射频场效应管、MOSFET(4585)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	噪声系数	电压 - 测试
MAGX-001090-600L0S	-	询价	2679	MACOM技术解决方案	-	大部分	过时的	65V		-		1.03GHz～1.09GHz	HEMT	-	下载		1（无限制）			过时的	0000.00.0000	10		80A	600毫安	550W	21.4分贝	-	50V
2SK3737-5-TL-E	-	询价	3227	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	15V	表面贴装	SC-70、SOT-323	2SK3737	-	场效应晶体管	3-MCP	-		1（无限制）	REACH 不出行		过时的	0000.00.0000	3,000	N沟道	12毫安		-	35分贝	2分贝	10V
LET9060	-	询价	6181	意法半导体	-	管子	过时的	80V		PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2个结构楼梯）	LET9060	960兆赫	LDMOS	PowerSO-10RF（成型原理）	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		12A	300毫安	60W	17.2分贝	-	28V
MRF8P20140WHSR5	-	询价	2610	飞思卡尔半导体	-	大部分	过时的	65V	表面贴装	NI-780S-4L		1.88GHz～2.03GHz	LDMOS（双）	NI-780S-4L	-				2156-MRF8P20140WHSR5			1	2 N 沟道	10微安	500毫安	24W	16分贝	-	28V
MRF6S18100NBR1	56.8700	询价	25	飞思卡尔半导体	-	大部分	的积极	68V		TO-272BB	MRF6	1.99GHz	LDMOS	TO-272 WB-4	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	0000.00.0000	1		-	900毫安	100W	14.5分贝	-	28V
MMRF1314HR5	603.9620	询价	4362	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极	105V	安装结构	SOT-979A	MMRF1314	1.4GHz	LDMOS	NI-1230-4H	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50	双重的	-	100毫安	1000W	17.7分贝	-	50V
BLF8G27LS-100V，118	-	询价	2205	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	SOT-1244B	BLF8	2.5GHz～2.7GHz	LDMOS	CDFM6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	100		-	900毫安	25W	17分贝	-	28V
BLF8G20LS-400PVQ	-	询价	4489	恩智浦	-	管子	的积极	65V	安装结构	SOT-1242B	BLF8G20	1.81GHz～1.88GHz	LDMOS	CDFM8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	934067803127	EAR99	8541.29.0075	15	双重的	-	3.4A	95W	19分贝	-	28V
MRF6V13250HSR3	-	询价	1648	恩智浦	-	卷带式 (TR)	SIC停产	120V	安装结构	NI-780S	MRF6	1.3GHz	LDMOS	NI-780S	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	250		-	100毫安	250W	22.7分贝	-	50V
PRF13750HR9	-	询价	9261	恩智浦	-	条	过时的	105V		SOT-979A	PRF13	700MHz～1.3GHz	LDMOS	NI-1230-4H	-		1（无限制）	REACH 不出行	568-13415	EAR99	8541.29.0075	1	双重的	10微安		650W	20.6分贝	-
BLF521	-	询价	9472	罗彻斯特电子有限责任公司	-	大部分	的积极		表面贴装	SOT-172D		500兆赫	N沟道	CRDB4	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-BLF521-2156			1	N沟道	1A	10毫安	2W	13分贝	-
VRF3933MP	-	询价	6960	美高森美公司	-	管子	的积极	250伏		M177	VRF3933	30兆赫兹	场效应晶体管	M177	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1	N沟道	20A	250毫安	350W	28分贝	-	100伏
TAV-541+	13.3300	询价	第427章	迷你电路	-	卷带式 (TR)	的积极	5V	表面贴装	4-SMD，无铅		450MHz～6GHz	pHEMT	FG873	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8542.33.0001	500		-	60毫安	21.1分贝	23.8分贝	1.8分贝	3V
BLP8G07S-140P	-	询价	8765	Ampleon美国公司	-	托盘	的积极			-	BLP8G07	-	-	-	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行				1	-	-		-	-	-
MRF7S21110HSR5	-	询价	8783	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	NI-780S	MRF7	2.17GHz	LDMOS	NI-780S	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50		-	1.1安	33W	17.3分贝	-	28V
MRF6S9160HSR3	-	询价	8085	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	68V	安装结构	NI-780S	MRF6	880兆赫	LDMOS	NI-780S	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	250		-	1.2A	35W	20.9分贝	-	28V
PD85006-E	-	询价	6587	意法半导体	-	管子	过时的	40V		PowerSO-10 裸露底垫	PD85006	870兆赫	LDMOS	10-PowerSO	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		2A	200毫安	6W	17分贝	-	13.6V
PTFB183404E-V1-R0	182.9142	询价	4535	沃尔夫斯皮德公司	-	条	不适合新设计	65V	安装结构	H-36275-8	PTFB183404	1.88GHz	LDMOS	H-36275-8	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8542.33.0001	50		-	2.6安	80W	17分贝	-	30V
PTFA212001F1V4R250XTMA1	-	询价	3785	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	表面贴装	2 箔封装、翅片安装、法兰式		2.14GHz	LDMOS	H-37260-2	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP000432156	过时的	0000.00.0000	1		-	1.6安	50W	15.8分贝	-	30V
PXAC261002FC-V1	-	询价	3318	沃尔夫斯皮德公司	-	托盘	SIC停产	65V	安装结构	H-37248-4		2.69GHz	LDMOS	H-37248-4	下载	符合RoHS标准	3（168小时）			EAR99	8541.29.0095	50		-	210毫安	18W	15.1分贝	-	26V
BLA0912-250	380.4500	询价	1	Ampleon美国公司	-	大部分	的积极		安装结构	SOT-502A		960MHz～1.215GHz	LDMOS	SOT502A	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	0000.00.0000	1	N沟道			250W	13分贝
BLF7G20L-90P,112	-	询价	8006	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	65V	安装结构	SOT-1121A	BLF7G20	1.81GHz～1.88GHz	LDMOS	LDMOST	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	20	双重、共同来源	18A	550毫安	40W	19.5分贝	-	28V
BLF8G20LS-220J	-	询价	7490	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	SOT-502B	BLF8	1.81GHz～1.88GHz	LDMOS	SOT502B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	934067472118	EAR99	8541.29.0095	100		-	1.6安	55W	18.9分贝	-	28V
BLC10G27LS-320AVTY	83.2200	询价	8835	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极		安装结构	SOT1258-1	BLC10			SOT1258-1	-	符合ROHS3标准		REACH 不出行	934960096518	EAR99	8541.29.0075	100
J310_D27Z	-	询价	8980	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	25V	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	J310	450兆赫	结型场效应晶体管	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,000	N沟道	60毫安	10毫安	-	12分贝	3分贝	10V
J310G	-	询价	2402	onsemi	-	大部分	过时的	25V	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	J310	100兆赫兹	结型场效应晶体管	TO-92 (TO-226)	下载		1（无限制）	REACH 不出行	J310GOS	EAR99	8541.21.0095	1,000	N沟道	60毫安	10毫安	-	16分贝	-	10V
AFT05MS006NT1	4.9100	询价	1	恩智浦	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	30V	表面贴装	PLD-1.5W	AF05	520兆赫	LDMOS	PLD-1.5W	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,000		-	100毫安	6W	18.3分贝	-	7.5V
BLF8G22LS-205VU	-	询价	8734	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	65V	安装结构	SOT-1239B	BLF8	2.11GHz～2.17GHz	LDMOS	CDFM6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	20		-	1.2A	50.1W	18.3分贝	-	28V
ATF-521P8-黑色	-	询价	1124	博通有限公司	-	大部分	过时的	7V		8-WFDFN 裸露焊盘		2GHz	pHEMT场效应管	8-LPCC (2x2)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	100		500毫安	200毫安	26.5分贝	17分贝	1.5分贝	4.5V
MRF21010LSR5	-	询价	1980年	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	NI-360S	MRF21	2.17GHz	LDMOS	NI-360S	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	50		-	100毫安	10W	13.5分贝	-	28V

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

射频场效应管、MOSFET(4585)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²