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RF FET，MOSFET（4585）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	噪音图	电压 -测试
2SK2552-T1-A	0.1500	RFQ	105	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的								下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
3LN02C-TB-E	0.0600	RFQ	84	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
MMRF1023HSR5	-	RFQ	5711	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	NI-1230-4LS2L	MMRF1	2.3GHz	ldmos	NI-1230-4LS2L	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50		-	750 MA	66W	14.9db	-	28 V
2N5247_J35Z	-	RFQ	9575	Onmi	-	大部分	过时的	30 V	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2N5247	400MHz	JFET	TO-92-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000	n通道	-		-	-	4DB
BLF6G10LS-160RN，11	-	RFQ	4307	Ampleon USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v	底盘安装	SOT-502B	BLF6G10	922.5MHz〜957.5MHz	ldmos	SOT502B	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	20		39a	1.2 a	32W	22.5dB	-	32 v
AFT26H250-24SR6	-	RFQ	7111	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	NI-1230-4LS2L	AFT26	2.5GHz	ldmos	NI-1230-4LS2L	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935323547128	Ear99	8541.29.0095	150		-	700 MA	50W	14.1db	-	28 V
MCH6423-TL-E	0.0800	RFQ	576	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	3,000
B11G1822N60DX	45.4200	RFQ	5014	Ampleon USA Inc.	-	大部分	积极的	65 v	表面安装	36 QFN暴露垫	B11G1822	1.8GHz〜2.2GHz	ldmos	36-PQFN （12x7）	-	rohs3符合条件			1603-B11G1822N60DX			1,500	-	1.4µA	150 ma	-	29dB	-	28 V
MHTG1200HSR3	99.3479	RFQ	2583	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	50 V	表面安装	NI-780S-4L		2.4GHz〜2.5GHz	甘	NI-780S-4L	-	rohs3符合条件		到达不受影响	568-MHTG1200HSR3TR	Ear99	8541.29.0095	250	2 n通道	-		300W	-	-
J310_D26Z	-	RFQ	8578	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	25 v	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	J310	450MHz	JFET	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000	n通道	60mA	10 MA	-	12DB	3DB	10 v
MRF9210R5	-	RFQ	1437	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	NI-860C3	MRF92	880MHz	ldmos	NI-860C3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		5A991G	8542.31.0001	50		-	1.9 a	40W	16.5db	-	26 V
MAGX-002731-180L00	-	RFQ	8266	MACOM技术解决方案	-	大部分	过时的	65 v		-		2.7GHz〜3.1GHz	hemt	-	下载		（1 （无限）	到达不受影响	1465-1093	Ear99	8541.29.0075	5		500mA	500 MA	180W	11.2db	-	50 V
PTFA091201FV4R250XTMA1	-	RFQ	5468	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	表面安装	2-flatpack，鳍铅，法兰	PTFA091201	960MHz	ldmos	H-37248-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		10µA	750 MA	110W	19db	-	28 V
ARF1500	310.7600	RFQ	103	微芯片技术	-	盒子	积极的	500 v		T-1	ARF1500	27.12MHz	MOSFET	T-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	ARF1500MS	3A991A2	8542.31.0001	1	n通道	60a		750W	19db	-	125 v
BLF6G20S-230PRN：11	-	RFQ	4938	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	SOT539B	BLF6	1.8GHz〜1.88GHz	ldmos	SOT539B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934064341118	Ear99	8541.29.0075	100		-	2 a	65W	17.5db	-	28 V
BLF278/01,112	-	RFQ	4918	Ampleon USA Inc.	-	管子	过时的	125 v	底盘安装	SOT-262A1		108MHz	MOSFET	CDFM4	下载		（1 （无限）	到达不受影响	934031850112	Ear99	8541.29.0075	20	2 n 通道（双）公共来源	18a	100 ma	300W	22DB	-	50 V
2SK3292-TD-E	0.1800	RFQ	132	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1,000
MRF6V14300HSR5	460.4300	RFQ	387	自由度半导体	-	大部分	积极的	100 v	底盘安装	NI-780		1.4GHz	ldmos	NI-780	下载					Ear99	8542.39.0001	1		-	150 ma	330W	18db	-	50 V
VRF152	105.1800	RFQ	2	微芯片技术	-	管子	积极的	130 v		M174	VRF152	175MHz	MOSFET	M174	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1	n通道	50µA	250 MA	150W	14dB	-	50 V
A2V09H400-04NR3	95.5000	RFQ	250	NXP半导体	-	大部分	积极的	105 v	表面安装	OM-780-4L		720MHz〜960MHz	LDMO （双）	OM-780-4L	-				2156-A2V09H400-04NR3			4	2 n通道	10µA	688 MA	107W	17.9db	-	48 v
2SK212E-SPA	0.2400	RFQ	20	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	1
BLS9G2934LS-400U	213.0000	RFQ	65	Ampleon USA Inc.	-	托盘	在sic中停产	65 v	底盘安装	SOT-502B	BLS9	2.9GHz〜3.4GHz	ldmos	SOT502B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	20		4µA	400 MA	400W	12DB	-	32 v
BLC8G21LS-160AVZ	66.3700	RFQ	30	Ampleon USA Inc.	-	托盘	在sic中停产	65 v	底盘安装	SOT-1275-1	BLC8	1.88GHz〜2.03GHz	ldmos	DFM6	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20	双重，共同来源	-	200 ma	22.5W	15DB	-	28 V
BLF3G22-30,135	-	RFQ	8241	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	SOT-608A		2.17GHz	ldmos	CDFM2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	934057338135	Ear99	8541.29.0075	300		12a	450 MA	6W	14dB	-	28 V
MRF19045LR5	-	RFQ	9396	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		NI-400	MRF19	1.93GHz	ldmos	NI-400-240	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		5A991G	8542.31.0001	50		-	550 MA	9.5W	14.5db	-	26 V
BLF278,112	-	RFQ	5970	Ampleon USA Inc.	-	托盘	过时的	125 v	底盘安装	SOT-262A1		108MHz	MOSFET	CDFM4	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	20	2 n 通道（双）公共来源	18a	100 ma	300W	22DB	-	50 V
PTFB093608FV-V3-R2	-	RFQ	5420	Wolfspeed，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	H-34275G-6/2		960MHz	ldmos	H-34275G-6/2	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0075	250	双重，共同来源	-	2.8 a	315W	20dB	-	28 V
BF256B	-	RFQ	9134	Onmi	-	大部分	积极的	30 V	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BF256	-	JFET	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.33.0001	10,000	n通道	13mA		-	-	-
2N5485	-	RFQ	9632	Onmi	-	大部分	过时的	25 v	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	2N5485	400MHz	JFET	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000	n通道	10mA		-	-	4DB	15 v
PTVA127002EV-V1-R0	538.4700	RFQ	50	Wolfspeed，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	105 v	底盘安装	H-36275-4	PTVA127002	1.2GHz〜1.4GHz	ldmos	H-36275-4	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0075	50		10µA	150 ma	700W	16dB	-	50 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

RF FET，MOSFET（4585）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²