射频场效应管、MOSFET(4585)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	噪声系数	电压 - 测试
BLF6G10LS-200R,118	-	询价	8584	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	SOT-502B	BLF6G10	-	LDMOS	SOT502B	下载		1（无限制）	REACH 不出行		过时的	0000.00.0000	100		49A	1.4A	40W	-	-	28V
BLA8G1011L-300GU	387.4050	询价	9595	Ampleon美国公司	-	托盘	不适合新设计	65V	安装结构	SOT-502A	BLA8	1.06GHz	LDMOS	CDFM2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	934068742112	EAR99	8541.29.0095	20		-	150毫安	300W	16.5分贝	-	32V
BLA9G1011LS-300U	257.3600	询价	11	Ampleon美国公司	-	托盘	SIC停产		安装结构	SOT-502B	BLA9	1.03GHz～1.09GHz	LDMOS	SOT502B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20		4.2微安	100毫安	317W	21.8分贝	-	32V
BLA6H1011-600,112	659.3400	询价	3215	Ampleon美国公司	-	托盘	不适合新设计	100伏	安装结构	SOT-539A	BLA6	1.03GHz～1.09GHz	LDMOS	SOT539A	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20	双重、共同来源	72A	100毫安	600W	17分贝	-	48V
PXAC261202FCV1S250XTMA1	-	询价	3560	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	H-37248-4		2.61GHz	LDMOS	H-37248-4	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001178446	过时的	0000.00.0000	1	双重、共同来源	-	230毫安	28W	13.5分贝	-	28V
2SK2864-TL-E	2.9800	询价	60	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1,500人
B11G3742N80DX	-	询价	2037	Ampleon美国公司	-	大部分	的积极	28V	表面贴装	36-QFN 裸露焊盘	B11G3742	3.7GHz～4.2GHz	LDMOS	36-PQFN (12x7)	-	符合ROHS3标准			1603-B11G3742N80DX			1,500人	-	-		-	32分贝	-
MMBFJ310	-	询价	1959年	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	25V	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	MMBFJ3	450兆赫	结型场效应晶体管	SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	N沟道	60毫安	10毫安	-	12分贝	3分贝	10V
MRF6S21050LR5	-	询价	1638	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	68V	安装结构	NI-400	MRF6	2.16GHz	LDMOS	NI-400	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50		-	450毫安	11.5W	16分贝	-	28V
BLF888B,112	237.1200	询价	第554章	Ampleon美国公司	*	大部分	的积极								下载		供应商未定义	REACH 不出行	2156-BLF888B,112-1603			1
PTFB213208FV-V2-R0	-	询价	7225	沃尔夫斯皮德公司	*	卷带式 (TR)	过时的								下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0075	50
BF998R,235	-	询价	5842	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	12V	表面贴装	SOT-143R	BF998	200兆赫	场效应晶体管	SOT-143R	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	934002660235	EAR99	8541.21.0095	10,000	N 沟道双感应	30毫安	10毫安	-	-	0.6分贝	8V
NE25139-T1-U73	-	询价	6684	西尔	-	卷带式 (TR)	过时的	13伏		TO-253-4、TO-253AA	NE251	900兆赫	场效应晶体管	SOT-143	-	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.21.0075	3,000	双门	40毫安	10毫安	-	20分贝	1.1分贝	5V
PD55035STR-E	-	询价	5819	意法半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	40V		PowerSO-10 裸露底垫	PD55035	500兆赫	LDMOS	PowerSO-10RF（直读）	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	600		7A	200毫安	35W	16.9分贝	-	12.5V
SD56150	-	询价	8698	意法半导体	-	管子	过时的	65V		M252	SD56150	860兆赫	LDMOS	M252	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	15		17A	500毫安	150W	16.5分贝	-	32V
STAC9200	-	询价	7860	意法半导体	-	盒子	过时的	80V	安装结构	STAC244B	STAC9200	1.3GHz	LDMOS	STAC244B	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	80		1微安		230W	18分贝	-
MRFG35010AR5	-	询价	第1393章	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	15V	安装结构	NI-360HF	MRFG35	3.55GHz	pHEMT场效应管	NI-360HF	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	50		-	140毫安	1W	10分贝	-	12V
PD55008TR	-	询价	7961	意法半导体	-	卷带式 (TR)	过时的	40V		PowerSO-10 裸露底垫	PD55008	500兆赫	LDMOS	10-PowerSO	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	600		4A	150毫安	8W	17分贝	-	12.5V
MRF8HP21080HR3	-	询价	1925年	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	NI-780-4	MRF8	2.17GHz	LDMOS	NI-780-4	-	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	935310794128	EAR99	8541.29.0075	250	双重的	-	150毫安	16W	14.4分贝	-	28V
PD84010-E	-	询价	9238	意法半导体	-	管子	过时的	40V		PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2个结构楼梯）	PD84010	870兆赫	LDMOS	PowerSO-10RF（成型原理）	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		8A	300毫安	2W	16.3分贝	-	7.5V
MRFE6S9160HSR5	-	询价	4154	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	66伏	安装结构	NI-780S	MRFE6	880兆赫	LDMOS	NI-780S	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50		-	1.2A	35W	21分贝	-	28V
ARF1501	325.5300	询价	39	微芯片	-	管子	的积极	1000伏		T-1	ARF1501	27.12兆赫	场效应晶体管	T-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	ARF1501MS	EAR99	8541.29.0095	1	N沟道	30A		750W	17分贝	-	250伏
BLF10M6LS160U	-	询价	9656	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	65V	安装结构	SOT-502B		922.5MHz～957.5MHz	LDMOS	SOT502B	下载		1（无限制）	REACH 不出行	934067994112	过时的	0000.00.0000	20		-	1.2A	32W	22.5分贝	-	32V
NPT1004D	62.7700	询价	58	MACOM技术解决方案	-	管子	的积极	100伏	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘	NPT1004	0Hz～4GHz	HEMT	8-SOIC-EP	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）		1465-1413	EAR99	8541.29.0075	95		9.5A	350毫安	37分贝	13分贝	-	28V
BF998RE6327HTSA1	-	询价	7016	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	12V	表面贴装	SOT-143R	BF998	45兆赫	场效应晶体管	PG-SOT-143R-3D	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000	N沟道	30毫安	10毫安	-	28分贝	2.8分贝	8V
BLP35M805Z	17.9600	询价	273	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	表面贴装	16-VDFN 裸露焊盘	BLP35	2.14GHz	LDMOS	16-HVSON (6x4)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	500		-	55毫安	750毫W	18分贝	-	28V
A2G26H281-04SR3	108.8832	询价	1136	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极	125V	表面贴装	NI-780S-4L	A2G26	2.496GHz～2.69GHz	LDMOS	NI-780S-4L	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	935332873128	EAR99	8541.29.0075	250		-	150毫安	50W	14.2分贝	-	48V
MRF7S21210HR5	-	询价	1245	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	SOT-957A	MRF7	2.17GHz	LDMOS	NI-780H-2L	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50		-	1.4A	63W	18.5分贝	-	28V
CG2H40025F	141.2700	询价	4663	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	的积极	120V	安装结构	440166	CG2H40025	6GHz	HEMT	440166	下载		不适用			EAR99	8541.29.0075	250		-	250毫安	-	15分贝	-	28V
MCH3309-TL-H	0.0800	询价	第333章	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	3,000

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

射频场效应管、MOSFET(4585)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²