射频场效应管、MOSFET(4585)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	噪声系数	电压 - 测试
BLL1214-250,112	-	询价	6150	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	75V	安装结构	SOT-502A		1.2GHz～1.4GHz	LDMOS	SOT502A	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20		-	150毫安	250W	12分贝	-	36V
MRFE6S9201HSR5	-	询价	7713	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	66伏	安装结构	NI-780S	MRFE6	880兆赫	LDMOS	NI-780S	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50		-	1.4A	40W	20.8分贝	-	28V
MRFG35010R5	-	询价	3303	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	15V	安装结构	NI-360HF	MRFG35	3.55GHz	pHEMT场效应管	NI-360HF	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	50		-	180毫安	10W	10分贝	-	12V
MRF9045LR5	-	询价	2873	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V		NI-360	MRF90	945兆赫	LDMOS	NI-360短接头	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	50		-	350毫安	45W	18.8分贝	-	28V
BF1201,215	-	询价	1038	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	10V	表面贴装	TO-253-4、TO-253AA	BF120	400兆赫	场效应晶体管	SOT-143B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	N 沟道双感应	30毫安	15毫安	-	29分贝	1分贝	5V
TAV1-551+	12.1300	询价	3	迷你电路	-	卷带式 (TR)	的积极	5V	表面贴装	4-SMD，无铅	TAV1	6GHz	pHEMT	TE2769	-	符合ROHS3标准	1（无限制）					3,000		-	15毫安	19.8分贝	8.6分贝	1.4分贝	4V
A3G26D055N-1805	675.0000	询价	3	恩智浦	-	大部分	的积极	125V	表面贴装	6-LDFN 裸露焊盘		100MHz～2.69GHz	N化镓	6-PDFN (7x6.5)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1		-	40毫安	8W	13.9分贝	-	48V
AFT26H050W26SR3	-	询价	5840	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	NI-780S-4L4L-8	AF26	2.69GHz	LDMOS	NI-780S-4L4L-8	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	935311268128	EAR99	8541.29.0075	250		-	100毫安	9W	14.2分贝	-	28V
PTFA180701FV4R0XTMA1	-	询价	2330	英飞凌科技	-	条	过时的	65V		2 纸张封装，鳍片底部		1.805GHz～1.88GHz	LDMOS	H-37265-2	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001422968	EAR99	8541.29.0095	50		10微安	550毫安	70W	16.5分贝	-	28V
A3T21H450W23SR6	-	询价	2583	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	ACP-1230S-4L2S	A3T21	2.11GHz～2.2GHz	LDMOS	ACP-1230S-4L2S	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	935352756128	EAR99	8541.29.0075	150		10微安	600毫安	87W	15.4分贝	-	30V
475-501N44A-00	-	询价	2270	IXYS-RF	德	管子	过时的	500V		6-SMD，写入裸露焊盘	475-501N	-	场效应晶体管	DE475	下载		1（无限制）	REACH旅行	DE475-501N44A-00	EAR99	8541.29.0095	20	N沟道	48A		1800W	-	-
BLF6G10LS-200RN,11	-	询价	1943年	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	SOT-502B	BLF6	871.5MHz～891.5MHz	LDMOS	SOT502B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	934063255118	EAR99	8541.29.0075	100		49A	1.4A	40W	20分贝	-	28V
BLF6G27-100,112	-	询价	7719	Ampleon美国公司	-	管子	过时的	65V	安装结构	SOT-502A	BLF6G27	-	LDMOS	SOT502A	下载		1（无限制）	REACH 不出行	934064315112	EAR99	8541.29.0095	20		29A	900毫安	14W	-	-	28V
ATF-551M4-TR1	-	询价	1312	博通有限公司	-	卷带式 (TR)	过时的	5V		0505（1412公制）	ATF-551M4	2GHz	pHEMT场效应管	迷你包 1412	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		100毫安	10毫安	14.6分贝	17.5分贝	0.5分贝	2.7V
BF256B_J35Z	-	询价	7873	onsemi	-	大部分	过时的	30V	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	BF256	-	结型场效应晶体管	TO-92-3	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	2,000	N沟道	13毫安		-	-	-
BLF6G27LS-40P,118	-	询价	7796	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	表面贴装	SOT-1121B	BLF6	2.5GHz～2.7GHz	LDMOS	LDMOST	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		5A991G	8541.29.0075	100	双重、共同来源	-	450毫安	12W	17.5分贝	-	28V
MRF6S19100HR3	-	询价	3060	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	68V	安装结构	SOT-957A	MRF6	1.99GHz	LDMOS	NI-780H-2L	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	935316735128	EAR99	8541.29.0075	250		-	900毫安	22W	16.1分贝	-	28V
PTVA127002EV-V1-R0	538.4700	询价	50	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	105V	安装结构	H-36275-4	PTVA127002	1.2GHz～1.4GHz	LDMOS	H-36275-4	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0075	50		10微安	150毫安	700W	16分贝	-	50V
AFT27S006NT1	11.5400	询价	12	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极	65V	表面贴装	PLD-1.5W	AF27	2.17GHz	LDMOS	PLD-1.5W	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		5A991G	8541.29.0095	1,000		-	70毫安	28.8分贝	22分贝	-	28V
EC4403C-TL	1.0000	询价	2410	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	10,000
BLF8G22LS-200V,118	-	询价	5507	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	SOT-1244B	BLF8	2.11GHz～2.17GHz	LDMOS	CDFM6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	934066758118	EAR99	8541.29.0075	100		-	2A	55W	19分贝	-	28V
MRF8S21100HR3	-	询价	9247	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	SOT-957A	MRF8	2.17GHz	场效应晶体管	NI-780H-2L	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	935317144128	EAR99	8541.29.0095	250	N沟道	-	700毫安	24W	18.3分贝	-	28V
BLF8G22LS-240J	-	询价	4955	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	SOT-502B	BLF8	2.11GHz～2.17GHz	LDMOS	SOT502B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	934067525118	EAR99	8541.29.0075	100		-	2A	55W	19分贝	-	28V
PD85015-E	-	询价	4057	意法半导体	-	管子	过时的	40V		PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2个结构楼梯）	PD85015	870兆赫	LDMOS	PowerSO-10RF（成型原理）	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		5A	150毫安	15W	16分贝	-	13.6V
PTFA082201F V1	-	询价	2900	英飞凌科技	-	托盘	SIC停产	65V	表面贴装	2 箔封装、翅片安装、法兰式	PTFA082201	894兆赫	LDMOS	H-37260-2	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	40		10微安	1.95安	220W	18分贝	-	30V
A3I35D012WNR1	30.4600	询价	第396章	恩智浦半导体	-	大部分	的积极	65V	表面贴装	TO-270-17 变体，薄牛皮		3.2GHz～4GHz	LDMOS（双）	TO-270WB-17	-				2156-A3I35D012WNR1			10	2 N 沟道	10微安	138毫安	1.8W	27.8分贝	-	28V
BLP15M9S30GXY	15.9515	询价	7878	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	65V	表面贴装	TO-270BA	BLP15	2GHz	LDMOS	TO-270-2G-1	-	符合ROHS3标准			1603-BLP15M9S30GXYTR			100	N沟道	1.4微安	200毫安	30W	19.3分贝	-	32V
2SJ637-E	0.4400	询价	3	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1
MMRF1005HSR5	-	询价	5795	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	120V	安装结构	NI-780S	MMRF1	1.3GHz	LDMOS	NI-780S	-	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	935315357178	EAR99	8541.29.0075	50		-	100毫安	250W	22.7分贝	-	50V
IGN1214L500B	1.0000	询价	5	Integra技术公司	-	托盘	的积极	160伏		PL95A1	IGN1214	1.2GHz～1.4GHz	HEMT	PL95A1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		2251-IGN1214L500B	EAR99	8541.29.0075	5		-	200毫安	650W	15分贝	-	50V

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

射频场效应管、MOSFET(4585)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²