射频场效应管、MOSFET(4585)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	噪声系数	电压 - 测试
BF1108R,215	-	询价	2811	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	3V	表面贴装	SOT-143R	BF110	-	场效应晶体管	SOT-143R	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000	N沟道	10毫安		-	-	-
BLF8G10LS-160,118	-	询价	5849	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	SOT-502B	BLF8	920MHz～960MHz	LDMOS	SOT502B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	100		-	1.1安	35W	19.7分贝	-	30V
IGT1112M90	1.0000	询价	6547	Integra技术公司	*	托盘	的积极				IGT1112				下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		2251-IGT1112M90	宣传册3A001B3	8541.29.0075	5
BLC9H10XS-505AY	91.7700	询价	3928	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	110V	表面贴装	SOT-1273-1	BLC9	617MHz～960MHz	LDMOS	SOT1273-1	-	符合ROHS3标准			1603-BLC9H10XS-505AYTR			100	2 N 沟道（双）公共源	1.4微安		500W	18.2分贝	-	48V
NTD4809N-35H	0.2000	询价	108	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1
MCH6615-TL-E	0.2100	询价	6	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	3,000
BLD6G21LS-50,112	-	询价	8650	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	65V	表面贴装	SOT-1130B		2.02GHz	LDMOS	CDFM4	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20	双重、共同来源	10.2A	170毫安	8W	14.5分贝	-	28V
NE3508M04-A	-	询价	6568	西尔	-	大部分	过时的	4V		SOT-343F		2GHz	第一个化镓异质结场效应管	F4TSMM、M04	下载		1（无限制）	REACH 不出行	NE3508M04A	EAR99	8541.21.0075	1		120毫安	10毫安	18分贝	14分贝	0.45分贝	2V
RF2L36075CF2	127.0500	询价	27	意法半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	60V	表面贴装	B2		3.6GHz	LDMOS	B2	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	497-RF2L36075CF2TR	EAR99	8541.29.0095	120		1微安	600毫安	75W	12.5分贝	-	28V
ON5238,118	-	询价	6850	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	TO-263-5、D²Pak（4引脚+接片）、TO-263BB	ON52	-	-	D2PAK	-	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行	934056900118	EAR99	8541.29.0095	800	-	-		-	-	-
BLF7G27LS-140,112	-	询价	2553	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	65V	安装结构	SOT-502B	BLF7G27	2.5GHz～2.7GHz	LDMOS	SOT502B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20		28A	1.3A	30W	16.5分贝	-	28V
1214GN-400LV	-	询价	6732	微芯片	左室	大部分	的积极	150伏	表面贴装	55-KR		1.2GHz～1.4GHz	HEMT	55-KR	下载			REACH 不出行	150-1214GN-400LV	EAR99	8541.29.0095	1		-	200毫安	400W	16.8分贝	-	50V
BLC10G18XS-550AVTY	111.5400	询价	第1448章	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	65V	表面贴装	SOT-1258-4	BLC10	1.805GHz～1.88GHz	LDMOS	SOT1258-4	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	934960128518	EAR99	8541.29.0075	100	双重、共同来源	2.8微安	800毫安	550W	16分贝	-	28V
BLF9G20LS-160VJ	-	询价	8980	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	SOT-1120B	BLF9	1.81GHz～1.88GHz	LDMOS	LDMOST	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	100		-	800毫安	35.5W	19.8分贝	-	28V
MRF7S18125AHSR5	-	询价	6379	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	NI-780S	MRF7	1.88GHz	LDMOS	NI-780S	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50		-	1.1安	125W	17分贝	-	28V
MCH6305-H-TL-E	0.1500	询价	第279章	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	3,000
MRF5S18060NR1	-	询价	2602	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	TO-270AB	MRF5	1.88GHz	场效应晶体管	TO-270 WB-4	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	500	N沟道	-		60W	-	-
MRF1517NT1	-	询价	4699	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	25V	表面贴装	PLD-1.5	MRF15	520兆赫	LDMOS	PLD-1.5	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	1,000		4A	150毫安	8W	14分贝	-	7.5V
BLF7G24L-140,112	-	询价	2605	Ampleon美国公司	-	管子	过时的	65V	安装结构	SOT-502A	BLF7G24	2.3GHz～2.4GHz	LDMOS	SOT502A	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20		28A	1.3A	30W	18.5分贝	-	28V
BLM9D3437-12AMZ	21.9800	询价	第851章	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	65V	表面贴装	20-VLGA裸焊盘	BLM9	3.4GHz～3.7GHz	LDMOS	20-LGA (7x7)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	-	-		-	30分贝	-
PTFA220041M-V4	7.0516	询价	3793	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	65V	表面贴装	10-LDFN 裸露焊盘	PTFA220041	940兆赫	LDMOS	PG-SON-10	下载	符合RoHS标准	3（168小时）			EAR99	8541.29.0075	500		-	50毫安	5W	18.5分贝	-	28V
BLF984PU	144.4400	询价	第526章	Ampleon美国公司	-	托盘	的积极	104V	安装结构	SOT-1121A	BLF984	470MHz～860MHz	LDMOS	CDFM4	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20	双重、共同来源	1.4微安	650毫安	350W	21分贝	-	50V
NPT1007B	-	询价	8997	MACOM技术解决方案	-	大部分	过时的	100伏		-		900兆赫	HEMT	-	下载		1（无限制）	REACH 不出行	1465-1772	EAR99	8541.29.0095	1		20.5A	1.4A	53分贝	18.3分贝	-	28V
MRF5S21150HSR5	-	询价	2179	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V		NI-880S	MRF5	2.11GHz～2.17GHz	LDMOS	NI-880S	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50		-	1.3A	33W	12.5分贝	-	28V
UF2840P	101.1974	询价	6314	MACOM技术解决方案	-	大部分	的积极	65V	安装结构	4L-FLG	UF2840	500兆赫	场效应晶体管	4L-FLG	-				1465-UF2840P			1	2 N 沟道	1毫安	500毫安	40W	10分贝	-	28V
IGN2729M400R2	797.3400	询价	10	Integra技术公司	*	托盘	的积极				IGN2729				下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		2251-IGN2729M400R2	EAR99	8541.29.0075	5
BF1102R,135	-	询价	4804	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	7V	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	BF110	800兆赫	场效应晶体管	6-TSSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	934055823135	EAR99	8541.21.0095	10,000	N 沟道双感应	40毫安	15毫安	-	-	2分贝	5V
WP2806008UH	52.1750	询价	12	威皮亚有限公司	-	盒子	的积极	160伏	通孔	360BH		6GHz	N化晶体管高电子迁移率晶体管	360BH	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		3140-WP2806008UH	EAR99	8541.29.0075	2		-	70毫安	6W	11分贝	-	28V
A2T26H165-24SR3128	127.1600	询价	第497章	恩智浦	*	大部分	的积极								下载					EAR99	8541.29.0075	1
PTFA192001EV4T350XWSA1	-	询价	8309	英飞凌科技	*	卷带式 (TR)	过时的								下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP000393368	EAR99	8541.29.0075	50

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

射频场效应管、MOSFET(4585)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²