	6756	沃尔夫斯皮德公司	-	条	的积极	65V	安装结构	H-37248-4	PXAC261212	2.69GHz	LDMOS	H-37248-4	下载	符合RoHS标准	3（168小时）			EAR99	8542.33.0001	50		-	280毫安	28W	15分贝	-	28V
CGHV40100F	323.5600	询价	55	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	的积极	125V		440193	CGHV40100	0Hz～3GHz	HEMT	440193	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	100		8.7A	600毫安	116W	11分贝	-	50V

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

射频场效应管、MOSFET(4585)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²