射频场效应管、MOSFET(4585)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	噪声系数	电压 - 测试
PD55008TR	-	询价	7961	意法半导体	-	卷带式 (TR)	过时的	40V		PowerSO-10 裸露底垫	PD55008	500兆赫	LDMOS	10-PowerSO	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	600		4A	150毫安	8W	17分贝	-	12.5V
MRF19030LR3	-	询价	1983年	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	NI-400	MRF19	1.96GHz	LDMOS	NI-400	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		5A991G	8542.31.0001	250		-	300毫安	30W	13分贝	-	26V
PD84010-E	-	询价	9238	意法半导体	-	管子	过时的	40V		PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2个结构楼梯）	PD84010	870兆赫	LDMOS	PowerSO-10RF（成型原理）	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		8A	300毫安	2W	16.3分贝	-	7.5V
BLM7G22S-60PBG,118	-	询价	1128	恩智浦	*	卷带式 (TR)	的积极				BLM7				-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	934066083118	EAR99	8541.29.0075	100
MRFG35003N6T1	-	询价	2223	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	8V	表面贴装	PLD-1.5	MRFG35	3.55GHz	pHEMT场效应管	PLD-1.5	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,000		-	180毫安	3W	9分贝	-	6V
STAC9200	-	询价	7860	意法半导体	-	盒子	过时的	80V	安装结构	STAC244B	STAC9200	1.3GHz	LDMOS	STAC244B	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	80		1微安		230W	18分贝	-
MRF7S21210HR5	-	询价	1245	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	SOT-957A	MRF7	2.17GHz	LDMOS	NI-780H-2L	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50		-	1.4A	63W	18.5分贝	-	28V
PD57060TR-E	49.0050	询价	5504	意法半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	65V		PowerSO-10 裸露底垫	PD57060	945兆赫	LDMOS	10-PowerSO	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	600		7A	100毫安	60W	14.3分贝	-	28V
PTFA092213ELV4R250XTMA2	-	询价	1987年	英飞凌科技	*	卷带式 (TR)	过时的								下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001128134	EAR99	8541.29.0075	250
MPF102_D27Z	-	询价	1245	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	25V	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	强积金102	-	结型场效应晶体管	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,000	N沟道	20毫安		-	-	-
ARF1501	325.5300	询价	39	微芯片	-	管子	的积极	1000伏		T-1	ARF1501	27.12兆赫	场效应晶体管	T-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	ARF1501MS	EAR99	8541.29.0095	1	N沟道	30A		750W	17分贝	-	250伏
MRF8HP21080HR3	-	询价	1925年	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	NI-780-4	MRF8	2.17GHz	LDMOS	NI-780-4	-	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	935310794128	EAR99	8541.29.0075	250	双重的	-	150毫安	16W	14.4分贝	-	28V
PTFC210202FC-V1-R0	68.8500	询价	30	沃尔夫斯皮德公司	-	条	不适合新设计	65V	安装结构	H-37248-4	PTFC210202	2.2GHz	LDMOS	H-37248-4	下载	符合RoHS标准	3（168小时）			EAR99	8542.33.0001	50	双重的	-	170毫安	5W	21分贝	-	28V
MRF7S19080HSR5	-	询价	6765	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	NI-780S	MRF7	1.99GHz	LDMOS	NI-780S	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50		-	750毫安	24W	18分贝	-	28V
PTFA210601F V4 R250	-	询价	2888	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	表面贴装	2 箔封装、翅片安装、法兰式	聚四氟苯210601	2.14GHz	LDMOS	H-37265-2	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	250		10微安	550毫安	12W	16分贝	-	28V
BLP9H10S-850AVTY	77.3000	询价	57	Ampleon美国公司	BLP	卷带式 (TR)	的积极	105V		OMP-1230-6F-1	BLP9	617MHz～960MHz	LDMOS	OMP-1230-6F-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	100	双重、共同来源	2.8微安	1.4A	850W	17.8分贝	-	50V
BLD6G21L-50,112	-	询价	4995	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	65V	安装结构	SOT-1130A		2.02GHz	LDMOS	CDFM4	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20	双重、共同来源	10.2A	170毫安	8W	14.5分贝	-	28V
CLF1G0035-50,112	164.0700	询价	2321	Ampleon美国公司	-	托盘	不适合新设计	150伏	安装结构	SOT-467C	CLF1G0035	3GHz	N化晶体管高电子迁移率晶体管	SOT467C	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20		-	150毫安	50W	11.5分贝	-	50V
CGHV35150F	402.9000	询价	175	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	的积极	125V		440193	CGHV35150	2.9GHz～3.5GHz	HEMT	440193	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			宣传册3A001B3	8541.29.0095	50		12A	500毫安	170W	13.3分贝	-	50V
ARF463AP1G	45.0300	询价	103	微芯片	-	大部分	的积极	500V		TO-247-3	ARF463	81.36兆赫	场效应晶体管	TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1	N沟道	9A		100W	15分贝	-	125V
NE6510179A-T1-A	-	询价	2993	西尔	-	卷带式 (TR)	过时的	8V		4-SMD，写入		1.9GHz	第一个化镓异质结场效应管	79A	下载		1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.29.0075	1,000		2.8A	200毫安	32.5dBm	10分贝	-	3.5V
BLF884P,112	155.9800	询价	138	Ampleon美国公司	-	托盘	的积极	104V	安装结构	SOT-1121A	BLF884	860兆赫	LDMOS	LDMOST	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20	双重、共同来源	-	650毫安	150W	21分贝	-	50V
MRF6VP3091NR5	-	询价	5178	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	115V	安装结构	TO-272BB	MRF6	860兆赫	LDMOS	TO-272 WB-4	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	935314619578	EAR99	8541.29.0095	50	双重的	-	350毫安	18W	22分贝	-	50V
MAGX-001214-500L0S	-	询价	6509	MACOM技术解决方案	-	大部分	过时的	65V		-		1.2GHz～1.4GHz	HEMT	-	下载		1（无限制）	REACH 不出行	1465-1089	EAR99	8541.29.0075	5		18.1A	400毫安	500W	19.22分贝	-	50V
SD2932B	-	询价	9693	意法半导体	-	管子	过时的	125V		M244	SD2932	175兆赫	场效应晶体管	M244	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	15	N沟道	40A	500毫安	300W	16分贝	-	50V
NE5550979A-T1-A	-	询价	4278	西尔	-	卷带式 (TR)	过时的	30V		79A	NE5550	900兆赫	LDMOS	79A	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		3A	200毫安	38.6分贝	22分贝	-	7.5V
PD55008TR-E	14.7400	询价	8319	意法半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	40V		PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2个结构楼梯）	PD55008	500兆赫	LDMOS	PowerSO-10RF（成型原理）	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	600		4A	150毫安	8W	17分贝	-	12.5V
VRF191	-	询价	1108	美高森美公司	-	管子	过时的	270伏		T11		30兆赫兹	场效应晶体管	T11	下载		1（无限制）			过时的	0000.00.0000	1	N沟道	12A	250毫安	150W	22分贝	-	100伏
CG2H40010F	76.0700	询价	22	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	的积极	120V	安装结构	440166	CG2H40010	8GHz	HEMT	440166	下载	符合RoHS标准	不适用			EAR99	8541.29.0075	250		-	100毫安	-	16.5分贝	-	28V
GTRB226002FC-V1-R2	148.6720	询价	8313	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	48V	表面贴装	H-37248C-4	GTRB226002	2.11GHz～2.2GHz	HEMT	H-37248C-4	-				1697-GTRB226002FC-V1-R2TR			250	-	-		450W	15分贝	-

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

射频场效应管、MOSFET(4585)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²