射频场效应管、MOSFET(4585)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	噪声系数	电压 - 测试
VEC2610-TL-E	0.2200	询价	630	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	3,000
MRF6V12500GSR5	581.4510	询价	5990	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极	110V	表面贴装	NI-780GS-2L	MRF6V12500	960MHz～1.215GHz	LDMOS	NI-780GS-2L	-	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	935326078178	EAR99	8541.29.0075	50		200微安	200毫安	-	19.7分贝	-	50V
MRF7S16150HSR3	-	询价	5157	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	NI-780S	MRF7	1.6GHz～1.66GHz	LDMOS	NI-780S	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	250		-	1.5A	32W	19.7分贝	-	28V
MHT1006NT1	-	询价	8020	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	表面贴装	PLD-1.5W	MHT1006	2.17GHz	LDMOS	PLD-1.5W	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,000		-	90毫安	1.26W	21.7分贝	-	28V
MRF8S21200HR5	-	询价	7586	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	NI-1230	MRF8	2.14GHz	LDMOS	NI-1230	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50	双重的	-	1.4A	48W	18.1分贝	-	28V
PTFB213208FV-V2-R2	-	询价	7449	沃尔夫斯皮德公司	*	卷带式 (TR)	过时的								下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0075	250
PTF140451F V1	-	询价	8785	英飞凌科技	金茂®	托盘	SIC停产	65V	表面贴装	2 箔封装、翅片安装、法兰式		1.5GHz	LDMOS	H-31265-2	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		1微安	550毫安	45W	18分贝	-	28V
A3T21H450W23SR6	-	询价	2583	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	ACP-1230S-4L2S	A3T21	2.11GHz～2.2GHz	LDMOS	ACP-1230S-4L2S	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	935352756128	EAR99	8541.29.0075	150		10微安	600毫安	87W	15.4分贝	-	30V
PTRA087008NB-V1-R5	117.0792	询价	5343	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	105V	表面贴装	HB2SOF-6-1	PTRA087008	755MHz～805MHz	LDMOS	PG-HB2SOF-6-1	下载	符合RoHS标准				EAR99	8541.29.0075	500	双重、共同来源	10微安	第540章	650W	18.5分贝	-	48V
MAGX-001090-600L0S	-	询价	2679	MACOM技术解决方案	-	大部分	过时的	65V		-		1.03GHz～1.09GHz	HEMT	-	下载		1（无限制）			过时的	0000.00.0000	10		80A	600毫安	550W	21.4分贝	-	50V
BF998E6327HTSA1	0.1540	询价	7907	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	最后一次购买	12V	表面贴装	TO-253-4、TO-253AA	BF998	45兆赫	场效应晶体管	PG-SOT-143-3D	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	N沟道	30毫安	10毫安	-	28分贝	2.8分贝	8V
A5G23H065NT4	22.0869	询价	5859	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极	125V	表面贴装	6-LDFN 裸露焊盘		2.3GHz～2.4GHz	-	6-PDFN (7x6.5)	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8541.29.0075	2,500人	-	-	30毫安	8.8W	15.5分贝	-	48V
BLF8G20LS-400PVQ	-	询价	4489	恩智浦	-	管子	的积极	65V	安装结构	SOT-1242B	BLF8G20	1.81GHz～1.88GHz	LDMOS	CDFM8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	934067803127	EAR99	8541.29.0075	15	双重的	-	3.4A	95W	19分贝	-	28V
MRF8P20140WHSR5	-	询价	2610	飞思卡尔半导体	-	大部分	过时的	65V	表面贴装	NI-780S-4L		1.88GHz～2.03GHz	LDMOS（双）	NI-780S-4L	-				2156-MRF8P20140WHSR5			1	2 N 沟道	10微安	500毫安	24W	16分贝	-	28V
MMRF1314HR5	603.9620	询价	4362	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极	105V	安装结构	SOT-979A	MMRF1314	1.4GHz	LDMOS	NI-1230-4H	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50	双重的	-	100毫安	1000W	17.7分贝	-	50V
BLF9G38-10GJ	-	询价	5409	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	28V		SOT-975C		3.4GHz～3.8GHz	LDMOS	SOT-975C	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	100		-		10W	-	-
2N5952_D75Z	-	询价	9003	onsemi	-	胶带和盒子 (TB)	过时的	30V	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	2N5952	1kHz	结型场效应晶体管	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,000	N沟道	8毫安		-	-	2分贝	15V
MRF6V13250HSR3	-	询价	1648	恩智浦	-	卷带式 (TR)	SIC停产	120V	安装结构	NI-780S	MRF6	1.3GHz	LDMOS	NI-780S	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	250		-	100毫安	250W	22.7分贝	-	50V
PRF13750HR9	-	询价	9261	恩智浦	-	条	过时的	105V		SOT-979A	PRF13	700MHz～1.3GHz	LDMOS	NI-1230-4H	-		1（无限制）	REACH 不出行	568-13415	EAR99	8541.29.0075	1	双重的	10微安		650W	20.6分贝	-
PTFB090901EA-V2-R0	-	询价	6198	沃尔夫斯皮德公司	-	条	过时的	65V	安装结构	H-36265-2		960兆赫	LDMOS	H-36265-2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8542.33.0001	50		-	650毫安	25W	19.5分贝	-	28V
PD85015-E	-	询价	4057	意法半导体	-	管子	过时的	40V		PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2个结构楼梯）	PD85015	870兆赫	LDMOS	PowerSO-10RF（成型原理）	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		5A	150毫安	15W	16分贝	-	13.6V
BLF8G27LS-100V，118	-	询价	2205	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	SOT-1244B	BLF8	2.5GHz～2.7GHz	LDMOS	CDFM6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	100		-	900毫安	25W	17分贝	-	28V
BLF6G27-100,112	-	询价	7719	Ampleon美国公司	-	管子	过时的	65V	安装结构	SOT-502A	BLF6G27	-	LDMOS	SOT502A	下载		1（无限制）	REACH 不出行	934064315112	EAR99	8541.29.0095	20		29A	900毫安	14W	-	-	28V
ATF-551M4-TR1	-	询价	1312	博通有限公司	-	卷带式 (TR)	过时的	5V		0505（1412公制）	ATF-551M4	2GHz	pHEMT场效应管	迷你包 1412	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		100毫安	10毫安	14.6分贝	17.5分贝	0.5分贝	2.7V
BLC9G20XS-550AVTY	-	询价	5703	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V		SOT-1258-7	BLC9	1.805GHz～1.88GHz	LDMOS	SOT-1258-7	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	934069727518	EAR99	8541.29.0075	100		2.8微安	1.1安	580W	15.4分贝	-	28V
MRF6S18100NBR1	56.8700	询价	25	飞思卡尔半导体	-	大部分	的积极	68V		TO-272BB	MRF6	1.99GHz	LDMOS	TO-272 WB-4	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	0000.00.0000	1		-	900毫安	100W	14.5分贝	-	28V
AFT27S006NT1	11.5400	询价	12	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极	65V	表面贴装	PLD-1.5W	AF27	2.17GHz	LDMOS	PLD-1.5W	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		5A991G	8541.29.0095	1,000		-	70毫安	28.8分贝	22分贝	-	28V
MRFE6S9201HSR5	-	询价	7713	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	66伏	安装结构	NI-780S	MRFE6	880兆赫	LDMOS	NI-780S	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50		-	1.4A	40W	20.8分贝	-	28V
AFT26H050W26SR3	-	询价	5840	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	NI-780S-4L4L-8	AF26	2.69GHz	LDMOS	NI-780S-4L4L-8	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	935311268128	EAR99	8541.29.0075	250		-	100毫安	9W	14.2分贝	-	28V
EC4403C-TL	1.0000	询价	2410	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	10,000

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

射频场效应管、MOSFET(4585)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²