射频场效应管、MOSFET(4585)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	噪声系数	电压 - 测试
CLL3H0914L-700U	596.7000	询价	43	Ampleon美国公司	慢性白化病	托盘	的积极	150伏	安装结构	SOT-502A		900MHz～1.4GHz	场效应晶体管	SOT502A	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	20	N沟道	-	500毫安	700W	17分贝	-	50V
MPF102G	-	询价	1325	onsemi	-	大部分	过时的	25V	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	强积金102	-	结型场效应晶体管	TO-92 (TO-226)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.33.0001	1,000	N沟道	20毫安		-	-	-
MRFG35005ANT1	-	询价	1116	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	15V	表面贴装	PLD-1.5	MRFG35	3.55GHz	pHEMT场效应管	PLD-1.5	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	935313745515	EAR99	8541.29.0075	1,000		-	80毫安	4.5W	11分贝	-	12V
ON5520,215	-	询价	3450	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	ON5520	-	-	SOT-23 (TO-236AB)	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	934063418215	EAR99	8541.29.0095	3,000	-	-		-	-	-
PTFA091201E-V4-R250	-	询价	8660	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	表面贴装	2 纸张封装，鳍片底部	PTFA091201	960兆赫	LDMOS	H-36248-2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	250		10微安	750毫安	110W	19分贝	-	28V
BLF8G38LS-75VU	-	询价	9395	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	65V	安装结构	SOT-1239B	BLF8	3.4GHz～3.6GHz	LDMOS	CDFM6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20		-	600毫安	20W	15.5分贝	-	30V
MRF7S24250NR3	151.2300	询价	250	飞思卡尔半导体	-	大部分	的积极	65V	表面贴装	OM-780-2		2.45GHz	LDMOS	OM-780-2	下载					EAR99	8541.29.0075	1		-	100毫安	256W	14.7分贝	-	30V
MRF8S19140HSR5	-	询价	5230	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	NI-780S	MRF8	1.96GHz	LDMOS	NI-780S	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	935314248178	EAR99	8541.29.0075	50		-	1.1安	34W	19.1分贝	-	28V
MRF6S21100HR3	-	询价	8129	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	68V	安装结构	SOT-957A	MRF6	2.11GHz～2.17GHz	LDMOS	NI-780H-2L	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	250		-	950毫安	23W	15.9分贝	-	28V
MRF6V2010GNR1	-	询价	2528	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	110V		TO-270BA	MRF6	220兆赫	LDMOS	TO-270G-2	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	935321298528	EAR99	8541.29.0075	500		-	30毫安	10W	23.9分贝	-	50V
AFT09MP055NR1	21.9432	询价	8536	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极	40V	表面贴装	TO-270AB	AF09	870兆赫	LDMOS	TO-270 WB-4	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	935315139528	EAR99	8541.29.0075	500		-	550毫安	1W	15.7分贝	-	12.5V
MAGX-000035-015000	-	询价	4825	MACOM技术解决方案	-	大部分	过时的	65V		-		0Hz～3GHz	HEMT	-	下载		1（无限制）	REACH 不出行	1465-1497	EAR99	8541.29.0095	25		800毫安	15毫安	500毫W	15.5分贝	-	50V
PD57030S	-	询价	3708	意法半导体	-	管子	过时的	65V		PowerSO-10 裸露底垫	PD57030	945兆赫	LDMOS	10-PowerSO	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		4A	50毫安	30W	14分贝	-	28V
0912GN-250V	-	询价	7349	微芯片	V	大部分	的积极	65V		2 箔封装、翅片安装、法兰式		960MHz～1.215GHz	HEMT	-	下载			REACH 不出行	150-0912GN-250V	EAR99	8541.29.0095	5		-	60毫安	250W	18.5分贝	-	50V
LET9060C	-	询价	2036	意法半导体	-	盒子	过时的	80V		M243	LET9060	945兆赫	LDMOS	M243	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	25		12A	400毫安	75W	18分贝	-	28V
NE25139-T1	-	询价	5366	西尔	-	卷带式 (TR)	过时的	13伏		TO-253-4、TO-253AA	NE251	900兆赫	场效应晶体管	SOT-143	-	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.21.0075	3,000	双门	40毫安	10毫安	-	20分贝	1.1分贝	5V
BLF4G20-110B,112	-	询价	8688	恩智浦	-	托盘	过时的	65V	安装结构	SOT-502A	BLF4	1.93GHz～1.99GHz	LDMOS	LDMOST	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	60		12A	700毫安	100W	13.5分贝	-	28V
BF1100R,215	-	询价	第1647章	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	14V	表面贴装	SOT-143R	BF110	800兆赫	场效应晶体管	SOT-143R	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	N 沟道双感应	30毫安	10毫安	-	-	2分贝	9V
BLF988S,112	-	询价	3483	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	110V	表面贴装	SOT-539B		860兆赫	LDMOS	SOT539B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	934066287112	EAR99	8541.29.0095	20	双重、共同来源	-	1.3A	250W	20.8分贝	-	50V
PTFA071701FV4XWSA1	-	询价	5275	英飞凌科技	-	托盘	过时的	65V	表面贴装	2 箔封装、翅片安装、法兰式	PTFA071701	765兆赫	LDMOS	H-37248-2	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50		-	900毫安	150W	18.7分贝	-	30V
BLF4G20LS-130,112	-	询价	8910	恩智浦	-	托盘	过时的	65V	安装结构	SOT-502B	BLF4	1.93GHz～1.99GHz	LDMOS	SOT502B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	60		15A	900毫安	130W	14.6分贝	-	28V
ARF477FL	152.7000	询价	42	微芯片	-	大部分	的积极	500V		-	ARF477	65兆赫	场效应晶体管	-	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1	2 N 沟道（双）公共源	15A		400W	16分贝	-	150伏
ARF460BG	56.6600	询价	8272	微芯片	-	管子	的积极	500V		TO-247-3	ARF460	40.68兆赫	场效应晶体管	TO-247CS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	30	N沟道	14A	50毫安	-	15分贝	-	125V
BLF546,112	-	询价	4177	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	65V		SOT-268A		500兆赫	场效应晶体管	CDFM4	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20	2 N 沟道（双）公共源	9A	80毫安	80W	13分贝	-	28V
BLF10M6200U	-	询价	1300	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	65V	安装结构	SOT-502A		871.5MHz～891.5MHz	LDMOS	SOT502A	下载		1（无限制）	REACH 不出行	934067778112	过时的	0000.00.0000	20		-	1.4A	40W	20分贝	-	28V
PTRA095908NB-V1-R2	112.0494	询价	5157	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	HB2SOF-6-1	PTRA095908	925MHz～960MHz	LDMOS	PG-HB2SOF-6-1	-				1697-PTRA095908NB-V1-R2TR			250	-	-		-	17.5分贝	-
BLC9G22LS-160VTY	66.6600	询价	8880	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	65V		SOT-1271-3	BLC9	2.11GHz～2.2GHz	LDMOS	SOT-1271-3	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	934960066518	EAR99	8541.29.0075	100		2.8微安	第864章	35W	18.4分贝	-	28V
MRF5S4125NBR1	-	询价	6139	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	TO-272BB	MRF5	465兆赫	LDMOS	TO-272 WB-4	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	500		-	1.1安	25W	23分贝	-	28V
BLF278	159.9900	询价	6	罗彻斯特电子有限责任公司	-	大部分	过时的	125V		SOT-262A1		-	场效应晶体管	CDFM4	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-BLF278-2156	EAR99	8541.29.0075	2	2 N 沟道（双）公共源	2.5毫安	200毫安	300W	18分贝	-	50V
BLP9H10-30GZ	27.0800	询价	164	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-1483-1	BLP9	-	-	SOT1483-1	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	500	-	-		-	-	-

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

射频场效应管、MOSFET(4585)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²