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RF FET，MOSFET（4585）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	噪音图	电压 -测试
MRF7S35015HSR3	-	RFQ	5286	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	表面安装	NI-400S-2S	MRF7	3.1GHz〜3.5GHz	ldmos	NI-400S-2S	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250		-	50 mA	15W	16dB	-	32 v
MRF9045LR5	-	RFQ	2873	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		NI-360	MRF90	945MHz	ldmos	NI-360短领先	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	50		-	350 MA	45W	18.8db	-	28 V
ON5421,127	-	RFQ	8402	NXP USA Inc.	-	管子	过时的		通过洞	TO-220-3	ON54	-	-	TO-220AB	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934060114127	Ear99	8541.29.0095	50	-	-		-	-	-
PD57060STR-E	-	RFQ	8310	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		Powerso-10裸露的底部垫	PD57060	945MHz	ldmos	Powerso-10rf （直线直线）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	600		7a	100 ma	60W	14.3db	-	28 V
2N5952_D75Z	-	RFQ	9003	Onmi	-	（TB）	过时的	30 V	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2N5952	1khz	JFET	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000	n通道	8mA		-	-	2DB	15 v
NPT2021	125.9100	RFQ	1071	MACOM技术解决方案	-	管子	积极的	160 v		TO-272BC		0Hz〜2.2GHz	hemt	TO-272-2	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8541.29.0095	20		7a	300 MA	50W	15DB	-	48 v
MRF8P8300HR6	-	RFQ	2994	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	70 v	底盘安装	NI-1230	MRF8	820MHz	ldmos	NI-1230	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935314412128	Ear99	8541.29.0075	150	双重的	-	2 a	96W	20.9db	-	28 V
MRFG35005NT1	-	RFQ	3730	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	15 v	表面安装	PLD-1.5	MRFG35	3.55GHz	Phemt fet	PLD-1.5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000		-	80 ma	4.5W	11DB	-	12 v
AFT23H200-4S2LR6	-	RFQ	4139	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	NI-1230-4LS2L	AFT23	2.3GHz	ldmos	NI-1230-4LS2L	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935311216128	5A991G	8541.29.0040	150	双重的	-	500 MA	45W	15.3db	-	28 V
PTFB211803FLV2R250XTMA1	-	RFQ	1826年	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	表面安装	2-flatpack，鳍铅，法兰		2.17GHz	ldmos	H-34288-4/2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000865676	Ear99	8541.29.0095	250		-	1.3 a	40W	17.5db	-	30 V
MRF9085LSR3	-	RFQ	7844	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	NI-780	MRF90	880MHz	ldmos	NI-780	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.31.0001	250		-	700 MA	90W	17.9db	-	26 V
blp9h10s-850avtz	77.2960	RFQ	8280	Ampleon USA Inc.	-	托盘	积极的	105 v	表面安装	OMP-1230-6F-1	blp9	617MHz〜960MHz	ldmos （双），普通来源	OMP-1230-6F-1	-	rohs3符合条件			1603-BLP9H10S-850AVTZ			60	2 n 通道（双）公共来源	2.8µA	1.4 a	850W	17.8db	-	50 V
MRF7S38040HSR3	-	RFQ	9099	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	表面安装	NI-400S-2S	MRF7	3.4GHz〜3.6GHz	ldmos	NI-400S-2S	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250		-	450 MA	8W	14dB	-	30 V
BF245C_D74Z	-	RFQ	7490	Onmi	-	（TB）	过时的	30 V	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BF245	-	JFET	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000	n通道	25mA		-	-	-
BF904R，235	-	RFQ	4441	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	7 V	表面安装	SOT-143R	BF904	200MHz	MOSFET	SOT-143R	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934020440235	Ear99	8541.21.0095	10,000	n通道双门	30mA	10 MA	-	-	1dB	5 v
A2T18H450W19SR6	-	RFQ	9192	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	30 V	底盘安装	NI-1230S-4S4S	A2T18	1.805GHZ〜1.88GHz	ldmos	NI-1230S-4S4S	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935318596128	Ear99	8541.29.0075	150		-		89W	16.5db	-
ATF-521P8-BLK	-	RFQ	1124	Broadcom Limited	-	大部分	过时的	7 V		8-WFDFN暴露垫		2GHz	Phemt fet	8-lpcc （2x2）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	100		500mA	200 ma	26.5dbm	17dB	1.5dB	4.5 v
FC18G-TL	0.1600	RFQ	6	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
RF5L05500CB4	135.0000	RFQ	4721	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的	50 V	底盘安装	LBB	RF5L05500	1.5GHz	ldmos	LBB	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-RF5L05500CB4			100	n通道	-		2000W	16dB	-
BLF6G38-100,112	-	RFQ	8894	Ampleon USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v	底盘安装	SOT-502A	BLF6G38	3.4GHz〜3.6GHz	ldmos	SOT502A	下载		（1 （无限）	到达不受影响		5A991G	8541.29.0075	20		34a	1.05 a	18.5W	13DB	-	28 V
BLF6H10LS-160,112	-	RFQ	4904	Ampleon USA Inc.	-	托盘	过时的	104 v	表面安装	SOT-467B		952.5MHz〜957.5MHz	ldmos	SOT-467B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934065658112	Ear99	8541.29.0075	20		-	600 MA	38W	20dB	-	50 V
PXAC261002FC-V1	-	RFQ	3318	Wolfspeed，Inc。	-	托盘	在sic中停产	65 v	底盘安装	H-37248-4		2.69GHz	ldmos	H-37248-4	下载	Rohs符合条件	3（168））			Ear99	8541.29.0095	50		-	210 MA	18W	15.1db	-	26 V
BLF2425M8LS140J	-	RFQ	7303	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	SOT-502B	BLF2425	2.45GHz	ldmos	SOT502B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	100		-	1.3 a	140W	19db	-	28 V
BLC10G22XS-551AVTZ	96.0500	RFQ	50	Ampleon USA Inc.	-	托盘	积极的	65 v	表面安装	SOT-1258-4	BLC10	2.1GHz〜2.2GHz	ldmos	SOT1258-4	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	20	双重，共同来源	2.8µA	900 MA	550W	16dB	-	32 v
J309	-	RFQ	9646	Onmi	-	大部分	过时的	25 v	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	J309	100MHz	JFET	TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	30mA	10 MA	-	16dB	-	10 v
MRF5S19100HSR3	-	RFQ	4518	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	NI-780	MRF5	1.93GHZ〜1.99GHz	ldmos	NI-780	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		5A991G	8541.29.0075	250		-	1 a	22W	13.9db	-	28 V
NE552R679A-T1A-A	-	RFQ	7799	cel	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	3 V		4-SMD，平坦的铅		460MHz	ldmos	79a	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	5,000		350mA	300 MA	28DBM	20dB	-	3 V
AFT21H350W03SR6	-	RFQ	1901年	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	NI-1230S	AFT21	2.11GHz	ldmos	NI-1230S	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	150		-	750 MA	63W	16.4dB	-	28 V
MRF6V12500HR5	623.6300	RFQ	205	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	110 v	底盘安装	SOT-957A	MRF6V12500	1.03GHz	ldmos	NI-780H-2L	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50		-	200 ma	500W	19.7db	-	50 V
MMRF1314HR5	603.9620	RFQ	4362	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	105 v	底盘安装	SOT-979A	MMRF1314	1.4GHz	ldmos	NI-1230-4H	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	双重的	-	100 ma	1000W	17.7dB	-	50 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

RF FET，MOSFET（4585）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²