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RF FET，MOSFET（4585）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	噪音图	电压 -测试
BF245C	-	RFQ	4233	Onmi	-	大部分	过时的	30 V	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BF245	-	JFET	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000	n通道	25mA		-	-	-
MRF6S9045NR1	-	RFQ	6948	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v	表面安装	TO-270AA	MRF6	880MHz	ldmos	TO-270-2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500		-	350 MA	10W	22.7dB	-	28 V
blc9g20xs-400avty	-	RFQ	5118	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		SOT-1258-7	BLC9	1.88GHz〜1.93GHz	ldmos	SOT-1258-7	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	934069732518	Ear99	8541.29.0075	100		2.8µA	800 MA	570W	16.2db	-	32 v
2N5486_D74Z	-	RFQ	2349	Onmi	-	（TB）	过时的	25 v	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2N5486	400MHz	JFET	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000	n通道	20mA		-	-	4DB	15 v
UPA608T（0）-t1-a	0.1800	RFQ	57	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	3,000
1214GN-1220V	-	RFQ	1159	微芯片技术	e	大部分	积极的	125 v	表面安装	55-qq		1.2GHz〜1.4GHz	hemt	55-qq	下载			到达不受影响	150-1214GN-1220V	Ear99	8541.29.0095	1		-	30 ma	130W	17.16db	-	50 V
MRFE6VS25GNR1	37.1900	RFQ	40	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	133 v	表面安装	TO-270BA	MRFE6	512MHz	ldmos	TO-270-2鸥	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		5A991G	8541.29.0075	500		-	10 MA	25W	25.4db	-	50 V
BLL1214-35,112	-	RFQ	6307	Ampleon USA Inc.	-	托盘	过时的	75 v	底盘安装	SOT-467C		1.2GHz〜1.4GHz	ldmos	SOT467C	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	20		-	50 mA	35W	13DB	-	36 V
BLC8G27LS-240AVJ	-	RFQ	5415	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	SOT-1252-1	BLC8	2.5GHz〜2.69GHz	ldmos	DFM8	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	100	双重，共同来源	-	500 MA	56W	14dB	-	28 V
MAGX-001090-700L00	-	RFQ	1897年	MACOM技术解决方案	-	大部分	过时的	65 v		-		1.03GHz〜1.09GHz	hemt	-	下载		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	10		31a	500 MA	700W	20.5dB	-	50 V
BLC10G15XS-301AVTY	79.2450	RFQ	4594	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	65 v	底盘安装	SOT-1275-1	BLC10	1.452GHZ〜1.492GHZ	ldmos	DFM6	-	rohs3符合条件			1603-BLC10G15XS-301AVTYTR			100	2 n 通道（双）公共来源	1.4µA	300 MA	350W	18db	-	30 V
NE3503M04-T2B-A	-	RFQ	3127	cel	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	4 V		4-SMD，平坦的铅		12GHz	GAAS HJ-FET	M04	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000		70mA	10 MA	-	12DB	0.45dB	2 v
BLF8G20LS-140GVJ	-	RFQ	3256	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	SOT-1244B		1.81GHZ〜1.88GHz	ldmos	CDFM6	下载		（1 （无限）	到达不受影响	934068305118	过时的	0000.00.0000	100		-	900 MA	35W	18.5db	-	28 V
VMMK-1218-blkg	-	RFQ	8656	Broadcom Limited	-	条	过时的	5 v		0402（（1005公制）	VMMK-1218	10GHz	e-phemt	0402	-		2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.33.0001	100		100mA	20 ma	12DBM	9DB	0.81dB	3 V
MRF8P20165WHSR3	-	RFQ	6590	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	表面安装	NI-780S-4L	MRF8	1.98GHz〜2.01GHz	ldmos	NI-780S-4L	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935314475128	Ear99	8541.29.0075	250	双重的	-	550 MA	37W	14.8db	-	28 V
BF909R，215	-	RFQ	8338	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	7 V	表面安装	SOT-143R	BF909	800MHz	MOSFET	SOT-143R	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道双门	40mA	15 ma	-	-	2DB	5 v
blp9la25sgz	17.1400	RFQ	1080	Ampleon USA Inc.	blp	胶带和卷轴（（tr）	积极的	13.6 v	表面安装	SOT-1483-1	blp9	1MHz〜941MHz	ldmos	SOT1483-1	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		-		25W	18.4db	-
BLF278	-	RFQ	2638	Ampleon USA Inc.	-	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1
MRF373ALR1	-	RFQ	4883	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	70 v	底盘安装	NI-360	MRF37	860MHz	ldmos	NI-360	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500		-	200 ma	75W	18.2db	-	32 v
PTFB211501E-V1-R0	-	RFQ	9267	Wolfspeed，Inc。	-	条	过时的	65 v	表面安装	2-flatpack，鳍线		2.17GHz	ldmos	H-36248-2	下载		（1 （无限）			Ear99	8542.33.0001	50		-	1.2 a	40W	18db	-	30 V
ON5173118	0.7300	RFQ	3	NXP半导体	*	大部分	积极的								下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-ON5173118-954	Ear99	0000.00.0000	1
CG2H40035F	160.6200	RFQ	2706	Wolfspeed，Inc。	甘	托盘	积极的	28 V			CG2H40035	6GHz	hemt		下载		（1 （无限）		1697-CG2H40035F	Ear99	8541.29.0075	250		-		35W	-	-
PTF080101S V1	-	RFQ	7761	Infineon技术	Goldmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	表面安装	H-32259-2		960MHz	ldmos	H-32259-2	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		1µA	150 ma	10W	18.5db	-	28 V
MRF6S21140HSR3	-	RFQ	4143	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v	表面安装	NI-880S	MRF6	2.12GHz	ldmos	NI-880S	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250		-	1.2 a	30W	15.5db	-	28 V
MRF6S19140HSR5	112.6200	RFQ	5	自由度半导体	-	大部分	积极的	68 v		NI-880S	MRF6	1.93GHZ〜1.99GHz	ldmos	NI-880S	-	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定				1		-	1.15 a	29W	16dB	-	28 V
BLF988S，112	509.2500	RFQ	20	NXP USA Inc.	-	管子	积极的	110 v		SOT539B		860MHz	ldmos	SOT539B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1	双重，共同来源	-	1.3 a	250W	20.8dB	-	50 V
MRF8S23120HR3	-	RFQ	5902	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	SOT-957A	MRF8	2.3GHz	ldmos	NI-780H-2L	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935319465128	Ear99	8541.29.0075	250		-	800 MA	28W	16dB	-	28 V
ATF-541M4-TR2	-	RFQ	9545	Broadcom Limited	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	5 v		0505（1412公制）	ATF-541M4	2GHz	Phemt fet	Minipak 1412	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000		120mA	60 ma	21.4dBm	17.5db	0.5dB	3 V
RF5L15030CB2	54.4500	RFQ	5253	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的	110 v	底盘安装	GXB	RF5L15030	1.5GHz	ldmos	GXB	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-RF5L15030CB2			180	-	1µA	200 ma	30W	23.5db	-	50 V
ON5295,127	-	RFQ	5278	NXP USA Inc.	-	管子	积极的		通过洞	TO-220-3	ON5295	-	-	TO-220AB	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934059252127	Ear99	8541.29.0095	50	-	-		-	-	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

RF FET，MOSFET（4585）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²