射频场效应管、MOSFET(4585)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	噪声系数	电压 - 测试
PD85035S-E	23.9580	询价	2337	意法半导体	-	管子	的积极	40V		PowerSO-10 裸露底垫	PD85035	870兆赫	LDMOS	PowerSO-10RF（直读）	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	400		8A	350毫安	15W	17分贝	-	13.6V
PTFA080551E-V4-R0	54.9642	询价	5872	沃尔夫斯皮德公司	-	条	不适合新设计	65V	安装结构	H-36265-2	PTFA080551	869MHz～960MHz	LDMOS	H-36265-2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	50		10微安	450毫安	55W	18.5分贝	-	28V
MRFG35002N6AT1	-	询价	5235	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	8V	表面贴装	PLD-1.5	MRFG35	3.55GHz	pHEMT场效应管	PLD-1.5	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,000		-	65毫安	158毫W	10分贝	-	6V
STMFS4834NST	0.5300	询价	6	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1,500人
NE3210S01-T1B	-	询价	8946	西尔	-	卷带式 (TR)	过时的	4V		4-SMD		12GHz	第一个化镓异质结场效应管	贴片式	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	4,000		15毫安	10毫安	-	13.5分贝	0.35分贝	2V
BLS9G2934L-400U	-	询价	2722	Ampleon美国公司	-	托盘	SIC停产	65V		SOT-502A	BLS9	2.9GHz～3.4GHz	LDMOS	SOT502A	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20		4微安	400毫安	400W	12分贝	-	32V
BLC9G20LS-150PVZ	-	询价	9006	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	65V	安装结构	SOT-1275-3	BLC9	-	LDMOS	SOT-1275-3	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20		-		150W	-	-	28V
SD56120M	-	询价	1415	意法半导体	-	管子	过时的	65V		M252	SD56120	860兆赫	LDMOS	M252	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	15		14A	400毫安	120W	16分贝	-	32V
ATF-501P8-黑色	-	询价	4335	博通有限公司	-	大部分	过时的	7V		8-WFDFN 裸露焊盘		2GHz	pHEMT	8-LPCC (2x2)	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	100		1A	280毫安	29分贝	15分贝	1分贝	4.5V
CGHV40050F	214.6000	询价	65	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	的积极	150伏		440193	CGHV40050	0Hz～4GHz	HEMT	440193	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0075	100		6.3A	300毫安	50W	12.5分贝	-	50V
BF2030WE6814BTSA1	-	询价	9355	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	8V	表面贴装	SC-82A、SOT-343	BF2030	800兆赫	场效应管	PG-SOT343-3D	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	N沟道	40毫安	10毫安	-	23分贝	1.5分贝	5V
MW7IC930GNR1	-	询价	3875	恩智浦半导体	-	大部分	过时的	65V	表面贴装	TO-270-16变体，鸥翼型		920MHz～960MHz	LDMOS（双）	TO-270 WBL-16 海鸥	-				2156-MW7IC930GNR1			1	2 N 沟道	10微安	第285章	3.2W	35.9分贝	-	28V
BF1108215	-	询价	6481	恩智浦	-	大部分	的积极	3V	表面贴装	TO-253-4、TO-253AA		-	场效应管	SOT-143B	-	不适用	3（168小时）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	1	N沟道	10毫安		-	-	-
MRF176GV	237.1000	询价	1	MACOM技术解决方案	-	托盘	的积极	125V		375-04	MRF176	225兆赫	场效应管	375-04，款式2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		1465-1171	EAR99	8541.29.0040	10	2 N 沟道（双）公共源	16A	100毫安	200W	17分贝	-	50V
MRFE6S9160HR3	-	询价	5968	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	66伏	安装结构	SOT-957A	MRFE6	880兆赫	LDMOS	NI-780H-2L	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	250		-	1.2A	35W	21分贝	-	28V
C4H2350N10Z	20.1600	询价	第478章	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	50V	表面贴装	6-VDFN 裸露焊盘		2.3GHz～5GHz	-	6-DFN (4.5x4)	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000	-	-		-	19分贝	-
BLF8G22L-160BV,118	-	询价	6769	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极		安装结构	SOT-1120B	BLF8G22	-	-	CDFM6	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	100	-	-		-	-	-
2SK544E-AC	0.0700	询价	19号	onsemi	*	大部分	的积极								下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	1
AFT21S232SR5	-	询价	6854	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	NI-780S	AF21	2.11GHz	LDMOS	NI-780S	-	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		5A991G	8541.29.0095	50		-	1.5A	50W	16.7分贝	-	28V
2N5952_D74Z	-	询价	8888	onsemi	-	胶带和盒子 (TB)	过时的	30V	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	2N5952	1kHz	结型场效应晶体管	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,000	N沟道	8毫安		-	-	2分贝	15V
BLC9G20XS-160AVZ	-	询价	8162	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	65V	安装结构	SOT-1275-3	BLC9	1.81GHz～1.88GHz	LDMOS	SOT-1275-3	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20	双重、共同来源	-	300毫安	200W	16.6分贝	-	30V
MRFE6S9135HSR3	94.6700	询价	16	飞思卡尔半导体	-	大部分	的积极	66伏	表面贴装	NI-880S		1GHz	LDMOS	NI-880S	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0075	1		10微安	1A	39W	21分贝	-	28V
MHT1001HR5	-	询价	5861	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	68V	安装结构	SOT-979A	MHT1001	2.39GHz	LDMOS	NI-1230-4H	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	935325901178	EAR99	8541.29.0075	50	双重的	-	1.9安	40W	14分贝	-	28V
GTVA261701FA-V1-R0	108.9952	询价	6293	沃尔夫斯皮德公司	*	卷带式 (TR)	的积极				GTVA261701				下载	符合RoHS标准	3（168小时）			EAR99	8541.29.0075	50
PTFB191501EV1R250XTMA1	-	询价	4823	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	表面贴装	2 纸张封装，鳍片底部	PTFB191501	1.99GHz	LDMOS	H-36248-2	下载		1（无限制）	REACH 不出行		5A991G	8541.21.0095	250		-	1.2A	150W	18分贝	-	30V
AFT26P100-4WGSR3	-	询价	7289	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的				AF26				-	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	935323496128	EAR99	8541.29.0075	250
PTFA181001E V4 T500	-	询价	2416	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	表面贴装	2 纸张封装，鳍片底部		1.805GHz～1.88GHz	LDMOS	H-36248-2	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		-	750毫安	45W	16.5分贝	-	28V
MRF8S26060HR3	-	询价	9534	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	NI-400-240	MRF8	2.69GHz	LDMOS	NI-400-240	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	935314195118	5A991G	8541.29.0075	250		-	450毫安	15.5W	16.3分贝	-	28V
AFT18HW355SR5,178	1.0000	询价	2872	恩智浦	*	大部分	的积极								下载						0000.00.0000	1
BF998,215	-	询价	7114	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	12V	表面贴装	TO-253-4、TO-253AA	BF998	200兆赫	场效应管	SOT-143B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	N 沟道双感应	30毫安	10毫安	-	-	0.6分贝	8V

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

射频场效应管、MOSFET(4585)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²