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RF FET，MOSFET（4585）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	噪音图	电压 -测试
PTFB213004F-V2-R250	-	RFQ	1497	Wolfspeed，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	表面安装	H-37275-6/2		2.17GHz	ldmos	H-37275-6/2	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	250		-	2.4 a	60W	18db	-	30 V
MRF8P9300HSR6	-	RFQ	5070	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	70 v	底盘安装	NI-1230S	MRF8	960MHz	ldmos	NI-1230S	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935310166128	Ear99	8541.29.0075	150	双重的	-	2.4 a	100W	19.4dB	-	28 V
A2T18H160-24SR3	-	RFQ	1934年	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	NI-780S-4L2L	A2T18	1.81GHz	ldmos	NI-780S-4L2L	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250	双重的	-	400 MA	28W	17.9db	-	28 V
CG2H40035P	144.7807	RFQ	3625	Wolfspeed，Inc。	-	托盘	积极的				CG2H40035	-	-		下载				1697-CG2H40035P			250	-	-		-	-	-
MRF6V14300HR3	-	RFQ	6659	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	100 v	底盘安装	SOT-957A	MRF6	1.4GHz	ldmos	NI-780H-2L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250		-	150 ma	330W	18db	-	50 V
475-501N44A-00	-	RFQ	2270	ixys-rf	de	管子	过时的	500 v		6-SMD，平坦的铅裸垫	475-501N	-	MOSFET	DE475	下载		（1 （无限）	到达受影响	DE475-501N44A-00	Ear99	8541.29.0095	20	n通道	48a		1800W	-	-
CLF1G0035S-100P	277.0500	RFQ	32	Ampleon USA Inc.	*	大部分	积极的								下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-CLF1G0035S-100P-1603			1
PTFA081501E V1	-	RFQ	5758	Infineon技术	Goldmos®	托盘	过时的	65 v	表面安装	2-flatpack，鳍铅，法兰		900MHz	ldmos	H-30248-2	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		10µA	950 MA	150W	18db	-	28 V
VEC2820-TL-E	0.1400	RFQ	108	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
PTVA101K02EV-V1-R250	703.1625	RFQ	5306	Wolfspeed，Inc。	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的				PTVA101				下载	Rohs符合条件	（1 （无限）					250
PTRA087008NB-V1-R5	117.0792	RFQ	5343	Wolfspeed，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	105 v	表面安装	HB2SOF-6-1	PTRA087008	755MHz〜805MHz	ldmos	PG-HB2SOF-6-1	下载	Rohs符合条件				Ear99	8541.29.0075	500	双重，共同来源	10µA	540 MA	650W	18.5db	-	48 v
MRF5S19060NBR1	-	RFQ	5540	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	TO-272BB	MRF5	1.99GHz	ldmos	TO-272 WB-4	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500		-	750 MA	12W	14dB	-	28 V
ON5204,127	-	RFQ	1604	NXP USA Inc.	-	管子	过时的		通过洞	TO-220-5	ON52	-	-	SOT263B-01	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	934056348127	Ear99	8541.29.0095	1,000	-	-		-	-	-
NE3512S02-T1D-A	0.6500	RFQ	16	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	4 V		4-SMD，平坦的铅		12GHz	HFET	S02	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	10,000		70mA	10 MA	-	13.5dB	0.35dB	2 v
PD85015S-E	-	RFQ	9156	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	40 V		Powerso-10裸露的底部垫	PD85015	870MHz	ldmos	Powerso-10rf （直线直线）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		5a	150 ma	15W	16dB	-	13.6 v
MMRF1314H-1200	1.0000	RFQ	2907	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	105 v	底盘安装	SOT-979A		1.2GHz〜1.4GHz	LDMO （双）	NI-1230-4H	-	rohs3符合条件		到达不受影响	568-MMRF1314H-1200			1	2 n通道	10µA	100 ma	1000W	17.7dB	-	52 v
ARF440	-	RFQ	6128	Microsemi Corporation	-	管子	过时的	150 v		TO-247-3		13.56MHz	MOSFET	TO-247AD	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1	n通道	11a	200 ma	125W	21dB	-	50 V
MRFE6S9160HSR5	-	RFQ	4154	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	66 v	底盘安装	NI-780	MRFE6	880MHz	ldmos	NI-780	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50		-	1.2 a	35W	21dB	-	28 V
MRF6S9160HSR3	-	RFQ	8085	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v	底盘安装	NI-780	MRF6	880MHz	ldmos	NI-780	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250		-	1.2 a	35W	20.9db	-	28 V
CPH5870-TL-E	0.2200	RFQ	179	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
BLF7G20LS-250P，112	-	RFQ	4985	Ampleon USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v	表面安装	SOT-539B	BLF7G20	1.81GHZ〜1.88GHz	ldmos	SOT539B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934064457112	Ear99	8541.29.0095	20	双重，共同来源	65a	1.9 a	70W	18db	-	28 V
PXAD214218FV-V1-R2	150.9819	RFQ	8244	Wolfspeed，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	65 v	表面安装	H-37275G-6/2	PXAD214218	2.11GHZ〜2.17GHz	ldmos	H-37275G-6/2	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0075	250		10µA	720 MA	290W	13.5dB	-	28 V
MRFE6VP8600HR6	-	RFQ	8560	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	130 v	底盘安装	NI-1230	MRFE6	860MHz	ldmos	NI-1230	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		5A991G	8541.29.0075	150	双重的	-	1.4 a	125W	19.3db	-	50 V
BLM10D3438-35ABZ	22.4500	RFQ	2	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	65 v	表面安装	20 QFN暴露垫	BLM10	3.4GHz〜3.8GHz	ldmos	20-PQFN（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500		1.4µA	41 MA	-	33dB	-	26 V
NE3512S02-A	-	RFQ	1260	cel	-	大部分	过时的	4 V		4-SMD，平坦的铅	NE3512	12GHz	GAAS HJ-FET	S02	下载		（1 （无限）	到达不受影响	NE3512S02A	Ear99	8541.21.0075	1		70mA	10 MA	-	13.5dB	0.35dB	2 v
BLM7G1822S-80PBY	56.6200	RFQ	100	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	65 v	表面安装	SOT-1211-2	BLM7	2.17GHz	ldmos	16-HSOPF	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.33.0001	100	双重的	-	80 ma	8W	28DB	-	28 V
PTVA123501EC-V2-R250	295.9896	RFQ	1407	Wolfspeed，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				PTVA123501				下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	250
MRF8S9260HSR3	-	RFQ	4924	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	70 v	表面安装	NI-880S	MRF8	960MHz	ldmos	NI-880S	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935319595128	Ear99	8541.29.0075	250		-	1.7 a	75W	18.6dB	-	28 V
MRF6S23140HR3	-	RFQ	6122	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v	底盘安装	SOT-957A	MRF6	2.39GHz	ldmos	NI-880H-2L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250		-	1.3 a	28W	15.2db	-	28 V
B11G3742N80DX	-	RFQ	2037	Ampleon USA Inc.	-	大部分	积极的	28 V	表面安装	36 QFN暴露垫	B11G3742	3.7GHz〜4.2GHz	ldmos	36-PQFN （12x7）	-	rohs3符合条件			1603-B11G3742N80DX			1,500	-	-		-	32dB	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

RF FET，MOSFET（4585）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²