射频场效应管、MOSFET(4585)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	噪声系数	电压 - 测试
BCP020C-70	10.6600	询价	2	贝雷克斯公司	-	卷带式 (TR)	的积极	12V		4-微-X		1GHz～26GHz	pHEMT场效应管	4-微-X	-	符合ROHS3标准	不适用	REACH旅行	4704-BCP020C-70TR	EAR99	8541.21.0000	5		80毫安	40毫安	21.5分贝	13.5分贝	-	6V
BCF120T	44.3300	询价	1	贝雷克斯公司	-	托盘	的积极	12V		死		26.5GHz	场效应管	死	-	符合ROHS3标准	不适用	REACH旅行	4704-BCF120T	EAR99	8541.21.0040	5		第440章	220毫安	28分贝	9.3分贝	-	8V
NE3514S02-T1C-A	-	询价	8990	西尔	-	卷带式 (TR)	过时的	4V		4-SMD，写入		20GHz	第一个化镓异质结场效应管	S02	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,000		70毫安	10毫安	-	10分贝	0.75分贝	2V
ON5257,215	-	询价	9913	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	ON52	-	-	SOT-23 (TO-236AB)	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	934058039215	EAR99	8541.29.0095	3,000	-	-		-	-	-
MRF8P20140WHR5	-	询价	1100	恩智浦	-	卷带式 (TR)	SIC停产	65V	安装结构	NI-780-4	MRF8	1.88GHz～1.91GHz	LDMOS	NI-780-4	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		5A991G	8541.29.0075	50	双重的	-	500毫安	24W	16分贝	-	28V
BF909R,215	-	询价	8338	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	7V	表面贴装	SOT-143R	BF909	800兆赫	场效应晶体管	SOT-143R	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	N 沟道双感应	40毫安	15毫安	-	-	2分贝	5V
MRF6S19100HSR5	-	询价	1000	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	68V	安装结构	NI-780S	MRF6	1.99GHz	LDMOS	NI-780S	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50		-	900毫安	22W	16.1分贝	-	28V
A3G22H400-04SR3	122.6564	询价	8801	恩智浦	*	卷带式 (TR)	的积极				A3G22				下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	250
BLF175,112	-	询价	3639	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	125V	安装结构	SOT-123A		108兆赫	场效应晶体管	CRFM4	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20	N沟道	4A	30毫安	30W	20分贝	-	50V
MRF6VP121KHR5-FR	718.5900	询价	126	飞思卡尔半导体	-	大部分	的积极	110V	安装结构	NI-1230		1.215GHz	LDMOS	NI-1230	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1	双重的	10微安	150毫安	1000W	21.4分贝	-	50V
BLM8D2327S-50PB(G)	-	询价	8525	Ampleon美国公司	-	托盘	的积极			-	BLM8D2327	-	-	-	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行				1	-	-		-	-	-
BF991,215	-	询价	9394	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	20V	表面贴装	TO-253-4、TO-253AA	BF991	100兆赫兹	场效应晶体管	SOT-143B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	N 沟道双感应	20毫安	10毫安	-	29分贝	0.7分贝	10V
BLM7G22S-60PBGY	-	询价	8578	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	表面贴装	SOT-1212-2		2.14GHz	LDMOS	16-HSOP	下载		3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.33.0001	100	双重的	-	75毫安	1.6W	31.5分贝	-	28V
A2T21H140-24SR3	-	询价	7065	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V		OM780-4	A2T21	2.11GHz～2.17GHz	LDMOS	OM780-4	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	935340104128	EAR99	8541.29.0075	250	双重的	10微安	350毫安	169W	17.4分贝	-	28V
2N5486G	-	询价	9199	onsemi	-	大部分	过时的	25V	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2N5486	-	结型场效应晶体管	TO-92 (TO-226)	下载		1（无限制）	REACH 不出行	2N5486GOS	EAR99	8541.29.0095	1,000	N沟道	30毫安		-	-	-
PXFC191507FC-V1-R250	74.3516	询价	4756	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计				PXFC191507				下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	250
2N5486_D74Z	-	询价	2349	onsemi	-	胶带和盒子 (TB)	过时的	25V	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	2N5486	400兆赫	结型场效应晶体管	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,000	N沟道	20毫安		-	-	4分贝	15V
CRF24060FE	-	询价	1094	沃尔夫斯皮德公司	-	管子	过时的	120V		440193		1.1GHz	SiC（碳化硅）MESFET	440193	下载		3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	24		9A	2A	60W	13分贝	-	48V
MRF6S9160HR3	-	询价	6875	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	68V	安装结构	SOT-957A	MRF6	880兆赫	LDMOS	NI-780H-2L	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	250		-	1.2A	35W	20.9分贝	-	28V
GTRB097152FC-V1-R0	148.3004	询价	2780	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	48V	表面贴装	H-37248C-4	GTRB097152	758MHz～960MHz	HEMT	H-37248C-4	-				1697-GTRB097152FC-V1-R0TR			50	-	-		900W	18分贝	-
MRF5S21045MBR1	-	询价	5175	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	68V		TO-272-4	MRF5	2.11GHz～2.17GHz	LDMOS	TO-272 WB-4	下载	不符合RoHS标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	500		-	500毫安	10W	14.5分贝	-	28V
PD55008S-E	10.8779	询价	8557	意法半导体	-	管子	的积极	40V		PowerSO-10 裸露底垫	PD55008	500兆赫	LDMOS	PowerSO-10RF（直读）	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		4A	150毫安	8W	17分贝	-	12.5V
BLC10G18XS-551AVZ	96.0500	询价	48	Ampleon美国公司	-	托盘	SIC停产	65V	表面贴装	SOT-1258-4	BLC10	1.805GHz～1.88GHz	LDMOS	SOT1258-4	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20	双重、共同来源	2.8微安	750毫安	550W	16.1分贝	-	32V
AFT26H250W03SR6	196.5200	询价	第767章	飞思卡尔半导体	-	大部分	的积极	65V	安装结构	NI-1230-4S		2.496GHz～2.69GHz	LDMOS	NI-1230-4S	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0040	1	双重的	10微安	700毫安	50W	14.1分贝	-	28V
UF2815B	99.9585	询价	7848	MACOM技术解决方案	-	大部分	的积极	65V	安装结构	6L-FLG	UF2815	500兆赫	-	6L-FLG	-				1465-UF2815B			1	N沟道	3毫安	150毫安	-	10分贝	-	28V
MRF6S27050HR3	-	询价	7271	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	68V	安装结构	SOT-957A	MRF6	2.62GHz	LDMOS	NI-780H-2L	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	250		-	500毫安	7W	16分贝	-	28V
PD85004	-	询价	8401	意法半导体	-	卷带式 (TR)	过时的	40V	表面贴装	TO-243AA	PD85004	870兆赫	LDMOS	SOT-89-3	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		2A	50毫安	4W	17分贝	-	13.6V
MRF5S9101NR1	47.3000	询价	720	飞思卡尔半导体	-	大部分	的积极	68V	表面贴装	TO-270AB		869MHz～960MHz	-	TO-270 WB-4	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	0000.00.0000	500	-	10微安	700毫安	100W	17.5分贝	-	26V
MRF21045LSR3	-	询价	7349	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	NI-400S	MRF21	2.17GHz	LDMOS	NI-400S	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		5A991G	8542.31.0001	250		-	500毫安	10W	15分贝	-	28V
MRF6S9045NR1	-	询价	6948	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	68V	表面贴装	TO-270AA	MRF6	880兆赫	LDMOS	TO-270-2	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	500		-	350毫安	10W	22.7分贝	-	28V

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

射频场效应管、MOSFET(4585)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²