射频场效应管、MOSFET(4585)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	噪声系数	电压 - 测试
A2T26H160-24SR3	-	询价	5230	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	NI-780S-4L2L	A2T26	2.58GHz	LDMOS	NI-780S-4L2L	-	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	935315428128	EAR99	8541.29.0075	250	双重的	-	350毫安	28W	15.5分贝	-	28V
AFT18HW355SR5	-	询价	2769	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	NI-1230S	AFFT18	1.88GHz	LDMOS	NI-1230S	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	935320115178	5A991G	8541.29.0040	50	双重的	-	1.1安	63W	15.2分贝	-	28V
SD4931	74.0316	询价	6897	意法半导体	-	托盘	的积极	200V		M174	SD4931	175兆赫	场效应晶体管	M174	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	497-10701	EAR99	8541.29.0095	25	N沟道	20A	250毫安	150W	14.8分贝	-	50V
BF996S,215	-	询价	3614	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	20V	表面贴装	TO-253-4、TO-253AA	BF996	200兆赫	场效应晶体管	SOT-143B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	N 沟道双感应	30毫安	10毫安	-	25分贝	1分贝	15V
MMBF4416A	0.3900	询价	75	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	35V	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	MMBF4416	400兆赫	结型场效应晶体管	SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000	N沟道	15毫安	5毫安	-	-	4分贝	15V
MRFE6VP8600HR5	311.0600	询价	640	恩智浦半导体	-	大部分	过时的	130伏	安装结构	NI-1230		470MHz～860MHz	LDMOS	NI-1230	下载	不符合RoHS标准		供应商未定义	2156-MRFE6VP8600HR5	EAR99	8541.29.0075	1	双重、共同来源	20微安	1.4A	600W	19.3分贝	-	50V
ARF466FL	148.7910	询价	6881	微芯片	-	大部分	的积极	1000伏		-	ARF466	40.68兆赫	场效应晶体管	T3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1	N沟道	13A		150W	16分贝	-	150伏
MHT1803A	18.9000	询价	7515	恩智浦	*	托盘	的积极				MHT1803				-	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	240
A2I08H040NR1	-	询价	5353	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	表面贴装	TO-270-15 变体，薄牛皮	A2I08	920兆赫	LDMOS	TO-270WB-15	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.33.0001	500	双重的	-	25毫安	9W	30.7分贝	-	28V
ATF-54143-TR1G	-	询价	3158	博通有限公司	-	卷带式 (TR)	过时的	5V		SC-82A、SOT-343	ATF-54143	2GHz	pHEMT场效应管	SOT-343	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000		120毫安	60毫安	20.4分贝	16.6分贝	0.5分贝	3V
MRF5S9080NBR1,528	51.1200	询价	1	恩智浦	*	大部分	的积极								下载					EAR99	8541.29.0075	1
MRF7S24250NR3	139.4500	询价	144	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	表面贴装	OM-780-2	MRF7	2.45GHz	LDMOS	OM-780-2	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	250		-	100毫安	256W	14.7分贝	-	30V
MMRF1015NR1	20.9500	询价	第355章	恩智浦	-	卷带式 (TR)	最后一次购买	68V	表面贴装	TO-270-2	MMRF1015	960兆赫	LDMOS	TO-270-2	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	500		-	125毫安	10W	18分贝	-	28V
BF1108,215	-	询价	1418	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	3V	表面贴装	TO-253-4、TO-253AA	BF110	-	场效应晶体管	SOT-143B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		过时的	0000.00.0000	3,000	N沟道	10毫安		-	-	-
AFT21S220W02SR3	-	询价	6828	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	NI-780S	AF21	2.14GHz	LDMOS	NI-780S	-	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	935311938128	5A991G	8541.29.0075	250		-	1.2A	50W	19.1分贝	-	28V
ATF-58143-TR1G	-	询价	第1545章	博通有限公司	-	卷带式 (TR)	过时的	5V		SC-82A、SOT-343	ATF-58143	2GHz	pHEMT场效应管	SOT-343	-		1（无限制）	REACH 不出行		5A991G	8541.21.0075	3,000		100毫安	30毫安	19分贝	16.5分贝	0.5分贝	3V
ARF441	-	询价	5487	美高森美公司	-	管子	过时的	150伏		-		13.56兆赫	场效应晶体管	-	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）			过时的	0000.00.0000	1	N沟道	11A	200毫安	125W	21分贝	-	50V
BLF8G20LS-220U	-	询价	3944	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	65V	安装结构	SOT-502B	BLF8	1.81GHz～1.88GHz	LDMOS	SOT502B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	934067472112	EAR99	8541.29.0095	20		-	1.6安	55W	18.9分贝	-	28V
BLP05H675XRGY	-	询价	9484	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	135V	表面贴装	4-BESOP（0.173英寸，4.40毫米宽）	BLP05	108兆赫	LDMOS	4-HSOP	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	100	双重、共同来源	-	20毫安	75W	27分贝	-	50V
MRFE6S9045GNR1	-	询价	3047	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	66伏	表面贴装	TO-270BB	MRFE6	880兆赫	LDMOS	TO-270 WB-4海鸥	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	500		-	350毫安	10W	22.1分贝	-	28V
BLF644PU	155.5400	询价	60	Ampleon美国公司	-	托盘	的积极	65V	安装结构	SOT-1228A	BLF644	860兆赫	LDMOS	LDMOST	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	20	双重、共同来源	-	200毫安	100W	23.5分贝	-	32V
CLF1G0060-10	97.0800	询价	360	罗彻斯特电子有限责任公司	-	大部分	过时的	150伏		SOT-1227A		6GHz	HEMT	CDFM2	-	不符合RoHS标准		REACH 不出行	2156-CLF1G0060-10-2156	EAR99	8541.29.0075	1		-	150毫安	10W	16分贝	-	50V
BLF6G27LS-75,118	-	询价	5931	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	SOT-502B	BLF6G27	-	LDMOS	SOT502B	下载		1（无限制）	REACH 不出行	934063217118	EAR99	8541.29.0075	100		18A	600毫安	9W	-	-	28V
BF904R,215	-	询价	2384	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	7V	表面贴装	SOT-143R	BF904	200兆赫	场效应晶体管	SOT-143R	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	N 沟道双感应	30毫安	10毫安	-	-	1分贝	5V
VRF154FL	431.9900	询价	8685	微芯片	-	管子	的积极	170伏		T2	VRF154	80兆赫	场效应晶体管	T2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1	N沟道	4毫安	800毫安	600W	17分贝	-	50V
A2T09D400-23NR6	95.1720	询价	4344	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极	70V	安装结构	OM-1230-4L2S	A2T09	716MHz～960MHz	LDMOS	OM-1230-4L2S	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	935318726528	EAR99	8541.29.0075	150		10微安	1.2A	400W	17.8分贝	-	28V
BLF8G20LS-400PGVJ	-	询价	6144	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	SOT-1242C	BLF8	1.81GHz～1.88GHz	LDMOS	CDFM8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	100	双重、共同来源	-	3.4A	95W	19分贝	-	28V
MMRF1007HR5	-	询价	3045	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	110V		NI-1230-4H	MMRF1	1.03GHz	LDMOS	NI-1230-4H	-	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	935311569178	EAR99	8541.29.0075	50	双重的	-	150毫安	1000W	20分贝	-	50V
CGH55030F2	144.0100	询价	50	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	过时的	84V		440166	CGH55030	4.5GHz～6GHz	HEMT	440166	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0075	60		-	250毫安	30W	11分贝	-	28V
NE350184C	-	询价	9419	西尔	-	大部分	过时的	4V		Micro-X 陶瓷 (84C)		20GHz	第一个化镓异质结场效应管	84C	-		1（无限制）	REACH旅行	Q2712397	EAR99	8541.29.0075	1		70毫安	10毫安	-	13.5分贝	0.7分贝	2V

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

射频场效应管、MOSFET(4585)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²