射频场效应管、MOSFET(4585)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	噪声系数	电压 - 测试
BLP05H6250XRY	51.7600	询价	29	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	135V	表面贴装	SOT-1223-2	BLP05	108兆赫	LDMOS	4-HSOPF	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	100	双重、共同来源	-	100毫安	250W	27分贝	-	50V
BLF8G22LS-140J	-	询价	第1345章	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	SOT-502B	BLF8	2.11GHz	LDMOS	SOT502B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	934067454118	EAR99	8541.29.0095	100		-	900毫安	33W	18.5分贝	-	28V
BLF8G22LS-200V,112	-	询价	7251	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	65V	安装结构	SOT-1244B	BLF8	2.11GHz～2.17GHz	LDMOS	CDFM6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	934066758112	EAR99	8541.29.0075	20		-	2A	55W	19分贝	-	28V
BLS6G2731-120,112	262.3600	询价	6776	Ampleon美国公司	-	托盘	不适合新设计	60V	安装结构	SOT-502A	BLS6	2.7GHz～3.1GHz	LDMOS	SOT502A	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20		33A	100毫安	120W	13.5分贝	-	32V
BLA9H0912LS-700U	344.1200	询价	19	Ampleon美国公司	-	托盘	SIC停产	106伏	安装结构	SOT-502B	BLA9	960MHz～1.215GHz	LDMOS	SOT502B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20		2.8微安	100毫安	700W	20分贝	-	50V
A2T18H160-24SR3	-	询价	1934年	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	NI-780S-4L2L	A2T18	1.81GHz	LDMOS	NI-780S-4L2L	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	250	双重的	-	400毫安	28W	17.9分贝	-	28V
MRF7S38010HSR3	-	询价	9616	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	表面贴装	NI-400S-2S	MRF7	3.4GHz～3.6GHz	LDMOS	NI-400S-2S	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	250		-	160毫安	2W	15分贝	-	30V
MRF21125R3	122.1100	询价	809	飞思卡尔半导体	-	大部分	的积极	65V	安装结构	SOT-957A		2.11GHz～2.17GHz	场效应晶体管	NI-880H-2L	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	0000.00.0000	250	N沟道	10微安	1.6安	125W	13分贝	-	28V
PTFA092213ELV4T400XWSA1	-	询价	8106	英飞凌科技	*	托盘	过时的								下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP000820802	EAR99	8541.29.0075	40
BF1100R,235	-	询价	2013年	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	14V	表面贴装	SOT-143R	BF110	800兆赫	场效应晶体管	SOT-143R	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	934036560235	EAR99	8541.21.0095	10,000	N 沟道双感应	30毫安	10毫安	-	-	2分贝	9V
PTFB092707FH-V1-R250	-	询价	2276	沃尔夫斯皮德公司	*	卷带式 (TR)	过时的								下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	250
MRF5S21045NR1	-	询价	第1347章	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	68V	表面贴装	TO-270AB	MRF5	2.12GHz	LDMOS	TO-270 WB-4	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	500		-	500毫安	10W	14.5分贝	-	28V
A2I25D025NR1	39.9700	询价	308	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	表面贴装	TO-270-17 变体，薄牛皮	A2I25	2.69GHz	LDMOS	TO-270WB-17	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.33.0001	500	双重的	-	59毫安	3.2W	31.9分贝	-	28V
PTFA212001EV4XWSA1	-	询价	5038	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	SIC停产	65V	安装结构	H-36260-2	PTFA212001	2.14GHz	LDMOS	H-36260-2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	35		10微安	1.6安	50W	15.8分贝	-	30V
BCF030T	21.8200	询价	1	贝雷克斯公司	-	托盘	的积极	12V		死		26.5GHz	场效应管	死	-	符合ROHS3标准	不适用	REACH旅行	4704-BCF030T	EAR99	8541.21.0040	5		120毫安	60毫安	21.5分贝	11.5分贝	1.45分贝	8V
MRF5S19090HSR5	-	询价	2235	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V		NI-780S	MRF5	1.93GHz～1.99GHz	LDMOS	NI-780S	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		5A991G	8541.29.0075	50		-	850毫安	18W	14.5分贝	-	28V
BF 5030 E6327	-	询价	7883	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	8V	表面贴装	TO-253-4、TO-253AA	BF 5030	800兆赫	场效应晶体管	PG-SOT-143-3D	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	N沟道	25毫安	10毫安	-	24分贝	1.3分贝	3V
MAGX-000035-030000	-	询价	8362	MACOM技术解决方案	-	大部分	过时的	50V		-		30MHz～3.5GHz	HEMT	-	下载		1（无限制）	REACH 不出行	1465-1078	EAR99	8541.29.0095	10		2.5毫安	100毫安	30W	13.6分贝	-	50V
NSTR1P02T1G	-	询价	9322	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	3,000
BF909WR,135	-	询价	6031	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	7V	表面贴装	SC-82A、SOT-343	BF909	800兆赫	场效应晶体管	CMPAK-4	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	934028870135	EAR99	8541.21.0095	10,000	N 沟道双感应	40毫安	15毫安	-	-	2分贝	5V
PH3830DLS115	0.5100	询价	10	安世半导体美国公司	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1,500人
BLF184XRU	188.9200	询价	239	Ampleon美国公司	-	托盘	的积极	135V	安装结构	SOT-1214A	BLF184	108兆赫	LDMOS	SOT1214A	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20	双重、共同来源	-	100毫安	700W	23.9分贝	-	50V
BF 1005SR E6327	-	询价	4508	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	8V	表面贴装	SOT-143R	BF 1005	800兆赫	场效应晶体管	PG-SOT-143R-3D	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	N沟道	25毫安		-	22分贝	1.6分贝	5V
MRFG35005NT1	-	询价	3730	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	15V	表面贴装	PLD-1.5	MRFG35	3.55GHz	pHEMT场效应管	PLD-1.5	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,000		-	80毫安	4.5W	11分贝	-	12V
MRF6VP11KHR5	-	询价	9462	飞思卡尔半导体	-	大部分	的积极	110V	安装结构	NI-1230S-4 GW		130兆赫	LDMOS	NI-1230S-4海鸥	下载					EAR99	8541.29.0075	1	双重的	-	150毫安	1000W	26分贝	-	50V
A2T07D160W04SR3	79.2330	询价	2017年	恩智浦	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	70V	表面贴装	NI-780S-4L	A2T07	803兆赫	LDMOS	NI-780S-4L	-	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	935315451128	EAR99	8541.29.0075	250	双重的	-	450毫安	30W	21.5分贝	-	28V
NE3512S02-T1C-A	-	询价	5160	西尔	-	卷带式 (TR)	过时的	4V		4-SMD，写入	NE3512	12GHz	第一个化镓异质结场效应管	S02	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,000		70毫安	10毫安	-	13.5分贝	0.35分贝	2V
MRF7S21170HR3	-	询价	9394	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	SOT-957A	MRF7	2.17GHz	LDMOS	NI-880H-2L	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	250		-	1.4A	50W	16分贝	-	28V
CPH6612-TL-E	0.2000	询价	213	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	3,000
PD84006L-E	9.1600	询价	2	意法半导体	-	卷带式 (TR)	过时的	25V		8-PowerVDFN	PD84006	870兆赫	LDMOS	PowerFLAT™ (5x5)	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		5A	150毫安	2W	15分贝	-	7.5V

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

射频场效应管、MOSFET(4585)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²