射频场效应管、MOSFET(4585)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	噪声系数	电压 - 测试
MRF5S19060MBR1	50.3500	询价	第393章	飞思卡尔半导体	-	大部分	的积极	65V		TO-272BB	MRF5	1.93GHz～1.99GHz	LDMOS	TO-272 WB-4	下载	不符合RoHS标准	3（168小时）	REACH旅行		EAR99	0000.00.0000	1		-	750毫安	12W	14分贝	-	28V
MRF8S18120HSR3	-	询价	7139	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	NI-780S	MRF8	1.81GHz	LDMOS	NI-780S	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		5A991G	8541.29.0075	250		-	800毫安	72W	18.2分贝	-	28V
MRFE6S9060GNR1	35.5106	询价	7979	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极	66伏	表面贴装	TO-270BB	MRFE6	880兆赫	LDMOS	TO-270 WB-4海鸥	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	935310336528	EAR99	8541.29.0075	500		-	450毫安	14W	21.1分贝	-	28V
BLC10G18XS-550AVTY	111.5400	询价	第1448章	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	65V	表面贴装	SOT-1258-4	BLC10	1.805GHz～1.88GHz	LDMOS	SOT1258-4	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	934960128518	EAR99	8541.29.0075	100	双重、共同来源	2.8微安	800毫安	550W	16分贝	-	28V
MRF6S19100HSR5	-	询价	1000	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	68V	安装结构	NI-780S	MRF6	1.99GHz	LDMOS	NI-780S	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50		-	900毫安	22W	16.1分贝	-	28V
MRF6S9045NBR1	-	询价	1294	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	68V	安装结构	TO-272BC	MRF6	880兆赫	LDMOS	TO-272-2	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	500		-	350毫安	10W	22.7分贝	-	28V
MRF9045LSR1	-	询价	4168	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	NI-360S	MRF90	945兆赫	LDMOS	NI-360S	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		5A991G	8541.21.0075	500		-	350毫安	45W	18.8分贝	-	28V
BLC2425M9XS250Z	-	询价	2539	Ampleon美国公司	BLC	托盘	过时的	32V	表面贴装	SOT-1270-1		2.4GHz～2.5GHz	-	SOT-1270-1	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		过时的	0000.00.0000	20	-	-			18分贝	-
PTFB090901FA-V2-R0	-	询价	9332	沃尔夫斯皮德公司	-	条	过时的	65V	表面贴装	H-37265-2		960兆赫	LDMOS	H-37265-2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8542.33.0001	50		-	650毫安	25W	19.5分贝	-	28V
MRF7S19170HSR5	-	询价	7511	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	表面贴装	NI-880S	MRF7	1.99GHz	LDMOS	NI-880S	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	50		-	1.4A	50W	17.2分贝	-	28V
BF245A	-	询价	9806	onsemi	-	大部分	过时的	30V	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	BF245	-	结型场效应晶体管	TO-92 (TO-226)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,000	N沟道	100毫安		-	-	-
CGHV40100P	323.5600	询价	43	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	的积极	125V		440206	CGHV40100	0Hz～4GHz	HEMT	440206	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	100		8.7A	600毫安	116W	11分贝	-	50V
UPA571T-T1-A	0.2000	询价	30	瑞萨电子美国公司	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	3,000
GTRA360502M-V1-R3K	23.5558	询价	9037	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	125V	表面贴装	6-VDFN 裸露焊盘	GTRA360502	3.4GHz～3.8GHz	HEMT	6-DFN (6.5x7)	-				1697-GTRA360502M-V1-R3KTR			3,000	-	-	25毫安	50W	13分贝	-	48V
MMRF1015GNR1	18.9720	询价	7999	恩智浦	-	卷带式 (TR)	最后一次购买	68V	表面贴装	TO-270BA	MMRF1015	960兆赫	LDMOS	TO-270-2海鸥	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	935315212528	EAR99	8541.29.0075	500		-	125毫安	10W	18分贝	-	28V
3SK294(TE85L,F)	0.4700	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	12.5V	表面贴装	SC-82A、SOT-343	3SK294	500兆赫	场效应管	南昆士兰大学	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	3,000	N沟道	30毫安	10毫安	-	26分贝	1.4分贝	6V
FW343-TL-E	1.0000	询价	3868	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1,000
MRF6V12250HR3	-	询价	1994年	恩智浦	-	卷带式 (TR)	SIC停产	100伏	安装结构	SOT-957A	MRF6	1.03GHz	LDMOS	NI-780H-2L	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	250		-	100毫安	275W	20.3分贝	-	50V
BLF7G22L-160,112	-	询价	9240	Ampleon美国公司	-	管子	过时的	65V	安装结构	SOT-502A	BLF7G22	2.11GHz～2.17GHz	LDMOS	SOT502A	下载		1（无限制）	REACH 不出行	934065231112	EAR99	8541.29.0075	20		36A	1.3A	43W	18分贝	-	28V
BLF145,112	-	询价	5112	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	65V		SOT-123A		28兆赫	场效应管	SOT-123A	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20	N沟道	6A	1.3A	8W	27分贝	-	28V
MRFG35030R5	-	询价	1207	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	15V		HF-600	MRFG35	3.55GHz	pHEMT场效应管	-	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50		-	650毫安	3W	12分贝	-	12V
BLF574XR,112	199.6800	询价	2795	Ampleon美国公司	-	托盘	的积极	110V	安装结构	SOT-1214A	BLF574	225兆赫	LDMOS	SOT1214A	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20	双重、共同来源	-	100毫安	600W	23.5分贝	-	50V
IXZR18N50A-00	-	询价	2333	IXYS-RF	Z-MOS™	管子	过时的	500V		TO-247-3	IXZR18	65兆赫	场效应管	PLUS247™-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	30	N沟道	19A		350W	23分贝	-	100伏
PTFB211501E-V1-R0	-	询价	9267	沃尔夫斯皮德公司	-	条	过时的	65V	表面贴装	2 纸张封装，鳍片底部		2.17GHz	LDMOS	H-36248-2	下载		1（无限制）			EAR99	8542.33.0001	50		-	1.2A	40W	18分贝	-	30V
PTVA093002ND-V1-R5	59.2799	询价	6743	沃尔夫斯皮德公司	*	卷带式 (TR)	的积极				PTVA093002				下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0075	500
NE5531079A-T1A-A	-	询价	5523	西尔	-	卷带式 (TR)	过时的	30V		4-SMD，写入		460兆赫	LDMOS	79A	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	5,000		3A	200毫安	40分贝	-	-	7.5V
MRF5S19090HSR3	-	询价	7876	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V		NI-780S	MRF5	1.93GHz～1.99GHz	LDMOS	NI-780S	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		5A991G	8541.29.0075	250		-	850毫安	18W	14.5分贝	-	28V
CLF1G0060S-30U	144.3750	询价	7998	Ampleon美国公司	-	托盘	不适合新设计	150伏	表面贴装	SOT-1227B	CLF1G0060	3GHz～3.5GHz	N化晶体管高电子迁移率晶体管	SOT1227B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20		-	70毫安	30W	13分贝	-	50V
BLF6G27LS-135,118	-	询价	6153	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	SOT-502B	BLF6G27	2.5GHz～2.7GHz	LDMOS	SOT502B	下载		1（无限制）	REACH 不出行	934061172118	EAR99	8541.29.0075	100		34A	1.2A	20W	16分贝	-	32V
PTFB091802FC-V1-R250	-	询价	6395	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	过时的								下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	250

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

射频场效应管、MOSFET(4585)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²