射频场效应管、MOSFET(4585)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	噪声系数	电压 - 测试
NE3515S02-T1D-A	-	询价	5147	西尔	-	卷带式 (TR)	过时的	4V		4-SMD，写入		12GHz	第一个化镓异质结场效应管	S02	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,000		88毫安	10毫安	14分贝	12.5分贝	0.3分贝	2V
PTFC262808SVV1XWSA1	-	询价	9258	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的			-		-	-	-	-		1（无限制）	REACH 不出行	SP001028996	过时的	0000.00.0000	250	-	-		-	-	-
BLF8G19LS-170BV	-	询价	6364	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	65V	安装结构	SOT-1120B		1.8GHz～1.99GHz	LDMOS	LDMOST	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		过时的		60	双重、共同来源	4.5微安	1.3A	170W	18分贝	-	32V
FW225-TL-E	0.2700	询价	106	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1,000
LET9045F	-	询价	6637	意法半导体	-	托盘	过时的	80V		M250	LET9045	960兆赫	LDMOS	M250	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	25		9A	300毫安	59W	17.7分贝	-	28V
TAV1-541+	12.1300	询价	995	迷你电路	-	卷带式 (TR)	的积极	5V	表面贴装	4-SMD，无铅		45MHz～6GHz	pHEMT	TE2769	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8542.33.0001	1,000		-	60毫安	18.6分贝	18.6分贝	1.4分贝	3V
UPA608T(0)-T1-A	0.1800	询价	57	瑞萨电子美国公司	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	3,000
BLC9G20LS-361AVTY	-	询价	3249	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	SOT-1258-3	BLC9	1.81GHz～1.88GHz	LDMOS	东风六号	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	100	双重、共同来源	-	300毫安	360W	15.7分贝	0.6分贝	28V
BLF246B,112	-	询价	7484	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	65V	安装结构	SOT-161A	BLF246	175兆赫	场效应管	CDFM8	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20	2 N 沟道（双）公共源	8A	50毫安	60W	19分贝	-	28V
BLF578,112	384.4800	询价	58	Ampleon美国公司	-	托盘	的积极	110V	安装结构	SOT-539A	BLF578	225兆赫	LDMOS	SOT539A	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	20	双重、共同来源	88A	40毫安	1200W	24分贝	-	50V
BLF6G22LS-100,118	-	询价	9649	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	SOT-502B	BLF6G22	2.11GHz～2.17GHz	LDMOS	SOT502B	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	100		29A	950毫安	25W	18.2分贝	-	28V
PD54003-E	8.0223	询价	3284	意法半导体	-	管子	的积极	25V		PowerSO-10 裸露底垫	PD54003	500兆赫	LDMOS	10-PowerSO	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		4A	50毫安	3W	12分贝	-	7.5V
ATF-52189-黑色	-	询价	8718	博通有限公司	-	条	过时的	7V		TO-243AA		2GHz	pHEMT	SOT-89	下载		2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	100		500毫安	200毫安	27分贝	16分贝	1.5分贝	4.5V
ATF-521P8-TR1	-	询价	6994	博通有限公司	-	卷带式 (TR)	过时的	7V		8-WFDFN 裸露焊盘		2GHz	pHEMT场效应管	8-LPCC (2x2)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	3,000		500毫安	200毫安	26.5分贝	17分贝	1.5分贝	4.5V
BLF2425M9L30U	130.0400	询价	152	Ampleon美国公司	-	托盘	的积极	65V	安装结构	SOT-1135A	BLF2425	2.45GHz	LDMOS	CDFM2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20		-	20毫安	30W	18.5分贝	-	32V
BLF7G20LS-140P,112	-	询价	8270	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	65V	表面贴装	SOT-1121B	BLF7G20	1.81GHz～1.88GHz	LDMOS	LDMOST	下载		1（无限制）	REACH 不出行	934064444112	EAR99	8541.29.0095	20	双重、共同来源	-	850毫安	60W	17.5分贝	-	28V
1214GN-1200VG	-	询价	3129	微芯片	VG	大部分	的积极	65V	表面贴装	55-Q11A		1.2GHz～1.4GHz	HEMT	55-Q11A	下载			REACH 不出行	150-1214GN-1200VG	EAR99	8541.29.0095	1		-	280毫安	1200W	17分贝	-	50V
STAC2942B	-	询价	9826	意法半导体	-	托盘	过时的	130伏		STAC244F	STAC294	175兆赫	场效应管	STAC244F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	20	N沟道	40A	250毫安	450W	-	-	50V
PD55008S-E	10.8779	询价	8557	意法半导体	-	管子	的积极	40V		PowerSO-10 裸露底垫	PD55008	500兆赫	LDMOS	PowerSO-10RF（直读）	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		4A	150毫安	8W	17分贝	-	12.5V
B11G2327N71DX	46.7550	询价	9919	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	65V	表面贴装	36-QFN 裸露焊盘	B11G2327	2.3GHz～2.7GHz	LDMOS	36-PQFN (12x7)	-	符合ROHS3标准			1603-B11G2327N71DXTR			1,500人	-	1.4微安		-	30分贝	-	28V
MRF1517NT1	-	询价	4699	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	25V	表面贴装	PLD-1.5	MRF15	520兆赫	LDMOS	PLD-1.5	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	1,000		4A	150毫安	8W	14分贝	-	7.5V
BF1211WR,115	-	询价	4385	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	6V	表面贴装	SC-82A、SOT-343	BF121	400兆赫	场效应管	CMPAK-4	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	N 沟道双感应	30毫安	15毫安	-	29分贝	0.9分贝	5V
MRF5S21150HR3	72.1100	询价	316	飞思卡尔半导体	-	大部分	的积极	65V		NI-880	MRF5	2.11GHz～2.17GHz	LDMOS	NI-880	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	0000.00.0000	150		-	1.3A	33W	12.5分贝	-	28V
GTRA362002FC-V1-R0	171.5300	询价	50	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	卷带式 (TR)	的积极	125V	表面贴装	H-37248C-4	GTRA362002	3.4GHz～3.6GHz	HEMT	H-37248C-4	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			宣传册3A001B3	8541.29.0075	50		-	140毫安	200W	13.5分贝	-	48V
2N3819	0.5680	询价	7694	中央半导体公司	-	大部分	的积极	25V	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)		-	结型场效应晶体管	TO-92-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	2,500人	N沟道	-		-	-	-
BLC9G20LS-160PVY	-	询价	5253	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V		SOT1275-1	BLC9	1.805GHz～2GHz	LDMOS	SOT-1275-1	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	934960015518	EAR99	8541.29.0075	100		1.4微安	第860章	38W	20分贝	-	28V
PTFB193404F-V1-R0	-	询价	4622	沃尔夫斯皮德公司	-	条	过时的	65V	表面贴装	H-37275-6/2		1.99GHz	LDMOS	H-37275-6/2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8542.33.0001	50		-	2.6安	80W	19分贝	-	30V
BLF2324M8LS200PU	144.3600	询价	3130	Ampleon美国公司	-	托盘	不适合新设计	65V	表面贴装	SOT-539B	BLF2324	2.3GHz～2.4GHz	LDMOS	SOT539B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20	双重、共同来源	-	1.74A	60W	17.2分贝	-	28V
MWT-A973	34.1600	询价	10	微波科技公司	-	卷带式 (TR)	的积极	5V		标非贴片		500MHz～18GHz	场效应管	73	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	500		120毫安	30毫安	24.5dBm	6.5分贝	1.8分贝	3V
BLP8G27-10Z	-	询价	9640	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	表面贴装	16-VDFN 裸露焊盘	BLP8	2.14GHz	LDMOS	16-HVSON (6x4)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500	双重、共同来源	-	110毫安	2W	17分贝	-	28V

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

射频场效应管、MOSFET(4585)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²