射频场效应管、MOSFET(4585)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	噪声系数	电压 - 测试
MRF5S19060NBR1	-	询价	5540	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	TO-272BB	MRF5	1.99GHz	LDMOS	TO-272 WB-4	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	500		-	750毫安	12W	14分贝	-	28V
AFT21S232SR3	-	询价	4791	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	NI-780S	AF21	2.11GHz	LDMOS	NI-780S	-	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	935311357128	5A991G	8541.29.0095	250		-	1.5A	50W	16.7分贝	-	28V
BLF8G27LS-100GVQ	-	询价	8299	Ampleon美国公司	-	管子	过时的	65V	安装结构	SOT-1244C	BLF8	2.5GHz～2.7GHz	LDMOS	CDFM6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	24		-	900毫安	25W	17分贝	-	28V
VEC2610-TL-E	0.2200	询价	630	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	3,000
ON5174,118	-	询价	2377	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	TO-263-5、D²Pak（4引脚+接片）、TO-263BB	ON51	-	-	D2PAK	-	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	934056352118	EAR99	8541.29.0095	800	-	-		-	-	-
NE5550779A-A	-	询价	3393	西尔	-	条	过时的	30V		4-SMD，写入	NE5550	900兆赫	LDMOS	79A	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		2.1A	140毫安	38.5dBm	22分贝	-	7.5V
MRF6V12500GSR5	581.4510	询价	5990	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极	110V	表面贴装	NI-780GS-2L	MRF6V12500	960MHz～1.215GHz	LDMOS	NI-780GS-2L	-	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	935326078178	EAR99	8541.29.0075	50		200微安	200毫安	-	19.7分贝	-	50V
BLF3G21-6,112	-	询价	4000	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	65V	表面贴装	SOT-538A	BLF3G21	2GHz	LDMOS	2-CSMD	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20		2.3A	90毫安	6W	15.5分贝	-	26V
AFV121KHR5	749.9594	询价	6321	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极	112V	安装结构	SOT-979A	AFV121	960MHz～1.22GHz	LDMOS	NI-1230-4H	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	935323779178	EAR99	8541.29.0075	50	双重的	-	100毫安	1000W	19.6分贝	-	50V
MRFX600HSR5	140.6500	询价	30	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极	179伏	表面贴装	NI-780S-4L	MRFX600	1.8MHz～400MHz	LDMOS	NI-780S-4L	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50	双重的	10微安	100毫安	600W	26.4分贝	-	65V
MRF6S18100NBR1	-	询价	7298	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	68V	安装结构	TO-272BB	MRF6	1.99GHz	LDMOS	TO-272 WB-4	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	500		-	900毫安	100W	14.5分贝	-	28V
ATF-36163-BLKG	-	询价	7426	博通有限公司	-	大部分	过时的	3V		6-TSSOP、SC-88、SOT-363	ATF-36163	4GHz	pHEMT场效应管	SOT-363	-		1（无限制）	REACH 不出行		5A991G	8541.21.0075	100		40毫安	15毫安	5分贝	15.8分贝	0.6分贝	2V
BLF4G10LS-160,112	-	询价	6550	恩智浦	-	托盘	过时的	65V	安装结构	SOT-502B	BLF4	894.2兆赫	LDMOS	SOT502B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	60		15A	900毫安	160W	19.7分贝	-	28V
MRF8S21200HSR6	113.8400	询价	139	飞思卡尔半导体	-	大部分	的积极	65V		NI-1230S	MRF8	2.14GHz	LDMOS	NI-1230S	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1	双重的	-	1.4A	48W	18.1分贝	-	28V
BLA1011-200R,112	-	询价	8858	Ampleon美国公司	-	管子	过时的	75V	安装结构	SOT-502A	BLA1011	1.03GHz～1.09GHz	LDMOS	SOT502A	下载		1（无限制）	REACH 不出行	934063384112	EAR99	8541.29.0075	20		-	150毫安	200W	13分贝	-	36V
MAGX-002731-180L00	-	询价	8266	MACOM技术解决方案	-	大部分	过时的	65V		-		2.7GHz～3.1GHz	HEMT	-	下载		1（无限制）	REACH 不出行	1465-1093	EAR99	8541.29.0075	5		500毫安	500毫安	180W	11.2分贝	-	50V
BLF8G10LS-270GV,12	-	询价	6286	Ampleon美国公司	-	管子	过时的	65V	安装结构	SOT-1244C	BLF8	871.5MHz～891.5MHz	LDMOS	CDFM6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	24		-	2A	67W	19.5分贝	-	28V
PTFA192001EV4R0XTMA1	-	询价	6068	英飞凌科技	-	条	过时的	65V		2 箔封装、翅片安装、法兰式		1.93GHz～1.99GHz	LDMOS	H-36260-2	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001422970	EAR99	8541.29.0095	50		10微安	1.6安	200W	15.9分贝	-	30V
BLF6G22LS-75,118	-	询价	5234	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	SOT-502B	BLF6G22	2.11GHz～2.17GHz	LDMOS	SOT502B	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	100		18A	第690章	17W	18.7分贝	-	28V
GTRB206002FC/1-V1-R2	148.6720	询价	2880	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	48V	表面贴装	H-37248C-4	GTRB206002	1.93GHz～2.02GHz	HEMT	H-37248C-4	-				1697-GTRB206002FC/1-V1-R2TR			250	-	-		500W	14.8分贝	-
CG2H80060D-GP4	110.5810	询价	6090	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	的积极	120V		死	CG2H80060	8GHz	HEMT	死	下载		1（无限制）			EAR99	8541.21.0040	10		14A		60W	12分贝	-	28V
BLF189XRAU	279.1600	询价	第426章	Ampleon美国公司	-	托盘	的积极	135V	安装结构	SOT-539A	BLF189	500兆赫	LDMOS	SOT539A	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20	双重、共同来源	2.8微安	150毫安	1700W	26.2分贝	-	50V
MRF9135LSR5	-	询价	1874年	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	NI-780S	MRF91	880兆赫	LDMOS	NI-780S	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.31.0001	50		-	1.1安	25W	17.8分贝	-	26V
PTFA091503ELV4R250XTMA1	-	询价	7005	英飞凌科技	*	卷带式 (TR)	过时的								下载		3（168小时）	REACH 不出行	SP000862070	EAR99	8541.29.0095	250
NE3515S02-A	-	询价	9590	西尔	-	大部分	过时的	4V		4-SMD，写入	NE3515	12GHz	第一个化镓异质结场效应管	S02	下载		1（无限制）	REACH 不出行	NE3515S02A	EAR99	8541.21.0075	1		88毫安	10毫安	14分贝	12.5分贝	0.3分贝	2V
B11G1822N60DYZ	49.9600	询价	290	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	65V	表面贴装	36-QFN 裸露焊盘		1.8GHz～2.2GHz	LDMOS	36-PQFN (12x7)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	300	双重的	1.4微安		-	32分贝	-
BLF7G27L-100,112	-	询价	6774	Ampleon美国公司	-	管子	过时的	65V	安装结构	SOT-502A	BLF7G27	2.5GHz～2.7GHz	LDMOS	SOT502A	下载		1（无限制）	REACH 不出行	934064591112	EAR99	8541.29.0095	20		28A	900毫安	20W	18分贝	-	28V
RFM01U7P(TE12L,F)	1.2713	询价	3591	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	20V	表面贴装	TO-243AA	RFM01U7	520兆赫	场效应晶体管	PW-MINI	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	1,000	N沟道	1A	100毫安	1.2W	10.8分贝	-	7.2V
BF992,215	-	询价	9440	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	20V	表面贴装	TO-253-4、TO-253AA	BF992	200兆赫	场效应晶体管	SOT-143B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	N 沟道双感应	40毫安	15毫安	-	-	1.2分贝	10V
PD57006S-E	-	询价	5460	意法半导体	-	管子	过时的	65V		PowerSO-10 裸露底垫	PD57006	945兆赫	LDMOS	PowerSO-10RF（直读）	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		1A	70毫安	6W	15分贝	-	28V

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

射频场效应管、MOSFET(4585)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²