射频场效应管、MOSFET(4585)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	噪声系数	电压 - 测试
CGHV60040D-GP4	51.4890	询价	140	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	的积极	150伏		死	CGHV60040	6GHz	HEMT	死	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0075	10		-	65毫安	40W	17分贝	-	50V
ADP3110A0001RZR	0.1800	询价	7	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	2,500人
BLF145,112	-	询价	5112	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	65V		SOT-123A		28兆赫	场效应晶体管	SOT-123A	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20	N沟道	6A	1.3A	8W	27分贝	-	28V
BLM9D3438-16AMZ	24.9400	询价	第712章	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	65V	表面贴装	20-VLGA裸焊盘	BLM9	3.4GHz～3.8GHz	LDMOS	20-LGA (7x7)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0040	1,000		1.4微安	38毫安	16W	32.5分贝	-	28V
2SK3718-T1-A	0.1700	询价	171	瑞萨电子美国公司	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	3,000
BLF8G10L-160,112	-	询价	3164	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	65V	安装结构	SOT-502A	BLF8G10	920MHz～960MHz	LDMOS	SOT502A	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20		-	1.1安	35W	19.7分贝	-	30V
NE3521M04-T2-A	0.2100	询价	39	瑞萨电子美国公司	-	大部分	过时的	4V		4-SMD，写入		20GHz	第一个化镓异质结场效应管		下载	不适用				EAR99	8541.21.0075	3,000	N沟道	70毫安	6毫安	-	11分贝	0.85分贝	2V
MRFE6S9060GNR1	35.5106	询价	7979	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极	66伏	表面贴装	TO-270BB	MRFE6	880兆赫	LDMOS	TO-270 WB-4海鸥	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	935310336528	EAR99	8541.29.0075	500		-	450毫安	14W	21.1分贝	-	28V
BLF6G20S-45,112	-	询价	5415	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	65V	安装结构	SOT-608B	BLF6G20	1.8GHz～1.88GHz	LDMOS	CDFM2	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20		13A	360毫安	2.5W	19.2分贝	-	28V
MRF19030LSR5	-	询价	1502	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	NI-400S	MRF19	1.96GHz	LDMOS	NI-400S	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		5A991G	8542.31.0001	50		-	300毫安	30W	13分贝	-	26V
ON5213,118	-	询价	4336	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	TO-263-5、D²Pak（4引脚+接片）、TO-263BB	ON52	-	-	D2PAK	-	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行	934056669118	EAR99	8541.29.0095	800	-	-		-	-	-
MRF5P21180HR5	-	询价	1093	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	NI-1230	MRF5	2.16GHz	LDMOS	NI-1230	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		5A991G	8541.29.0075	50		-	1.6安	38W	14分贝	-	28V
ON5258,215	-	询价	8899	安世半导体美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	ON5258	-	-	TO-236AB	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	934058041215	EAR99	8541.29.0095	3,000	-	-		-	-	-
BLM7G1822S-40ABY	-	询价	8830	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	表面贴装	SOT-1211-2	BLM7	2.17GHz	LDMOS	16-HSOPF	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	100	双重的	-	20毫安	2W	31.5分贝	-	28V
MRF8S18120HR5	-	询价	5615	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	SOT-957A	MRF8	1.81GHz	LDMOS	NI-780H-2L	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		5A991G	8541.29.0075	50		-	800毫安	72W	18.2分贝	-	28V
A2T21S260W12NR3	-	询价	9301	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	OM-880X-2L2L	A2T21	2.11GHz～2.2GHz	LDMOS	OM-880X-2L2L	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	935339757528	EAR99	8541.29.0075	250		10微安	1.6安	218W	17.9分贝	-	28V
MRFG35030R5	-	询价	1207	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	15V		HF-600	MRFG35	3.55GHz	pHEMT场效应管	-	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50		-	650毫安	3W	12分贝	-	12V
BCL016B	16.8600	询价	2	贝雷克斯公司	-	托盘	的积极	5V		死		-	pHEMT场效应管	死	-	符合ROHS3标准	不适用	REACH旅行	4704-BCL016B	EAR99	8541.21.0040	5		50毫安	10毫安	14.4dBm	13.5分贝	0.4分贝～0.6分贝	2V
MRF6S19120HSR3	-	询价	1227	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	68V	安装结构	NI-780S	MRF6	1.99GHz	LDMOS	NI-780S	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	250		-	1A	19W	15分贝	-	28V
MRF7S21210HSR3	-	询价	4188	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	NI-780S	MRF7	2.17GHz	LDMOS	NI-780S	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	250		-	1.4A	63W	18.5分贝	-	28V
MRF7S19080HSR3	-	询价	6781	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	NI-780S	MRF7	1.99GHz	LDMOS	NI-780S	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	935319237128	EAR99	8541.29.0075	250		-	750毫安	24W	18分贝	-	28V
NE5550279A-T1-A	-	询价	2078	西尔	-	卷带式 (TR)	过时的	30V		4-SMD，写入	NE5550	900兆赫	LDMOS	79A	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		600毫安	40毫安	33分贝	22.5分贝	-	7.5V
MRF6P9220HR5	-	询价	3500	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	68V	安装结构	NI-860C3	MRF6	880兆赫	LDMOS	NI-860C3	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50		-	1.6安	47W	20分贝	-	28V
ON4970,115	-	询价	4487	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	ON49	-	-	SC-73	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	934042780115	EAR99	8541.29.0095	1,000	-	-		-	-	-
LET9045C	-	询价	3931	意法半导体	-	托盘	过时的	80V		M243	LET9045	960兆赫	LDMOS	M243	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	25		9A	300毫安	59W	17.7分贝	-	28V
IXZR18N50A-00	-	询价	2333	IXYS-RF	Z-MOS™	管子	过时的	500V		TO-247-3	IXZR18	65兆赫	场效应晶体管	PLUS247™-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	30	N沟道	19A		350W	23分贝	-	100伏
BLF6G38-50,135	-	询价	6632	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	SOT-502A	BLF6G38	3.4GHz～3.6GHz	LDMOS	SOT502A	下载		1（无限制）	REACH 不出行	934061173135	EAR99	8541.29.0075	300		16.5A	450毫安	9W	14分贝	-	28V
BLF8G24LS-200PNU	-	询价	3088	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	65V	表面贴装	SOT-539B	BLF8G24	2.3GHz～2.4GHz	LDMOS	SOT539B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	934068219112	EAR99	8541.29.0075	20	双重、共同来源	-	1.74A	60W	17.2分贝	-	28V
BLF244,112	-	询价	7752	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	65V	安装结构	SOT-123A		175兆赫	场效应晶体管	CRFM4	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20	N沟道	3A	25毫安	15W	17分贝	-	28V
MRF5S19130HR5	-	询价	6320	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	SOT-957A	MRF5	1.93GHz～1.99GHz	LDMOS	NI-880H-2L	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		5A991G	8541.29.0075	50		-	1.2A	26W	13分贝	-	28V

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

射频场效应管、MOSFET(4585)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²