射频场效应管、MOSFET(4585)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	噪声系数	电压 - 测试
BLF245B,112	-	询价	1003	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	65V	安装结构	SOT-279A		175兆赫	场效应晶体管	CDFM4	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20	2 N 沟道（双）公共源	4.5A	25毫安	30W	18分贝	-	28V
MRF8P23080HSR3	-	询价	7619	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	表面贴装	NI-780S-4L	MRF8	2.3GHz	LDMOS	NI-780S-4L	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	935321471128	EAR99	8541.29.0075	250	双重的	-	280毫安	16W	14.6分贝	-	28V
BLF6G27S-45,118	-	询价	4142	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	SOT-608B	BLF6G27	2.7GHz	LDMOS	CDFM2	下载		1（无限制）	REACH 不出行	934060912118	EAR99	8541.29.0075	100		20A	350毫安	7W	18分贝	-	28V
MRF8P18265HSR5	-	询价	8158	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	SOT-1110B	MRF8	1.88GHz	LDMOS	NI1230S-8	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50		-	800毫安	72W	16分贝	-	30V
MRF19030LSR3	-	询价	8375	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	NI-400S	MRF19	1.96GHz	LDMOS	NI-400S	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		5A991G	8542.31.0001	250		-	300毫安	30W	13分贝	-	26V
BLF7G27LS-100,118	-	询价	4641	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	SOT-502B	BLF7	2.5GHz～2.7GHz	LDMOS	SOT502B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	934064592118	EAR99	8541.29.0095	100		28A	900毫安	20W	18分贝	-	28V
STAC4933	113.3700	询价	53	意法半导体	-	盒子	过时的	200V		STAC177B	STAC4933	30兆赫兹	场效应晶体管	STAC177B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	25	N沟道	40A	250毫安	300W	24分贝	-	50V
MRF7S38040HR5	-	询价	7382	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	NI-400-240	MRF7	3.4GHz～3.6GHz	LDMOS	NI-400-240	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50		-	450毫安	8W	14分贝	-	30V
TP44100SG	-	询价	3	泰戈尔科技	-	卷带式 (TR)	的积极	650伏	表面贴装	22电源VFQFN	TP44100	-	N化晶体管高电子迁移率晶体管	22-QFN (5x7)	下载		1（无限制）					1	P沟道	-		-	-	-
BLC2425M8LS300PZ	123.8550	询价	2186	Ampleon美国公司	-	托盘	不适合新设计	65V	表面贴装	SOT1250-1	BLC2425	2.45GHz	LDMOS	SOT1250-1	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20	双重、共同来源	-	20毫安	300W	17.5分贝	-	32V
BF2040WH6814XTSA1	-	询价	1018	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	8V	表面贴装	SC-82A、SOT-343	BF2040	800兆赫	场效应晶体管	PG-SOT343-3D	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	N沟道	40毫安	15毫安	-	23分贝	1.6分贝	5V
BLF8G20LS-140GVJ	-	询价	3256	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	SOT-1244B		1.81GHz～1.88GHz	LDMOS	CDFM6	下载		1（无限制）	REACH 不出行	934068305118	过时的	0000.00.0000	100		-	900毫安	35W	18.5分贝	-	28V
MRF6P21190HR5	154.4000	询价	5971	飞思卡尔半导体	-	大部分	过时的	68V	安装结构	NI-1230		2.12GHz	LDMOS	NI-1230	-						0000.00.0000	1		-	1.9安	44W	15.5分贝	-	28V
MMBFJ309	-	询价	8466	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	25V	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	MMBFJ3	450兆赫	结型场效应晶体管	SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	N沟道	30毫安	10毫安	-	12分贝	3分贝	10V
MRF6S21100HR5	-	询价	6555	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	68V	安装结构	SOT-957A	MRF6	2.11GHz～2.17GHz	LDMOS	NI-780H-2L	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50		-	950毫安	23W	15.9分贝	-	28V
MRFE6S9160HR3	-	询价	1884年	飞思卡尔半导体	-	大部分	的积极	66伏		SOT-957A	MRFE6	880兆赫	LDMOS	NI-780H-2L	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0075	2		-	1.2A	35W	21分贝	-	28V
J300	-	询价	8663	onsemi	-	大部分	过时的	25V	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)	J300	-	结型场效应晶体管	TO-92-3	-		1（无限制）	REACH 不出行	J300FS	EAR99	8541.21.0075	2,000	N沟道	-		-	-	-
PXAC213308FV-V1-R2	-	询价	2895	沃尔夫斯皮德公司	*	卷带式 (TR)	过时的				PXAC213308				下载	符合RoHS标准	1（无限制）			过时的		250
PD55035-E	-	询价	4649	意法半导体	-	管子	过时的	40V		PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2个结构楼梯）	PD55035	500兆赫	LDMOS	PowerSO-10RF（成型原理）	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		7A	200毫安	35W	16.9分贝	-	12.5V
VRF154FLMP	-	询价	4370	微芯片	-	管子	的积极	170伏		4-SMD	VRF154	80兆赫	场效应晶体管	-	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1	N沟道	4毫安	800毫安	600W	17分贝	-	50V
BLF242,112	-	询价	6562	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	65V	安装结构	SOT-123A		175兆赫	场效应晶体管	CRFM4	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20	N沟道	1A	10毫安	5W	16分贝	-	28V
MRF5S21130HSR5	-	询价	8762	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	表面贴装	NI-880S	MRF5	2.11GHz～2.17GHz	LDMOS	NI-880S	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		5A991G	8541.29.0075	50		-	1.2A	28W	13.5分贝	-	28V
GTVA261701FA-V1-R0	108.9952	询价	6293	沃尔夫斯皮德公司	*	卷带式 (TR)	的积极				GTVA261701				下载	符合RoHS标准	3（168小时）			EAR99	8541.29.0075	50
2SK315F-SPA-AC	0.2500	询价	第362章	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	1
BLM9D2327-25BZ	-	询价	3750	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	28V	表面贴装	20-QFN 裸露焊盘	BLM9	2.3GHz～2.7GHz	LDMOS	20-PQFN (8x8)	下载		3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	500		-		25W	-	-
MMRF1009HR5	594.7988	询价	8031	恩智浦	-	卷带式 (TR)	最后一次购买	110V	安装结构	SOT-957A	MMRF1009	1.03GHz	LDMOS	NI-780H-2L	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50		-	200毫安	500W	19.7分贝	-	50V
BLF2425M7LS140,112	-	询价	7350	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	65V	安装结构	SOT-502B	BLF2425	2.45GHz	LDMOS	SOT502B	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20		-	1.3A	140W	18.5分贝	-	28V
MRFG35005MR5	-	询价	3403	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	15V	表面贴装	PLD-1.5	MRFG35	3.55GHz	pHEMT场效应管	PLD-1.5	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50		-	80毫安	4.5W	11分贝	-	12V
BF1204,115	-	询价	8977	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	10V	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	BF120	400兆赫	场效应晶体管	6-TSSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	N 沟道双感应	30毫安	12毫安	-	30分贝	0.9分贝	5V
PTFA092211FLV4R250XTMA1	-	询价	3074	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	表面贴装	2 箔封装、翅片安装、法兰式		920MHz～960MHz	LDMOS	H-34288-2	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP000688950	5A991G	8541.29.0095	250		-	1.75安	50W	18分贝	-	30V

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

射频场效应管、MOSFET(4585)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²