射频场效应管、MOSFET(4585)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	噪声系数	电压 - 测试
2SK404E-AC	0.1800	询价	2	onsemi	*	大部分	的积极								下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	1
DU2810S	45.3002	询价	6576	MACOM技术解决方案	-	大部分	的积极	65V	安装结构	4L-FLG	DU2810	2MHz～175MHz	LDMOS	-	-				1465-DU2810S			1	N沟道	2.8A	100毫安	10W	13分贝	-	28V
MRF140	111.4650	询价	3299	MACOM技术解决方案	-	托盘	的积极	65V		211-11，款式2		30MHz～150MHz	场效应晶体管	211-11，款式2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		1465-1149	EAR99	8541.29.0095	20	N沟道	16A	250毫安	150W	6分贝～15分贝	-	28V
BLF8G10LS-160,118	-	询价	5849	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	SOT-502B	BLF8	920MHz～960MHz	LDMOS	SOT502B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	100		-	1.1安	35W	19.7分贝	-	30V
RF5L08600CB4	217.8000	询价	2734	意法半导体	-	大部分	的积极	115V	安装结构	D4E	RF5L08600	400MHz～1GHz	LDMOS	D4E	-	符合ROHS3标准		REACH 不出行	497-RF5L08600CB4			100	-	1微安	110毫安	650W	19.5分贝	-	50V
MMRF1305HR5	88.3000	询价	56	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极	133伏	安装结构	NI-780-4	MMRF1305	512兆赫	LDMOS	NI-780-4	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50	双重的	-	100毫安	100W	26分贝	-	50V
MAGX-000245-025000	-	询价	2720	MACOM技术解决方案	-	大部分	过时的	32V		-		2.5GHz	HEMT	-	下载		1（无限制）			过时的	0000.00.0000	10		3A	100毫安	25W	12分贝	-	28V
BLL1214-35,112	-	询价	6307	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	75V	安装结构	SOT-467C		1.2GHz～1.4GHz	LDMOS	SOT467C	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20		-	50毫安	35W	13分贝	-	36V
MCH6608-TL-E	0.1900	询价	13	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	1
MMRF5016HSR5	-	询价	7750	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	48V	表面贴装	NI-400S-2S	MMRF5	1.8GHz～2.2GHz	HEMT	NI-400S-2S	-		1（无限制）	REACH 不出行	935331343528	过时的	0000.00.0000	250		-		32W	-	-
MRFE6VP6300HR3	-	询价	6973	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	130伏	安装结构	NI-780-4	MRFE6	230兆赫	LDMOS	NI-780-4	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	935317343128	EAR99	8541.29.0075	250	双重的	-	100毫安	300W	26.5分贝	-	50V
BF1105R,215	-	询价	2047	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	7V	表面贴装	SOT-143R	BF110	800兆赫	场效应晶体管	SOT-143R	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	N 沟道双感应	30毫安		-	20分贝	1.7分贝	5V
BG3130E6327HTSA1	-	询价	9934	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	8V	表面贴装	6-VSSOP、SC-88、SOT-363	BG3130	800兆赫	场效应晶体管	PG-SOT363-PO	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）	25毫安	14毫安	-	24分贝	1.3分贝	5V
MMRF1024HSR5	-	询价	3737	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	NI-1230-4LS2L	MMRF1024	2.5GHz	LDMOS	NI-1230-4LS2L	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	935316174178	EAR99	8541.29.0075	50	双重的	-	700毫安	50W	14.1分贝	-	28V
PXAC182002FC-V1-R250	-	询价	8087	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	过时的				PXAC182002				下载	符合RoHS标准	3（168小时）			EAR99	8541.29.0095	250
CGH55015F2	94.4000	询价	1	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	的积极	84V		440166	CGH55015	5.65GHz	HEMT	440166	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0075	60		-	200毫安	12.5W	12分贝	-	28V
MRF158	34.8640	询价	7701	MACOM技术解决方案	TMOS®	托盘	的积极	65V		305A-01		500兆赫	场效应晶体管	305A-01，2型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		1465-1158	EAR99	8541.29.0095	10	N沟道	500毫安	25毫安	2W	18分贝	-	28V
MRFE8VP8600HR5	154.7816	询价	5941	恩智浦	*	卷带式 (TR)	的积极				MRFE8				-	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	935318365178	EAR99	8541.29.0095	50
CGHV60075D5-GP4	63.8800	询价	50	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	的积极	150伏		死	CGHV60075	6GHz	HEMT	死	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			宣传册3A001B3	8541.29.0075	10		-	125毫安	75W	17分贝	-	50V
2SK3230-T1-A	0.2400	询价	120	瑞萨电子美国公司	*	大部分	的积极								下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000
MRF9080LR5	-	询价	4727	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	SOT-957A	MRF90	960兆赫	LDMOS	NI-780H-2L	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	50		-	600毫安	70W	18.5分贝	-	26V
LET9150	-	询价	6742	意法半导体	-	盒子	过时的	80V		M246	LET9150	860兆赫	LDMOS	M246	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	20		20A	600毫安	150W	20分贝	-	32V
BLF8G27LS-100J	-	询价	4766	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	SOT-502B	BLF8	2.5GHz～2.7GHz	LDMOS	SOT502B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	100		-	900毫安	25W	17分贝	-	28V
MMRF1006HSR5	-	询价	3075	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	120V		NI-1230S-4	MMRF1006	450兆赫	LDMOS	NI-1230S-4	-	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	935311705178	EAR99	8541.29.0075	50		-	150毫安	1000W	20分贝	-	50V
BLF2324M8LS200PU	144.3600	询价	3130	Ampleon美国公司	-	托盘	不适合新设计	65V	表面贴装	SOT-539B	BLF2324	2.3GHz～2.4GHz	LDMOS	SOT539B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20	双重、共同来源	-	1.74A	60W	17.2分贝	-	28V
BLF6G27LS-135,118	-	询价	6153	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	SOT-502B	BLF6G27	2.5GHz～2.7GHz	LDMOS	SOT502B	下载		1（无限制）	REACH 不出行	934061172118	EAR99	8541.29.0075	100		34A	1.2A	20W	16分贝	-	32V
CGH40010F	76.0700	询价	2	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	不适合新设计	84V		440166	CGH40	0Hz～6GHz	HEMT	440166	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		CGH40010FE	EAR99	8541.29.0075	250		3.5A	200毫安	12.5W	14.5分贝	-	28V
MRF6S21060MBR1	-	询价	3648	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	68V		TO-272-4	MRF6	2.12GHz	LDMOS	TO-272 WB-4	下载	不符合RoHS标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	500		-	第610章	14W	15.5分贝	-	28V
BLC9H10XS-60PY	47.9100	询价	3702	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极			-	BLC9	-	-	-	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	934960104518	EAR99	8541.29.0075	100	-	-		-	-	-
IRF214	-	询价	8900	哈里斯公司	*	大部分	的积极								-	不适用	3（168小时）	供应商未定义				1

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

射频场效应管、MOSFET(4585)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²