射频场效应管、MOSFET(4585)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	噪声系数	电压 - 测试
MRF6S19100HR3	-	询价	3060	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	68V	安装结构	SOT-957A	MRF6	1.99GHz	LDMOS	NI-780H-2L	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	935316735128	EAR99	8541.29.0075	250		-	900毫安	22W	16.1分贝	-	28V
MRFG35010R5	-	询价	3303	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	15V	安装结构	NI-360HF	MRFG35	3.55GHz	pHEMT场效应管	NI-360HF	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	50		-	180毫安	10W	10分贝	-	12V
475-501N44A-00	-	询价	2270	IXYS-RF	德	管子	过时的	500V		6-SMD，写入裸露焊盘	475-501N	-	场效应晶体管	DE475	下载		1（无限制）	REACH旅行	DE475-501N44A-00	EAR99	8541.29.0095	20	N沟道	48A		1800W	-	-
BLF8G22LS-200V,118	-	询价	5507	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	SOT-1244B	BLF8	2.11GHz～2.17GHz	LDMOS	CDFM6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	934066758118	EAR99	8541.29.0075	100		-	2A	55W	19分贝	-	28V
BLF6G10LS-200RN,11	-	询价	1943年	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	SOT-502B	BLF6	871.5MHz～891.5MHz	LDMOS	SOT502B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	934063255118	EAR99	8541.29.0075	100		49A	1.4A	40W	20分贝	-	28V
BLL1214-250,112	-	询价	6150	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	75V	安装结构	SOT-502A		1.2GHz～1.4GHz	LDMOS	SOT502A	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20		-	150毫安	250W	12分贝	-	36V
A3G26D055N-1805	675.0000	询价	3	恩智浦	-	大部分	的积极	125V	表面贴装	6-LDFN 裸露焊盘		100MHz～2.69GHz	N化镓	6-PDFN (7x6.5)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1		-	40毫安	8W	13.9分贝	-	48V
BLF8G22LS-240J	-	询价	4955	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	SOT-502B	BLF8	2.11GHz～2.17GHz	LDMOS	SOT502B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	934067525118	EAR99	8541.29.0075	100		-	2A	55W	19分贝	-	28V
MRF6V2300NBR5	-	询价	3717	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	110V	安装结构	TO-272BB	MRF6	220兆赫	LDMOS	TO-272 WB-4	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50		-	900毫安	300W	25.5分贝	-	50V
MRF8S21100HR3	-	询价	9247	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	SOT-957A	MRF8	2.17GHz	场效应晶体管	NI-780H-2L	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	935317144128	EAR99	8541.29.0095	250	N沟道	-	700毫安	24W	18.3分贝	-	28V
BLF2425M9LS140U	99.7100	询价	245	Ampleon美国公司	-	托盘	的积极	65V	安装结构	SOT-502B	BLF2425	2.4GHz～2.5GHz	LDMOS	SOT502B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20		4.2微安	60毫安	140W	19分贝	-	28V
BLF6G27LS-40P,118	-	询价	7796	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	表面贴装	SOT-1121B	BLF6	2.5GHz～2.7GHz	LDMOS	LDMOST	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		5A991G	8541.29.0075	100	双重、共同来源	-	450毫安	12W	17.5分贝	-	28V
PTVA127002EV-V1-R0	538.4700	询价	50	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	105V	安装结构	H-36275-4	PTVA127002	1.2GHz～1.4GHz	LDMOS	H-36275-4	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0075	50		10微安	150毫安	700W	16分贝	-	50V
PTFA082201F V1	-	询价	2900	英飞凌科技	-	托盘	SIC停产	65V	表面贴装	2 箔封装、翅片安装、法兰式	PTFA082201	894兆赫	LDMOS	H-37260-2	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	40		10微安	1.95安	220W	18分贝	-	30V
BLP7G22-10,135	-	询价	4909	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极	65V	表面贴装	12-VDFN 裸露焊盘	BLP7	700MHz～2.2GHz	LDMOS	12-HVSON (4x6)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	934065973135	EAR99	8541.29.0075	500		-	110毫安	2W	27分贝	-	28V
MRF9045LR5	-	询价	2873	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V		NI-360	MRF90	945兆赫	LDMOS	NI-360短接头	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	50		-	350毫安	45W	18.8分贝	-	28V
BF1201,215	-	询价	1038	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	10V	表面贴装	TO-253-4、TO-253AA	BF120	400兆赫	场效应晶体管	SOT-143B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	N 沟道双感应	30毫安	15毫安	-	29分贝	1分贝	5V
TAV1-551+	12.1300	询价	3	迷你电路	-	卷带式 (TR)	的积极	5V	表面贴装	4-SMD，无铅	TAV1	6GHz	pHEMT	TE2769	-	符合ROHS3标准	1（无限制）					3,000		-	15毫安	19.8分贝	8.6分贝	1.4分贝	4V
MRF19090SR3	-	询价	1022	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	表面贴装	NI-880S	MRF19	1.93GHz	LDMOS	NI-880S	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	250		-	750毫安	90W	11.5分贝	-	26V
BF1100R,235	-	询价	2013年	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	14V	表面贴装	SOT-143R	BF110	800兆赫	场效应晶体管	SOT-143R	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	934036560235	EAR99	8541.21.0095	10,000	N 沟道双感应	30毫安	10毫安	-	-	2分贝	9V
MRF6V3090NR1	65.5400	询价	52	飞思卡尔半导体	-	大部分	的积极	110V	表面贴装	TO-270AB		860兆赫	LDMOS	TO-270 WB-4	下载					EAR99	8542.39.0001	5		-	350毫安	18W	22分贝	-	50V
MRF21125R3	122.1100	询价	809	飞思卡尔半导体	-	大部分	的积极	65V	安装结构	SOT-957A		2.11GHz～2.17GHz	场效应晶体管	NI-880H-2L	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	0000.00.0000	250	N沟道	10微安	1.6安	125W	13分贝	-	28V
PTFA092213ELV4T400XWSA1	-	询价	8106	英飞凌科技	*	托盘	过时的								下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP000820802	EAR99	8541.29.0075	40
MRF5S19090HSR5	-	询价	2235	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V		NI-780S	MRF5	1.93GHz～1.99GHz	LDMOS	NI-780S	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		5A991G	8541.29.0075	50		-	850毫安	18W	14.5分贝	-	28V
BF 5030 E6327	-	询价	7883	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	8V	表面贴装	TO-253-4、TO-253AA	BF 5030	800兆赫	场效应晶体管	PG-SOT-143-3D	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	N沟道	25毫安	10毫安	-	24分贝	1.3分贝	3V
A2I25D025NR1	39.9700	询价	308	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	表面贴装	TO-270-17 变体，薄牛皮	A2I25	2.69GHz	LDMOS	TO-270WB-17	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.33.0001	500	双重的	-	59毫安	3.2W	31.9分贝	-	28V
PTFB092707FH-V1-R250	-	询价	2276	沃尔夫斯皮德公司	*	卷带式 (TR)	过时的								下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	250
PTFA212001EV4XWSA1	-	询价	5038	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	SIC停产	65V	安装结构	H-36260-2	PTFA212001	2.14GHz	LDMOS	H-36260-2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	35		10微安	1.6安	50W	15.8分贝	-	30V
PTFA180701FV4R0XTMA1	-	询价	2330	英飞凌科技	-	条	过时的	65V		2 纸张封装，鳍片底部		1.805GHz～1.88GHz	LDMOS	H-37265-2	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001422968	EAR99	8541.29.0095	50		10微安	550毫安	70W	16.5分贝	-	28V
BLF6G38S-25,112	-	询价	6503	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	65V	安装结构	SOT-608B	BLF6G38	3.4GHz～3.6GHz	LDMOS	CDFM2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		5A991G	8541.29.0075	20		8.2A	225毫安	4.5W	15分贝	-	28V

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

射频场效应管、MOSFET(4585)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²