射频场效应管、MOSFET(4585)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	噪声系数	电压 - 测试
MRFG35005NR5	-	询价	5665	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	15V	表面贴装	PLD-1.5	MRFG35	3.55GHz	pHEMT场效应管	PLD-1.5	-	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	50		-	80毫安	4.5W	11分贝	-	12V
ATF-541M4-TR1	-	询价	7742	博通有限公司	-	卷带式 (TR)	过时的	5V		0505（1412公制）	ATF-541M4	2GHz	pHEMT场效应管	迷你包 1412	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000		120毫安	60毫安	21.4分贝	17.5分贝	0.5分贝	3V
2SK315E-SPA-AC	0.1000	询价	37	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	1
BLF6G20-230P	-	询价	4878	恩智浦	-	包	过时的	65V	安装结构	SOT-502A	BLF6	1.8GHz	LDMOS	LDMOST	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	Q3815228	EAR99	8541.29.0075	200		5微安	2A	50W	16.5分贝	-	28V
J211	-	询价	5510	onsemi	-	大部分	过时的	25V	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)	J211	-	结型场效应晶体管	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行	J211FS	EAR99	8541.21.0075	2,000	N沟道	20毫安		-	-	-
AFT20P060-4NR3	-	询价	7897	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	表面贴装	OM-780-4L	AF20	2.17GHz	LDMOS	OM-780-4L	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	935311386528	5A991G	8541.29.0040	250	双重的	-	450毫安	6.3W	18.9分贝	-	28V
BLA1011-10,112	-	询价	7626	Ampleon美国公司	-	大部分	过时的	75V	安装结构	SOT-467C	BLA1011	1.03GHz～1.09GHz	LDMOS	SOT467C	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20		2.2A	50毫安	10W	15分贝	-	36V
SD2931-11	-	询价	9840	意法半导体	-	盒子	的积极	125V		M246	SD2931	175兆赫	场效应晶体管	M246	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	25	N沟道	20A	250毫安	150W	15分贝	-	50V
BF245B_D75Z	-	询价	8973	onsemi	-	胶带和盒子 (TB)	过时的	30V	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	BF245	-	结型场效应晶体管	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	2,000	N沟道	15毫安		-	-	-
ON5520,215	-	询价	3450	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	ON5520	-	-	SOT-23 (TO-236AB)	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	934063418215	EAR99	8541.29.0095	3,000	-	-		-	-	-
MAGX-000035-015000	-	询价	4825	MACOM技术解决方案	-	大部分	过时的	65V		-		0Hz～3GHz	HEMT	-	下载		1（无限制）	REACH 不出行	1465-1497	EAR99	8541.29.0095	25		800毫安	15毫安	500毫W	15.5分贝	-	50V
PD57030S	-	询价	3708	意法半导体	-	管子	过时的	65V		PowerSO-10 裸露底垫	PD57030	945兆赫	LDMOS	10-PowerSO	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		4A	50毫安	30W	14分贝	-	28V
BLF546,112	-	询价	4177	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	65V		SOT-268A		500兆赫	场效应晶体管	CDFM4	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20	2 N 沟道（双）公共源	9A	80毫安	80W	13分贝	-	28V
BLF278	159.9900	询价	6	罗彻斯特电子有限责任公司	-	大部分	过时的	125V		SOT-262A1		-	场效应晶体管	CDFM4	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-BLF278-2156	EAR99	8541.29.0075	2	2 N 沟道（双）公共源	2.5毫安	200毫安	300W	18分贝	-	50V
MRF6S21100HR3	-	询价	8129	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	68V	安装结构	SOT-957A	MRF6	2.11GHz～2.17GHz	LDMOS	NI-780H-2L	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	250		-	950毫安	23W	15.9分贝	-	28V
AFT09MP055NR1	21.9432	询价	8536	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极	40V	表面贴装	TO-270AB	AF09	870兆赫	LDMOS	TO-270 WB-4	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	935315139528	EAR99	8541.29.0075	500		-	550毫安	1W	15.7分贝	-	12.5V
PTFA091201E-V4-R250	-	询价	8660	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	表面贴装	2 纸张封装，鳍片底部	PTFA091201	960兆赫	LDMOS	H-36248-2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	250		10微安	750毫安	110W	19分贝	-	28V
BLF10M6200U	-	询价	1300	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	65V	安装结构	SOT-502A		871.5MHz～891.5MHz	LDMOS	SOT502A	下载		1（无限制）	REACH 不出行	934067778112	过时的	0000.00.0000	20		-	1.4A	40W	20分贝	-	28V
BLF988S,112	-	询价	3483	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	110V	表面贴装	SOT-539B		860兆赫	LDMOS	SOT539B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	934066287112	EAR99	8541.29.0095	20	双重、共同来源	-	1.3A	250W	20.8分贝	-	50V
BF1100R,215	-	询价	第1647章	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	14V	表面贴装	SOT-143R	BF110	800兆赫	场效应晶体管	SOT-143R	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	N 沟道双感应	30毫安	10毫安	-	-	2分贝	9V
0912GN-250V	-	询价	7349	微芯片	V	大部分	的积极	65V		2 箔封装、翅片安装、法兰式		960MHz～1.215GHz	HEMT	-	下载			REACH 不出行	150-0912GN-250V	EAR99	8541.29.0095	5		-	60毫安	250W	18.5分贝	-	50V
B11G3742N80DX	-	询价	2037	Ampleon美国公司	-	大部分	的积极	28V	表面贴装	36-QFN 裸露焊盘	B11G3742	3.7GHz～4.2GHz	LDMOS	36-PQFN (12x7)	-	符合ROHS3标准			1603-B11G3742N80DX			1,500人	-	-		-	32分贝	-
BLA8G1011L-300GU	387.4050	询价	9595	Ampleon美国公司	-	托盘	不适合新设计	65V	安装结构	SOT-502A	BLA8	1.06GHz	LDMOS	CDFM2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	934068742112	EAR99	8541.29.0095	20		-	150毫安	300W	16.5分贝	-	32V
C4H2350N05Z	15.7100	询价	第788章	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	150伏	表面贴装	6-VDFN 裸露焊盘		2.3GHz～5GHz	N化镓	6-DFN (4.5x4)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,000		-	10毫安	1.3W	4.6分贝	-	48V
BLF6G10LS-200R,118	-	询价	8584	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	SOT-502B	BLF6G10	-	LDMOS	SOT502B	下载		1（无限制）	REACH 不出行		过时的	0000.00.0000	100		49A	1.4A	40W	-	-	28V
2SK2864-TL-E	2.9800	询价	60	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1,500人
BLF7G20LS-250P,112	-	询价	4985	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	65V	表面贴装	SOT-539B	BLF7G20	1.81GHz～1.88GHz	LDMOS	SOT539B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	934064457112	EAR99	8541.29.0095	20	双重、共同来源	65A	1.9安	70W	18分贝	-	28V
BLSC9G2731XS-200Z	-	询价	8208	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	65V	表面贴装	SOT-1270-1		2.7GHz～3.1GHz	LDMOS	SOT-1270-1	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20		2.8微安	200毫安	200W	14分贝	-	32V
BLA9G1011LS-300U	257.3600	询价	11	Ampleon美国公司	-	托盘	SIC停产		安装结构	SOT-502B	BLA9	1.03GHz～1.09GHz	LDMOS	SOT502B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20		4.2微安	100毫安	317W	21.8分贝	-	32V
BF245A_D75Z	-	询价	1505	onsemi	-	胶带和盒子 (TB)	过时的	30V	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)	BF245	-	结型场效应晶体管	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	2,000	N沟道	6.5毫安		-	-	-

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

射频场效应管、MOSFET(4585)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²