射频场效应管、MOSFET(4585)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	噪声系数	电压 - 测试
NE3210S01-T1B	-	询价	8946	西尔	-	卷带式 (TR)	过时的	4V		4-SMD		12GHz	第一个化镓异质结场效应管	贴片式	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	4,000		15毫安	10毫安	-	13.5分贝	0.35分贝	2V
MRF19085LR5	-	询价	3474	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	SOT-957A	MRF19	1.93GHz～1.99GHz	LDMOS	NI-780H-2L	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.31.0001	50		-	850毫安	18W	13分贝	-	26V
MRF6V2300NR1	-	询价	7766	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	110V	表面贴装	TO-270AB	MRF6	220兆赫	LDMOS	TO-270 WB-4	下载	不符合RoHS标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	500		-	900毫安	300W	25.5分贝	-	50V
STMFS4834NST	0.5300	询价	6	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1,500人
MCH5818-TL-E	-	询价	2233	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	3,000
MRF101AN	26.4000	询价	第836章	恩智浦	-	管子	的积极	133伏		TO-220-3	MRF101	1.8MHz～250MHz	LDMOS	TO-220-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50		10微安	100毫安	115W	21.1分贝	-	50V
PD85035S-E	23.9580	询价	2337	意法半导体	-	管子	的积极	40V		PowerSO-10 裸露底垫	PD85035	870兆赫	LDMOS	PowerSO-10RF（直读）	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	400		8A	350毫安	15W	17分贝	-	13.6V
TAV-551+	1.5875	询价	6982	迷你电路	-	卷带式 (TR)	的积极	5V	表面贴装	4-SMD，无铅		6GHz	pHEMT	FG873	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		3157-TAV-551+TR	EAR99	8542.33.0001	500		-	15毫安	20.1分贝	16.3分贝	1.7分贝	3V
MRF8HP21130HSR5	-	询价	3355	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	表面贴装	NI-780S-4L	MRF8	2.17GHz	LDMOS	NI-780S-4L	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50	双重的	-	360毫安	28W	14分贝	-	28V
BLF7G22LS-130,112	-	询价	7432	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	65V	安装结构	SOT-502B	BLF7G22	2.11GHz～2.17GHz	LDMOS	SOT502B	下载		1（无限制）	REACH 不出行		5A991G	8541.29.0075	20		28A	950毫安	30W	18.5分贝	-	28V
MRFG35002N6AT1	-	询价	5235	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	8V	表面贴装	PLD-1.5	MRFG35	3.55GHz	pHEMT场效应管	PLD-1.5	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,000		-	65毫安	158毫W	10分贝	-	6V
ON5173,118	-	询价	1711	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	ON51	-	-	D2PAK	-	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行	934057198118	EAR99	8541.29.0095	800	-	-		-	-	-
BLF9G20LS-160VU	-	询价	5290	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	65V	安装结构	SOT-1120B	BLF9	1.81GHz～1.88GHz	LDMOS	LDMOST	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	20		-	800毫安	35.5W	19.8分贝	-	28V
BLM9D2527-20ABX	-	询价	3903	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	65V	表面贴装	20-QFN 裸露焊盘	BLM9	2.5GHz～2.7GHz	LDMOS	20-PQFN (8x8)	-	符合ROHS3标准			1603-BLM9D2527-20ABXTR			2,000	-	1.4微安		-	27.2分贝	-	28V
A2T27S007NT1	-	询价	7529	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	28V	表面贴装	16-VDFN 裸露焊盘	A2T27	728MHz～3.6GHz	LDMOS	16-DFN (4x6)	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,000		-		28.8分贝	-	-
BF245B,126	-	询价	7708	恩智浦	-	胶带和盒子 (TB)	过时的	30V	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	BF245	100兆赫兹	结型场效应晶体管	TO-92-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	10,000	N沟道	15毫安		-	-	1.5分贝	15V
SD2933-03	-	询价	6460	意法半导体	-	托盘	过时的	125V		M177	SD2933	30兆赫兹	场效应晶体管	M177	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	25	N沟道	40A	250毫安	300W	23.5分贝	-	50V
BLF2425M7LS140,118	-	询价	7047	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	SOT-502B	BLF2425	2.45GHz	LDMOS	SOT502B	下载		1（无限制）	REACH 不出行	934066224118	EAR99	8541.29.0075	100		-	1.3A	140W	18.5分贝	-	28V
MMRF1021NT1	-	询价	2654	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	30V	表面贴装	PLD-1.5W	MMRF1	870兆赫	LDMOS	PLD-1.5W	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	935315257515	EAR99	8541.29.0075	1,000		-	100毫安	7.3W	15.2分贝	-	7.5V
BLF574XR,112	199.6800	询价	2795	Ampleon美国公司	-	托盘	的积极	110V	安装结构	SOT-1214A	BLF574	225兆赫	LDMOS	SOT1214A	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20	双重、共同来源	-	100毫安	600W	23.5分贝	-	50V
PTFB192503FL-V2-R250	-	询价	6129	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	表面贴装	H-34288-4/2		1.99GHz	LDMOS	H-34288-4/2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	250		-	1.9安	50W	19分贝	-	30V
BLF8G27LS-140,112	-	询价	6710	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	65V	安装结构	SOT-502B	BLF8	2.62GHz～2.69GHz	LDMOS	SOT502B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20		-	1.3A	45W	17.4分贝	-	32V
0912GN-650V	-	询价	第1594章	微芯片	V	大部分	的积极	150伏	表面贴装	55-KR		960MHz～1.215GHz	HEMT	55-KR	下载			REACH 不出行	150-0912GN-650V	EAR99	8541.29.0095	1		-	100毫安	650W	18分贝	-	50V
MMRF1008GHR5	271.0700	询价	7256	恩智浦	-	卷带式 (TR)	最后一次购买	100伏	安装结构	NI-780GH-2L	MMRF1008	900MHz～1.215GHz	LDMOS	NI-780GH-2L	-	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	935320879178	EAR99	8541.29.0075	50		100微安	100毫安	275W	20.3分贝	-	50V
ARF446G	-	询价	第1637章	美高森美公司	-	大部分	的积极	900伏		TO-247-3	ARF446	40.68兆赫	场效应晶体管	TO-247	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1	N沟道	6.5A		140W	15分贝	-	250伏
BLF10M6135U	-	询价	4020	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	65V	安装结构	SOT-502A		871.5MHz～891.5MHz	LDMOS	SOT502A	下载		1（无限制）	REACH 不出行	934067991112	过时的	0000.00.0000	20		-	950毫安	26.5W	21分贝	-	28V
MRF18060ALR5	-	询价	1982年	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	SOT-957A	MRF18	1.81GHz～1.88GHz	LDMOS	NI-780H-2L	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	50		-	500毫安	60W	13分贝	-	26V
PTRA084808NF-V1-R5	96.0049	询价	1294	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	105V	表面贴装	HBSOF-6-2	PTRA084808	734MHz～821MHz	LDMOS	PG-HBSOF-6-2	下载	符合RoHS标准				EAR99	8541.29.0075	500	双重、共同来源	10微安	450毫安	550W	18.2分贝	-	48V
BLF6G15L-500H,112	-	询价	5193	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	100伏	安装结构	SOT-539A	BLF6G15	1.45GHz～1.49GHz	LDMOS	SOT539A	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	934065223112	EAR99	8541.29.0095	20	双重、共同来源	45A	1.3A	65W	16分贝	-	50V
CLF1G0035-100P	-	询价	8977	罗彻斯特电子有限责任公司	-	大部分	过时的	150伏	安装结构	SOT-1228A		3.5GHz	HEMT	LDMOST	-	不符合RoHS标准		REACH 不出行	2156-CLF1G0035-100P-2156	EAR99	8541.29.0095	2		-	330毫安	100W	12.5分贝	-	50V

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

射频场效应管、MOSFET(4585)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²