射频场效应管、MOSFET(4585)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	噪声系数	电压 - 测试
UPA574T-T1-A	1.0000	询价	3721	瑞萨电子美国公司	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	3,000
BLC9H10XS-60PZ	52.7000	询价	60	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	105V	表面贴装	SOT-1273-1	BLC9	400MHz～1GHz	LDMOS	SOT1273-1	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20		1.4微安	115毫安	102W	16.3分贝	-	50V
BF998,235	-	询价	3474	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	12V	表面贴装	TO-253-4、TO-253AA	BF998	200兆赫	场效应晶体管	SOT-143B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	934002640235	EAR99	8541.21.0095	10,000	N 沟道双感应	30毫安	10毫安	-	-	0.6分贝	8V
C4H10P600AY	96.1000	询价	56	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	150伏	表面贴装	OMP-780-4F-1		700MHz～1GHz	场效应晶体管	OMP-780-4F-1	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	100	2 N 沟道（双）公共源	-	第470章	600W	18.2分贝	-	50V
MRF6S19100MR1	-	询价	9469	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	68V		TO-270-4	MRF6	1.99GHz	LDMOS	TO-270 WB-4	下载	不符合RoHS标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	500		-	950毫安	22W	14.5分贝	-	28V
BLP15M9S70XY	16.9428	询价	9321	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	65V	表面贴装	TO-270AA	BLP15	2GHz	LDMOS	TO-270-2F-1	-	符合ROHS3标准			1603-BLP15M9S70XYTR			100	N沟道	1.4微安	400毫安	70W	17.8分贝	-	32V
MMRF1012NR1	-	询价	5258	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	120V	表面贴装	TO-270-2	MMRF1	220兆赫	LDMOS	TO-270-2	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	500		-	30毫安	10W	23.9分贝	-	50V
BLP8G10S-45PY	-	询价	9718	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	SIC停产	65V	表面贴装	SOT-1223-1	BLP8G10	952.5MHz～957.5MHz	LDMOS	4-HSOPF	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	100	双重、共同来源	-	第224章	2.5W	20.8分贝	-	28V
BLF8G09LS-400PGWQ	-	询价	7667	Ampleon美国公司	-	管子	过时的	65V	安装结构	SOT-1242C	BLF8	718.5MHz～725.5MHz	LDMOS	CDFM8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	15	双重、共同来源	-	3.4A	95W	20.6分贝	-	28V
MRFE6VP6300HSR5	124.2016	询价	9437	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极	130伏	表面贴装	NI-780S-4L	MRFE6	230兆赫	LDMOS	NI-780S-4L	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	935314385178	EAR99	8541.29.0075	50	双重的	-	100毫安	300W	26.5分贝	-	50V
2N5245_L99Z	-	询价	7938	onsemi	-	大部分	过时的	30V			2N5245	-	结型场效应晶体管	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,000	N沟道	15毫安		-	-	-
MRF373ALSR1	-	询价	9696	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	70V	安装结构	NI-360S	MRF37	860兆赫	LDMOS	NI-360S	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	500		-	200毫安	75W	18.2分贝	-	32V
PTVA030121EA-V1-R250	33.9926	询价	第1331章	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极				PTVA030121				下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	250
BF244C	-	询价	1213	中央半导体公司	*	大部分	过时的								-					过时的	0000.00.0000	2,500人
2N5951	-	询价	6829	onsemi	-	大部分	过时的	30V	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)	2N5951	1kHz	结型场效应晶体管	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,000	N沟道	13毫安		-	-	2分贝	15V
ATF-58143-TR2G	-	询价	5650	博通有限公司	-	卷带式 (TR)	过时的	5V		SC-82A、SOT-343	ATF-58143	2GHz	pHEMT场效应管	SOT-343	-		1（无限制）	REACH 不出行		5A991G	8541.21.0075	10,000		100毫安	30毫安	19分贝	16.5分贝	0.5分贝	3V
BLF6G20S-230PRN,11	-	询价	6188	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	65V	表面贴装	SOT-539B	BLF6G20	-	LDMOS	SOT539B	下载		1（无限制）	REACH 不出行	934064341112	EAR99	8541.29.0075	20		-	2A	65W	-	-	28V
CGH40120F	354.6900	询价	37	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	的积极	84V		440193	CGH40	0Hz～4GHz	HEMT	440193	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		CGH40120FE	EAR99	8541.29.0075	100		28A	1A	120W	19分贝	-	28V
MRFE6S9200HR3	-	询价	9474	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	66伏	安装结构	SOT-957A	MRFE6	880兆赫	LDMOS	NI-880H-2L	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	250		-	1.4A	58W	21分贝	-	28V
MCH6415-TL-E	0.2100	询价	9	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	3,000
MRF5S9101MBR1	-	询价	8320	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	68V	安装结构	TO-272BB	MRF5	960兆赫	LDMOS	TO-272 WB-4	下载	不符合RoHS标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	500		-	700毫安	100W	17.5分贝	-	26V
MRF6P18190HR6	184.1300	询价	第372章	飞思卡尔半导体	-	大部分	的积极	68V	安装结构	NI-1230		1.805GHz～1.88GHz	LDMOS	NI-1230	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	0000.00.0000	1		10微安	2A	44W	15.9分贝	-	28V
A3G22H400-04SR3	122.6564	询价	8801	恩智浦	*	卷带式 (TR)	的积极				A3G22				下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	250
MRF7S19210HSR3	-	询价	7253	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	NI-780S	MRF7	1.99GHz	LDMOS	NI-780S	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	250		-	1.4A	63W	20分贝	-	28V
BLF6G10LS-135R,112	-	询价	5420	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	65V	安装结构	SOT-502B	BLF6G10	871.5MHz～891.5MHz	LDMOS	SOT502B	-		1（无限制）	REACH 不出行		过时的	0000.00.0000	20		32A	950毫安	26.5W	21分贝	-	28V
BLF6G15LS-500H,112	-	询价	第1355章	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	100伏	表面贴装	SOT-539B	BLF6G15	1.45GHz～1.49GHz	LDMOS	SOT539B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	934065224112	EAR99	8541.29.0095	20	双重、共同来源	45A	1.3A	65W	16分贝	-	50V
BLF8G27LS-140,118	-	询价	6426	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	SOT-502B	BLF8	2.62GHz～2.69GHz	LDMOS	SOT502B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	100		-	1.3A	45W	17.4分贝	-	32V
BLF8G27LS-100U	-	询价	6029	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	65V	安装结构	SOT-502B	BLF8	2.5GHz～2.7GHz	LDMOS	SOT502B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20		-	900毫安	25W	17分贝	-	28V
RF3L05150CB4	166.2300	询价	123	意法半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	90V	安装结构	左臂BB		1GHz	LDMOS	左臂BB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	100		1微安	500毫安	150W	23分贝	-	28V
BLF8G27LS-100GVJ	-	询价	9100	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	SOT-1244C	BLF8	2.5GHz～2.7GHz	LDMOS	CDFM6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	100		-	900毫安	25W	17分贝	-	28V

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

射频场效应管、MOSFET(4585)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²