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RF FET，MOSFET（4585）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	噪音图	电压 -测试
MRF6S18140HR5	-	RFQ	9344	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v	底盘安装	SOT-957A	MRF6	1.88GHz	ldmos	NI-880H-2L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50		-	1.2 a	29W	16dB	-	28 V
blc9g20xs-400avtz	-	RFQ	3970	Ampleon USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v	表面安装	SOT-1258-4	BLC9	1.81GHZ〜1.88GHz	ldmos	SOT1258-4	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	20	双重，共同来源	-	800 MA	570W	16.2db	-	32 v
MAGX-000035-010000	-	RFQ	6033	MACOM技术解决方案	-	大部分	过时的	65 v		-		30MHz〜3.5GHz	hemt	-	下载		（1 （无限）	到达不受影响	1465-1075	Ear99	8541.29.0095	10		-	490 MA	40dBm	17.5db	-	50 V
Blf8G20LS-160VJ	-	RFQ	6805	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	SOT-1239B	BLF8	1.81GHZ〜1.88GHz	ldmos	CDFM6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934068536118	Ear99	8541.29.0075	100		-	800 MA	35.5W	20dB	-	28 V
BLF2324M8LS200PU	144.3600	RFQ	3130	Ampleon USA Inc.	-	托盘	不适合新设计	65 v	表面安装	SOT-539B	BLF2324	2.3GHz〜2.4GHz	ldmos	SOT539B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	20	双重，共同来源	-	1.74 a	60W	17.2db	-	28 V
AFV10700GSR5	569.2382	RFQ	8010	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	105 v	底盘安装	NI-780GS-4L	AFV10700	1.03GHz〜1.09GHz	ldmos	NI-780GS-4L	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935362013178	Ear99	8541.29.0075	50	双重的	10µA	100 ma	700W	19.2db	-	50 V
MRF18060BLSR3	65.3100	RFQ	224	自由度半导体	-	大部分	积极的	65 v	底盘安装	NI-780		1.93GHZ〜1.99GHz	MOSFET	NI-780	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1	n通道	6µA	500 MA	60W	13DB	-	26 V
MRF8P20100HSR5	-	RFQ	5508	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	65 v	表面安装	NI-780S-4L	MRF8	2.03GHz	ldmos	NI-780S-4L	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50	双重的	-	400 MA	20W	16dB	-	28 V
BF1202R，215	-	RFQ	7326	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	10 v		TO-253-4，TO-253AA	BF120	400MHz	MOSFET	SOT-143R	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道双门	30mA	12 ma	200MW	30.5db	0.9dB	5 v
FW261-TL-E	0.1100	RFQ	25	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	2,664
PTFB211501FV1R250XTMA1	-	RFQ	4350	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	表面安装	2-flatpack，鳍铅，法兰	PTFB211501	2.17GHz	ldmos	H-37248-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250		-	1.2 a	40W	18db	-	30 V
BF2030WE6814BTSA1	-	RFQ	9355	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	8 V	表面安装	SC-82A，SOT-343	BF2030	800MHz	MOSFET	PG-SOT343-3D	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	40mA	10 MA	-	23dB	1.5dB	5 v
NE5550279A-T1-A	-	RFQ	2078	cel	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	30 V		4-SMD，平坦的铅	NE5550	900MHz	ldmos	79a	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		600mA	40 MA	33DBM	22.5dB	-	7.5 v
MRF5S19100HSR5	-	RFQ	8688	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	NI-780	MRF5	1.93GHZ〜1.99GHz	ldmos	NI-780	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		5A991G	8541.29.0075	50		-	1 a	22W	13.9db	-	28 V
2SJ634-S-TL-E	0.7100	RFQ	7	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	700
GPI4TIC15DFV	9.3600	RFQ	211	GanPower	-	管子	积极的	900 v		8-WDFN暴露垫		-	MOSFET	8-DFN（8x8）	下载				4025-GPI4TIC15DFV			1	n通道	-	2.5 a	-	-	-	6.5 v
MRF6V122550HSR5	284.8516	RFQ	9126	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	100 v	底盘安装	NI-780	MRF6V12250	1.03GHz	ldmos	NI-780	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935317106178	Ear99	8541.29.0075	50		-	100 ma	275W	20.3db	-	50 V
MRF6S19200HSR3	-	RFQ	7164	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	66 v	底盘安装	NI-780	MRF6	1.93GHZ〜1.99GHz	ldmos	NI-780	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250		-	1.6 a	56W	17.9db	-	28 V
MRF5S21130HR5	-	RFQ	7804	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	SOT-957A	MRF5	2.11GHZ〜2.17GHz	ldmos	NI-880H-2L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		5A991G	8541.29.0075	50		-	1.2 a	28W	13.5dB	-	28 V
LET9150	-	RFQ	6742	Stmicroelectronics	-	盒子	过时的	80 V		M246	LET9150	860MHz	ldmos	M246	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20		20a	600 MA	150W	20dB	-	32 v
BF256AG	-	RFQ	7395	Onmi	-	大部分	过时的	30 V	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	BF256	800MHz	JFET	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000	n通道	7ma		-	11DB	-
CGH27030S-AMP1	765.5400	RFQ	2	Wolfspeed，Inc。	甘	大部分	积极的	120 v		12-VFDFN暴露垫		6GHz	hemt	12-DFN （4x3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8543.70.9810	1		-	200 ma	30W	21.1db	-	28 V
MRF8P9300H6	-	RFQ	1620年	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	70 v	底盘安装	NI-1230	MRF8	960MHz	ldmos	NI-1230	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935321416128	Ear99	8541.29.0075	150	双重的	-	2.4 a	100W	19.4dB	-	28 V
A2T27S007NT1	-	RFQ	7529	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	28 V	表面安装	16-vdfn暴露垫	A2T27	728MHz〜3.6GHz	ldmos	16-DFN （4x6）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000		-		28.8dbm	-	-
AFT26HW050GSR3	-	RFQ	8825	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	表面安装	NI-780GS-4L4L	AFT26	2.69GHz	ldmos	NI-780GS-4L4L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935323329128	5A991G	8541.29.0040	250	双重的	-	100 ma	9W	14.2db	-	28 V
MRF8S18210WHSR5	-	RFQ	8771	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	65 v	表面安装	NI-880X	MRF8	1.93GHz	MOSFET	NI-880X	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	935314716178	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	-	1.3 a	50W	17.8db	-	30 V
BLA0912-250R	-	RFQ	8377	Ampleon USA Inc.	-	大部分	积极的	75 v	底盘安装	SOT-502A		960MHz〜1.215GHz	ldmos	SOT502A	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1		1µA	150 ma	250W	13DB	-	36 V
MRF5S21130HSR5	-	RFQ	8762	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	表面安装	NI-880S	MRF5	2.11GHZ〜2.17GHz	ldmos	NI-880S	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		5A991G	8541.29.0075	50		-	1.2 a	28W	13.5dB	-	28 V
BLP05H6700XRY	-	RFQ	5730	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	135 v	表面安装	SOT-1138-2	BLP05	600MHz	ldmos	4-HSOPF	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	100		1.4µA	100 ma	700W	26dB	-	50 V
CLF1G0035-100P	202.5400	RFQ	9	NXP半导体	*	大部分	积极的								下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-CLF1G0035-100P-954			1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

RF FET，MOSFET（4585）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²