射频场效应管、MOSFET(4585)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	噪声系数	电压 - 测试
MRF8P20165WHSR3	-	询价	6590	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	表面贴装	NI-780S-4L	MRF8	1.98GHz～2.01GHz	LDMOS	NI-780S-4L	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	935314475128	EAR99	8541.29.0075	250	双重的	-	550毫安	37W	14.8分贝	-	28V
PTFA192001EV4R250XTMA1	-	询价	3993	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	H-36260-2	PTFA192001	1.99GHz	LDMOS	H-36260-2	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	250		10微安	1.8安	50W	15.9分贝	-	30V
PD57006S	-	询价	7254	意法半导体	-	管子	过时的	65V		PowerSO-10 裸露底垫	PD57006	945兆赫	LDMOS	10-PowerSO	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		1A	70毫安	6W	15分贝	-	28V
BF256C_J35Z	-	询价	8871	onsemi	-	大部分	过时的	30V	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	BF256	-	结型场效应晶体管	TO-92-3	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	2,000	N沟道	18毫安		-	-	-
BLA9H0912L-250GU	-	询价	7323	Ampleon美国公司	-	托盘	SIC停产	106伏	安装结构	SOT-502A	BLA9	960MHz～1.215GHz	LDMOS	CDFM2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20		1.4微安	100毫安	250W	22分贝	-	50V
MRFG35010NR5	-	询价	4367	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	15V		PLD-1.5	MRFG35	3.55GHz	pHEMT场效应管	PLD-1.5	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50		-	180毫安	9W	10分贝	-	12V
BLC8G27LS-180AVY	-	询价	7434	恩智浦半导体	-	大部分	的积极								-				2156-BLC8G27LS-180AVY			1
ATF-52189-黑色	-	询价	8718	博通有限公司	-	条	过时的	7V		TO-243AA		2GHz	pHEMT	SOT-89	下载		2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	100		500毫安	200毫安	27分贝	16分贝	1.5分贝	4.5V
PTFB082817FHV1XWSA1	-	询价	9138	英飞凌科技	-	托盘	过时的	65V	表面贴装	2 箔封装、翅片安装、法兰式		821兆赫	LDMOS	H-34288-4/2	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP000891180	过时的	0000.00.0000	35		-	2.15安	60W	19.3分贝	-	28V
PTFA210701EV4T500XWSA1	-	询价	2247	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	表面贴装	H-36265-2		2.11GHz～2.17GHz	LDMOS	H-36265-2	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP000393362	EAR99	8541.29.0095	500		-	550毫安	18W	16.5分贝	-	30V
PD57018S	-	询价	4601	意法半导体	-	管子	过时的	65V		PowerSO-10 裸露底垫	PD57018	945兆赫	LDMOS	10-PowerSO	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		2.5A	100毫安	18W	16.5分贝	-	28V
MMBFJ304	-	询价	4598	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	30V		TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	MMBFJ3	-	结型场效应晶体管	TO-236AB	下载		1（无限制）	REACH 不出行		过时的	0000.00.0000	3,000	N沟道	15毫安		-	-	-
MRF176GV	237.1000	询价	1	MACOM技术解决方案	-	托盘	的积极	125V		375-04	MRF176	225兆赫	场效应晶体管	375-04，款式2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		1465-1171	EAR99	8541.29.0040	10	2 N 沟道（双）公共源	16A	100毫安	200W	17分贝	-	50V
STAC2942B	-	询价	9826	意法半导体	-	托盘	过时的	130伏		STAC244F	STAC294	175兆赫	场效应晶体管	STAC244F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	20	N沟道	40A	250毫安	450W	-	-	50V
CLF1G0035-100PU	-	询价	4321	Ampleon美国公司	-	大部分	SIC停产	150伏	安装结构	SOT-1228A	CLF1G0035	3GHz	N化晶体管高电子迁移率晶体管	LDMOST	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20		-	100毫安	100W	14分贝	-	50V
CGH40045F	201.5300	询价	第387章	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	不适合新设计	84V		440193	CGH40	0Hz～4GHz	HEMT	440193	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		CGH40045FE	EAR99	8541.29.0075	120		14A	400毫安	55W	14分贝	-	28V
SD2931-15W	70.7850	询价	6725	意法半导体	*	大部分	的积极				SD2931				-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	25
BF904AWR,115	-	询价	4937	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	7V	表面贴装	SC-82A、SOT-343	BF904	200兆赫	场效应晶体管	CMPAK-4	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	N 沟道双感应	30毫安	10毫安	-	-	1分贝	5V
MRF373ALR1	-	询价	4883	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	70V	安装结构	NI-360	MRF37	860兆赫	LDMOS	NI-360	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	500		-	200毫安	75W	18.2分贝	-	32V
BLC8G27LS-160AVHY	-	询价	4014	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	28V	安装结构	SOT-1275-1		2.5GHz～2.69GHz	LDMOS	东风六号	-		1（无限制）	REACH 不出行	934960002518	过时的	0000.00.0000	100		-	第490章	31.6W	14.5分贝	-	28V
BLF7G27LS-100,118	-	询价	4641	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	SOT-502B	BLF7	2.5GHz～2.7GHz	LDMOS	SOT502B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	934064592118	EAR99	8541.29.0095	100		28A	900毫安	20W	18分贝	-	28V
BLF8G20LS-140GVJ	-	询价	3256	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	SOT-1244B		1.81GHz～1.88GHz	LDMOS	CDFM6	下载		1（无限制）	REACH 不出行	934068305118	过时的	0000.00.0000	100		-	900毫安	35W	18.5分贝	-	28V
MRF8P18265HSR5	-	询价	8158	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	SOT-1110B	MRF8	1.88GHz	LDMOS	NI1230S-8	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50		-	800毫安	72W	16分贝	-	30V
BLF6G27S-45,118	-	询价	4142	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	SOT-608B	BLF6G27	2.7GHz	LDMOS	CDFM2	下载		1（无限制）	REACH 不出行	934060912118	EAR99	8541.29.0075	100		20A	350毫安	7W	18分贝	-	28V
BLF6G38LS-100,112	-	询价	2706	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	65V	安装结构	SOT-502B	BLF6G38	3.4GHz～3.6GHz	LDMOS	SOT502B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		5A991G	8541.29.0075	60		34A	1.05安	18.5W	13分贝	-	28V
MRF137	53.7600	询价	24	MACOM技术解决方案	-	托盘	的积极	65V		211-07		150MHz～400MHz	场效应晶体管	211-07，款式2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		1465-1148	EAR99	8541.29.0075	20	N沟道	5A	25毫安	30W	7.7分贝～16分贝	1.5分贝	28V
3SK291(TE85L,F)	-	询价	4341	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	12.5V	表面贴装	SC-61AA	3SK291	800兆赫	场效应晶体管	小型MQ	-	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	3,000	N 沟道双感应	30毫安	10毫安	-	22.5分贝	2.5分贝	6V
BLF6G10LS-260PRN,1	-	询价	4283	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	表面贴装	SOT-539B	BLF6G10	917.5MHz～962.5MHz	LDMOS	SOT539B	下载		1（无限制）	REACH 不出行	934064451118	EAR99	8541.29.0095	100	双重、共同来源	64A	1.8安	40W	22分贝	-	28V
BLF881,112	107.0400	询价	15	Ampleon美国公司	-	托盘	的积极	104V	安装结构	SOT-467C	BLF881	860兆赫	LDMOS	SOT467C	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20		-	500毫安	140W	21分贝	-	50V
MRF8P23080HSR3	-	询价	7619	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	表面贴装	NI-780S-4L	MRF8	2.3GHz	LDMOS	NI-780S-4L	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	935321471128	EAR99	8541.29.0075	250	双重的	-	280毫安	16W	14.6分贝	-	28V

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

射频场效应管、MOSFET(4585)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²