射频场效应管、MOSFET(4585)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	噪声系数	电压 - 测试
A2T18H410-24SR6	-	询价	7044	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	NI-1230-4LS2L	A2T18	1.81GHz	LDMOS	NI-1230-4LS2L	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	935323767128	EAR99	8541.29.0075	150	双重的	-	800毫安	71W	17.4分贝	-	28V
BG5120KE6327HTSA1	-	询价	5952	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	8V	表面贴装	6-VSSOP、SC-88、SOT-363		800兆赫	场效应管	PG-SOT363-PO	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）	20毫安	10毫安	-	23分贝	1.1分贝	5V
MRFE6S9160HSR3	-	询价	1316	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	66伏	安装结构	NI-780S	MRFE6	880兆赫	LDMOS	NI-780S	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	935319257128	EAR99	8541.29.0075	250		-	1.2A	35W	21分贝	-	28V
NPTB00004A	20.8100	询价	2	MACOM技术解决方案	-	管子	的积极	100伏		8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	NPTB00004	0Hz～6GHz	HEMT	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）		1465-1410	EAR99	8541.29.0095	95		1.4A	50毫安	4W	14.8分贝	-	28V
PTFA070601FV4R250XTMA1	-	询价	8978	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	表面贴装	2 箔封装、翅片安装、法兰式	PTFA070601	760兆赫	LDMOS	H-37265-2	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	250		-	600毫安	60W	19.5分贝	-	28V
MRF7S18125AHSR5	-	询价	6379	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	NI-780S	MRF7	1.88GHz	LDMOS	NI-780S	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50		-	1.1安	125W	17分贝	-	28V
MRF5S18060NR1	-	询价	2602	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	TO-270AB	MRF5	1.88GHz	场效应管	TO-270 WB-4	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	500	N沟道	-		60W	-	-
BLC10G18XS-550AVTY	111.5400	询价	第1448章	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	65V	表面贴装	SOT-1258-4	BLC10	1.805GHz～1.88GHz	LDMOS	SOT1258-4	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	934960128518	EAR99	8541.29.0075	100	双重、共同来源	2.8微安	800毫安	550W	16分贝	-	28V
MRF5S21150HSR5	-	询价	2179	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V		NI-880S	MRF5	2.11GHz～2.17GHz	LDMOS	NI-880S	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50		-	1.3A	33W	12.5分贝	-	28V
BLF9G20LS-160VJ	-	询价	8980	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	SOT-1120B	BLF9	1.81GHz～1.88GHz	LDMOS	LDMOST	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	100		-	800毫安	35.5W	19.8分贝	-	28V
MCH6305-H-TL-E	0.1500	询价	第279章	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	3,000
A2T26H165-24SR3128	127.1600	询价	第497章	恩智浦	*	大部分	的积极								下载					EAR99	8541.29.0075	1
IGN2729M400R2	797.3400	询价	10	Integra技术公司	*	托盘	的积极				IGN2729				下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		2251-IGN2729M400R2	EAR99	8541.29.0075	5
NPT1007B	-	询价	8997	MACOM技术解决方案	-	大部分	过时的	100伏		-		900兆赫	HEMT	-	下载		1（无限制）	REACH 不出行	1465-1772	EAR99	8541.29.0095	1		20.5A	1.4A	53分贝	18.3分贝	-	28V
PTFA192001EV4T350XWSA1	-	询价	8309	英飞凌科技	*	卷带式 (TR)	过时的								下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP000393368	EAR99	8541.29.0075	50
BLF984PU	144.4400	询价	第526章	Ampleon美国公司	-	托盘	的积极	104V	安装结构	SOT-1121A	BLF984	470MHz～860MHz	LDMOS	CDFM4	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20	双重、共同来源	1.4微安	650毫安	350W	21分贝	-	50V
BLF9G38LS-90PU	-	询价	9491	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	65V	表面贴装	SOT-1121B	BLF9	3.4GHz～3.6GHz	LDMOS	LDMOST	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	20	双重、共同来源	-	600毫安	20W	15分贝	-	28V
MRF9045LSR1	-	询价	4168	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	NI-360S	MRF90	945兆赫	LDMOS	NI-360S	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		5A991G	8541.21.0075	500		-	350毫安	45W	18.8分贝	-	28V
BLM9D3437-12AMZ	21.9800	询价	第851章	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	65V	表面贴装	20-VLGA裸焊盘	BLM9	3.4GHz～3.7GHz	LDMOS	20-LGA (7x7)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	-	-		-	30分贝	-
MRF5S21100HSR5	54.8800	询价	50	飞思卡尔半导体	-	大部分	的积极	65V		NI-780S	MRF5	2.16GHz～2.17GHz	LDMOS	NI-780S	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0075	50		-	1.05安	23W	13.5分贝	-	28V
BLS6G2731S-130,112	560.8050	询价	3746	Ampleon美国公司	-	托盘	不适合新设计	60V	安装结构	SOT-922-1	BLS6	2.7GHz～3.1GHz	LDMOS	CDFM2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20		33A	100毫安	130W	12分贝	-	32V
CGHV1J025D-GP4	62.1970	询价	50	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	的积极	100伏		死	CGHV1	18GHz	HEMT	死	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			宣传册3A001B3	8541.29.0075	10		-	120毫安	25W	17分贝	-	40V
PTFA190451EV4XWSA1	-	询价	7446	英飞凌科技	-	托盘	过时的	65V	表面贴装	H-36265-2	PTFA190451	1.96GHz	LDMOS	H-36265-2	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		10微安	450毫安	11W	17.5分贝	-	28V
BG3430RH6327XTSA1	-	询价	9448	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	8V	表面贴装	6-VSSOP、SC-88、SOT-363		800兆赫	场效应管	PG-SOT363-PO	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）	25毫安	14毫安	-	25分贝	1.3分贝	5V
MRF6V12250HSR5	284.8516	询价	9126	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极	100伏	安装结构	NI-780S	MRF6V12250	1.03GHz	LDMOS	NI-780S	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	935317106178	EAR99	8541.29.0075	50		-	100毫安	275W	20.3分贝	-	50V
PD20015S-E	-	询价	9456	意法半导体	-	管子	过时的	40V		PowerSO-10 裸露底垫	PD20015	2GHz	LDMOS	PowerSO-10RF（直读）	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		7A	350毫安	15W	11分贝	-	13.6V
BLF7G24L-140,112	-	询价	2605	Ampleon美国公司	-	管子	过时的	65V	安装结构	SOT-502A	BLF7G24	2.3GHz～2.4GHz	LDMOS	SOT502A	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20		28A	1.3A	30W	18.5分贝	-	28V
MRF6S19200HSR3	-	询价	7164	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	66伏	安装结构	NI-780S	MRF6	1.93GHz～1.99GHz	LDMOS	NI-780S	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	250		-	1.6安	56W	17.9分贝	-	28V
1214GN-400LV	-	询价	6732	微芯片	左室	大部分	的积极	150伏	表面贴装	55-KR		1.2GHz～1.4GHz	HEMT	55-KR	下载			REACH 不出行	150-1214GN-400LV	EAR99	8541.29.0095	1		-	200毫安	400W	16.8分贝	-	50V
MRF8P20165WHSR3	-	询价	6590	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	表面贴装	NI-780S-4L	MRF8	1.98GHz～2.01GHz	LDMOS	NI-780S-4L	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	935314475128	EAR99	8541.29.0075	250	双重的	-	550毫安	37W	14.8分贝	-	28V

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

射频场效应管、MOSFET(4585)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²