射频场效应管、MOSFET(4585)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	噪声系数	电压 - 测试
MRF6P21190HR5	-	询价	3990	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	68V	安装结构	NI-1230	MRF6	2.12GHz	LDMOS	NI-1230	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50		-	1.9安	44W	15.5分贝	-	28V
MRF6S21190HR3	-	询价	6484	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	68V	安装结构	SOT-957A	MRF6	2.11GHz～2.17GHz	LDMOS	NI-880H-2L	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	250		-	1.6安	54W	16分贝	-	28V
PTF210101M V1	-	询价	3217	英飞凌科技	金茂®	卷带式 (TR)	过时的	65V	表面贴装	10-TFSOP、10-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）		2.17GHz	LDMOS	PG-RFP-10	下载		3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		1微安	180毫安	10W	15分贝	-	28V
PD55025STR-E	-	询价	2650	意法半导体	-	卷带式 (TR)	过时的	40V		PowerSO-10 裸露底垫	PD55025	500兆赫	LDMOS	PowerSO-10RF（直读）	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	600		7A	200毫安	25W	14.5分贝	-	12.5V
PTFB093608FVV2XWSA1	-	询价	4096	英飞凌科技	*	托盘	过时的								下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP000997834	EAR99	8541.29.0095	35
PTRA097058NB-V1-R2	119.8668	询价	8752	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	105V	表面贴装	HB2SOF-6-1	PTRA097058	730MHz～960MHz	LDMOS（双）	PG-HB2SOF-6-1	下载				1697-PTRA097058NB-V1-R2TR			250	-	10微安	450毫安	800W	18.4分贝	-	48V
GTVA101K42EV-V1-R0	1.0000	询价	129	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	卷带式 (TR)	的积极	125V	安装结构	H-36275-4	GTVA101	960MHz～1.4GHz	HEMT	H-36275-4	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		1697-GTVA101K42EV-V1-R0TR	EAR99	8541.29.0075	50		-	83.6毫安	1400W	17分贝	-	50V
CG2H40045P	179.5527	询价	6314	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	的积极	120V	表面贴装	440206	CG2H40045	4GHz	HEMT	440206	下载				1697-CG2H40045P	EAR99	8541.29.0075	120		-	400毫安	45W	16分贝	-	28V
CGHV40030F	146.4600	询价	100	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	的积极	125V		440166	CGHV40030	0Hz～6GHz	HEMT	440166	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	100		4.2A	150毫安	30W	16分贝	-	50V
MRF6S19060MR1	-	询价	7994	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	68V		TO-270-4	MRF6	1.93GHz	LDMOS	TO-270 WB-4	下载	不符合RoHS标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	500		-	第610章	12W	16分贝	-	28V
BLP15M7160PY	80.7700	询价	235	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	65V	表面贴装	SOT-1223-1	BLP15	860兆赫	LDMOS	4-HSOPF	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	100	双重、共同来源	-	100毫安	160W	20分贝	-	28V
BLC10G15XS-301AVTYZ	79.2450	询价	6808	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	65V	安装结构	SOT-1275-1	BLC10	1.452GHz～1.492GHz	LDMOS	东风六号	-	符合ROHS3标准			1603-BLC10G15XS-301AVTYZTR			300	2 N 沟道（双）公共源	1.4微安	300毫安	350W	18分贝	-	30V
J310ZL1G	-	询价	8888	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	25V	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体（成型套管）	J310	100兆赫兹	结型场效应晶体管	TO-92 (TO-226)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000	N沟道	60毫安	10毫安	-	16分贝	-	10V
LET16045C	-	询价	6304	意法半导体	-	盒子	过时的	80V		M243	LET16045	1.6GHz	LDMOS	M243	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	25		9A	400毫安	45W	16分贝	-	28V
ATF-501P8-黑色	-	询价	4335	博通有限公司	-	大部分	过时的	7V		8-WFDFN 裸露焊盘		2GHz	pHEMT	8-LPCC (2x2)	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	100		1A	280毫安	29分贝	15分贝	1分贝	4.5V
BLM7G24S-30BGY	-	询价	7118	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	表面贴装	SOT-1212-2		2.11GHz～2.17GHz	LDMOS	16-HSOP	下载		3（168小时）	REACH 不出行	934067989518	过时的	0000.00.0000	100		-	75毫安	1.6W	31.5分贝	-	28V
MRFG35002N6R5	-	询价	4922	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	8V		PLD-1.5	MRFG35	3.55GHz	pHEMT场效应管	PLD-1.5	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50		-	65毫安	1.5W	10分贝	-	6V
A2V09H525-04NR6	110.3487	询价	3941	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极	105V	表面贴装	OM-1230-4L	A2V09	720MHz～960MHz	LDMOS	OM-1230-4L	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	935330045528	EAR99	8541.29.0075	150		10微安	第688章	120W	18.9分贝	-	48V
PTFA181001EV4XWSA1	-	询价	3051	英飞凌科技	-	托盘	过时的	65V	表面贴装	2 纸张封装，鳍片底部	PTFA181001	1.88GHz	LDMOS	H-36248-2	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		1微安	750毫安	100W	16.5分贝	-	28V
BLF6G38-50,112	-	询价	8299	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	65V	安装结构	SOT-502A	BLF6G38	3.4GHz～3.6GHz	LDMOS	SOT502A	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		过时的	0000.00.0000	20		16.5A	450毫安	9W	14分贝	-	28V
MRF6S21100HSR5	-	询价	7391	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	68V	安装结构	NI-780S	MRF6	2.11GHz～2.17GHz	LDMOS	NI-780S	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50		-	950毫安	23W	15.9分贝	-	28V
1011GN-1600VG	-	询价	1754	微芯片	VG	大部分	的积极	150伏	表面贴装	55-Q11A		1.03GHz～1.09GHz	HEMT	55-Q11A	下载			REACH 不出行	150-1011GN-1600VG	EAR99	8541.29.0095	1		-	200毫安	1600W	18.6分贝	-	50V
CGHV35060MP	175.5600	询价	100	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	卷带式 (TR)	的积极	150伏		20-TSSOP（0.173"，4.40mm宽）裸露焊盘	CGHV35060	2.7GHz～3.5GHz	HEMT	20-TSSOP	下载	符合RoHS标准	3（168小时）			EAR99	8541.29.0075	250		-	125毫安	60W	14.5分贝	-	50V
PTF080101M V1	-	询价	第1174章	英飞凌科技	金茂®	卷带式 (TR)	SIC停产	65V	表面贴装	10-TFSOP、10-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）		960兆赫	LDMOS	PG-RFP-10	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		1微安	180毫安	10W	16分贝	-	28V
PTFC210202FC-V1-R250	52.1059	询价	2242	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	65V	安装结构	H-37248-4	PTFC210202	2.2GHz	LDMOS	H-37248-4	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	250	双重的	-	170毫安	5W	21分贝	-	28V
MRF136Y	81.0750	询价	4429	MACOM技术解决方案	-	托盘	的积极	65V		319B-02	MRF136	400兆赫	场效应晶体管	319B-02，款式1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		1465-1147	EAR99	8541.29.0095	20	N沟道	5A	25毫安	30W	14分贝	1分贝	28V
J211-D74Z	0.5000	询价	2	onsemi	-	切带 (CT)	的积极	25V	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	J211	-	结型场效应晶体管	TO-92-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,000	N沟道	20毫安		-	-	-
PD55003S	-	询价	5634	意法半导体	-	管子	过时的	40V		PowerSO-10 裸露底垫	PD55003	500兆赫	LDMOS	10-PowerSO	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		2.5A	50毫安	3W	17分贝	-	12.5V
ATF-541M4-TR2	-	询价	9545	博通有限公司	-	卷带式 (TR)	过时的	5V		0505（1412公制）	ATF-541M4	2GHz	pHEMT场效应管	迷你包 1412	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	10,000		120毫安	60毫安	21.4分贝	17.5分贝	0.5分贝	3V
PTVA123501FCV1XWSA1	-	询价	4901	英飞凌科技	-	托盘	过时的	105V	表面贴装	2 箔封装、翅片安装、法兰式		1.2GHz～1.4GHz	LDMOS	H-37248-2	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001145562	EAR99	8541.29.0095	50	双重的	10微安		350W	17分贝	-

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

射频场效应管、MOSFET(4585)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²