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RF FET，MOSFET（4585）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	噪音图	电压 -测试
BLL1214-250	261.9600	RFQ	4	Ampleon USA Inc.	BLL	大部分	积极的	75 v	底盘安装	SOT-502A		1.2GHz〜1.4GHz	ldmos	SOT502A	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1		1µA	150 ma	250W	12DB	-	36 V
MRF8S9260HR3	-	RFQ	9673	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	70 v	底盘安装	SOT-957A	MRF8	960MHz	ldmos	NI-880H-2L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935317145128	Ear99	8541.29.0075	250		-	1.7 a	75W	18.6dB	-	28 V
BLC2425M10LS250Y	85.4400	RFQ	7309	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	65 v	表面安装	SOT-1270-1	BLC2425	2.4GHz〜2.5GHz	ldmos	SOT-1270-1	-	rohs3符合条件			1603-BLC2425M10LS250YTR			100	n通道	2.8µA	100 ma	250W	14.4db	-	32 v
BB502CBS-TL-H	0.1800	RFQ	60	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	过时的								下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
ATF-34143-TR1G	-	RFQ	7182	Broadcom Limited	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	5.5 v		SC-82A，SOT-343	ATF-34143	2GHz	Phemt fet	SOT-343	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000		145mA	60 ma	20dBm	17.5db	0.5dB	4 V
A2T20H160W04NR3	-	RFQ	8702	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		OM780-4	A2T20	1.88GHZ〜2.025GHz	ldmos	OM780-4	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935313076528	Ear99	8541.29.0075	250	双重的	10µA	400 MA	200W	17dB	-	28 V
CLF1G0060S-30U	144.3750	RFQ	7998	Ampleon USA Inc.	-	托盘	不适合新设计	150 v	表面安装	SOT-1227B	CLF1G0060	3GHz〜3.5GHz	甘姆特	SOT1227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	20		-	70 MA	30W	13DB	-	50 V
BLP9H10S-350AY	46.4500	RFQ	61	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	105 v	表面安装	OMP-780-4F-1	blp9	600MHz〜960MHz	ldmos	OMP-780-4F-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		5A991G	8541.29.0075	100	双重，共同来源	1.4µA	400 MA	350W	18.6dB	-	48 v
NE3510M04-T2-A	-	RFQ	5715	cel	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	4 V		SOT-343F	NE3510	4GHz	GAAS HJ-FET	M04	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000		97MA	15 ma	-	16dB	0.45dB	2 v
2SK3819-DL-E	0.9600	RFQ	36	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1,000
BLF879PSIN	-	RFQ	5480	Ampleon USA Inc.	-	托盘	过时的			-		-	-	-	下载		（1 （无限）	到达不受影响	934067202112	过时的	0000.00.0000	1	-	-		-	-	-
BLC9H10XS-505AZ	94.8300	RFQ	43	Ampleon USA Inc.	*	托盘	在sic中停产		表面安装	SOT-1273-1	BLC9			SOT1273-1	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	20
blc9g15ls-400avtz	-	RFQ	1548年	Ampleon USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v	底盘安装	SOT-1258-3	BLC9	1452MHz〜1511MHz	ldmos	DFM6	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	20	双重，共同来源	-	810 MA	540W	16.5db	-	32 v
BLC8G20LS-310AVZ	-	RFQ	9806	Ampleon USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v	底盘安装	SOT-1258-3		1.93GHZ〜1.99GHz	ldmos	DFM6	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20	双重，共同来源	-	650 MA	56W	17dB	-	28 V
BF1212,215	-	RFQ	5840	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	6 V	表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BF121	400MHz	MOSFET	SOT-143B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道双门	30mA	12 ma	-	30dB	0.9dB	5 v
MRF140	111.4650	RFQ	3299	MACOM技术解决方案	-	托盘	积极的	65 v		211-11，样式2		30MHz〜150MHz	MOSFET	211-11，样式2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		1465-1149	Ear99	8541.29.0095	20	n通道	16a	250 MA	150W	6DB〜15DB	-	28 V
BLF8G22L-160BV，112	-	RFQ	9961	NXP USA Inc.	-	管子	积极的		底盘安装	SOT-1120B	BLF8G22	-	-	CDFM6	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	20	-	-		-	-	-
SD2902	-	RFQ	4416	Stmicroelectronics	-	盒子	过时的	65 v		M113	SD2902	400MHz	MOSFET	M113	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	n通道	2.5a	25 ma	15W	13.5dB	-	28 V
BLM9D2327-26BX	18.3189	RFQ	7995	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	65 v	表面安装	20 QFN暴露垫	BLM9	2.3GHz〜2.7GHz	ldmos	20-PQFN（8x8）	-	rohs3符合条件			1603-BLM9D2327-26BXTR			2,000	-	1.4µA	75 MA	-	29.3db	-	28 V
A2T21H140-24SR3	-	RFQ	7065	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		OM780-4	A2T21	2.11GHZ〜2.17GHz	ldmos	OM780-4	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935340104128	Ear99	8541.29.0075	250	双重的	10µA	350 MA	169w	17.4db	-	28 V
BLC9G22LS-1220VTY	-	RFQ	9971	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	表面安装	SOT-1271-2	BLC9	2.11GHZ〜2.18GHz	ldmos	SOT1271-2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的		100		2.8µA	700 MA	120W	18.1db	-	28 V
BLC10G22LS-241PVT	-	RFQ	1741年	Ampleon USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的				BLC10				-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的		100
PTFC270101M-V1-R0	-	RFQ	5948	Wolfspeed，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	65 v	表面安装	10-dlfn暴露垫		900MHz〜2.7GHz	ldmos	PG-SON-10	下载	Rohs符合条件	3（168））			Ear99	8541.29.0075	1,000		10µA	120 MA	10W	20.5dB	-	28 V
CLF1G0035-200PU	-	RFQ	6477	NXP USA Inc.	-	托盘	过时的			-		-	-	-	-	不适用				Ear99	8541.29.0075	20	-	-		-	-	-
ARF465AG	61.8200	RFQ	30	微芯片技术	-	大部分	积极的	1200 v		TO-247-3	ARF465	40.68MHz	MOSFET	TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1	n通道	6a		150W	15DB	-	300 v
MCH3312-EBM-TL-E	0.1100	RFQ	24	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	3,000
CPH5846-TL-E	0.1200	RFQ	48	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
MRF101AN启动	-	RFQ	9286	NXP USA Inc.	-	大部分	过时的	133 v	通过洞	TO-220-3	MRF101	1.8MHz〜250MHz	ldmos	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		10µA	100 ma	115W	21.1db	-	50 V
MMRF1020-04NR3	266.1723	RFQ	2784	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	105 v	表面安装	OM-780-4L	MMRF1020	920MHz	ldmos	OM-780-4L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250	双重的	-	860 MA	100W	19.5db	-	48 v
MRF5P21180HR5	-	RFQ	1093	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	NI-1230	MRF5	2.16GHz	ldmos	NI-1230	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		5A991G	8541.29.0075	50		-	1.6 a	38W	14dB	-	28 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

RF FET，MOSFET（4585）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²