射频场效应管、MOSFET(4585)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	噪声系数	电压 - 测试
PTFA212401F V4 R250	-	询价	7943	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	表面贴装	2 箔封装、翅片安装、法兰式	PTFA212401	2.14GHz	LDMOS	H-37260-2	下载		3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	250		10微安	1.6安	50W	15.8分贝	-	30V
CLF1G0035-100	-	询价	7363	罗彻斯特电子有限责任公司	-	大部分	过时的	150伏	安装结构	SOT-467C		3.5GHz	HEMT	SOT467C	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-CLF1G0035-100	EAR99	8541.29.0095	1		-	330毫安	100W	12分贝	-	50V
WS1A2639-V1-R1	41.0060	询价	7616	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	125V	表面贴装	20-TFLGA 裸露焊盘	WS1A2639	2.496GHz～2.69GHz	-	20-LGA (6x6)	-				1697-WS1A2639-V1-R1TR			100	-	-	50毫安	8W	16.9分贝	-	48V
IGN0912LM500	788.3600	询价	10	Integra技术公司	*	托盘	的积极				IGN0912				下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		2251-IGN0912LM500	EAR99	8541.29.0075	5
ATF-38143-TR2G	-	询价	6885	博通有限公司	-	卷带式 (TR)	过时的	4.5V		SC-82A、SOT-343	ATF-38143	2GHz	pHEMT场效应管	SOT-343	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	10,000		145毫安	10毫安	12分贝	16分贝	0.4分贝	2V
艺术150PEY	51.4650	询价	3854	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极				艺术150				-	符合ROHS3标准						100
BF5020WE6327HTSA1	-	询价	9636	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	8V	表面贴装	SC-82A、SOT-343	BF5020	800兆赫	场效应晶体管	PG-SOT343-3D	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	N沟道	25毫安	10毫安	-	26分贝	1.2分贝	5V
MMRF1015GNR1	18.9720	询价	7999	恩智浦	-	卷带式 (TR)	最后一次购买	68V	表面贴装	TO-270BA	MMRF1015	960兆赫	LDMOS	TO-270-2海鸥	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	935315212528	EAR99	8541.29.0075	500		-	125毫安	10W	18分贝	-	28V
2N5950	-	询价	8947	仙童	-	大部分	过时的	30V	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)		-	结型场效应晶体管	TO-92-3	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8541.21.0095	1	N沟道	15毫安		-	-	-
MRF5S21090HR5	-	询价	4248	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	SOT-957A	MRF5	2.11GHz	LDMOS	NI-780H-2L	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		5A991G	8541.29.0075	50		-	850毫安	19W	14.5分贝	-	28V
MRF9060NR1	34.8500	询价	第247章	飞思卡尔半导体	-	大部分	的积极	65V		TO-270AA	MRF90	945兆赫	LDMOS	TO-270-2	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0075	1		-	450毫安	60W	18分贝	-	26V
C4H2327N110AZ	47.3500	询价	185	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	50V	表面贴装	6-VDFN 裸露焊盘		2.3GHz～2.69GHz	-	6-DFN (7x6.5)	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000	-	-		-	15分贝	-
MRF6S9060NBR1	-	询价	8198	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	68V	安装结构	TO-272BC	MRF6	880兆赫	LDMOS	TO-272-2	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	500		-	450毫安	14W	21.4分贝	-	28V
UF28100M	351.3583	询价	7124	MACOM技术解决方案	-	大部分	的积极	65V	安装结构	4L-FLG	UF28100	100MHz～500MHz	N沟道	-	-				1465-UF28100M			1	N沟道	3毫安	600毫安	100W	10分贝	-	28V
BLF2425M8L140J	133.8600	询价	9678	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	65V	安装结构	SOT-502A	BLF2425	2.45GHz	LDMOS	SOT502A	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	934067835118	EAR99	8542.39.0001	100		-	1.3A	140W	19分贝	-	28V
BLF7G27LS-75P,118	-	询价	8712	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	表面贴装	SOT-1121B	BLF7G27	2.3GHz～2.4GHz	LDMOS	LDMOST	下载		1（无限制）	REACH 不出行	934064558118	EAR99	8541.29.0095	100	双重、共同来源	18A	650毫安	12W	17分贝	-	28V
BG3430RE6327HTSA1	-	询价	9214	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	8V	表面贴装	6-VSSOP、SC-88、SOT-363		800兆赫	场效应晶体管	PG-SOT363-PO	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）	25毫安	14毫安	-	25分贝	1.3分贝	5V
BLC9H10XS-350AZ	74.3400	询价	47	Ampleon美国公司	-	托盘	的积极	105V	表面贴装	SOT-1273-1	BLC9	617MHz～960MHz	LDMOS	SOT1273-1	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20		1.4微安	400毫安	350W	19.5分贝	-	50V
CGHV1J070D-GP4	106.8540	询价	110	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	的积极	100伏		死	CGHV1	18GHz	HEMT	死	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		CGHV1J070D	宣传册3A001B3	8541.29.0075	10		-	360毫安	70W	17分贝	-	40V
PD55025TR-E	29.6600	询价	4289	意法半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	40V		PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2个结构楼梯）	PD55025	500兆赫	LDMOS	PowerSO-10RF（成型原理）	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	600		7A	200毫安	25W	14.5分贝	-	12.5V
NE34018-A	-	询价	7334	西尔	-	大部分	过时的	4V	表面贴装	SC-82A、SOT-343	NE340	2GHz	第一个化镓异质结场效应管	SOT-343	下载		1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.21.0075	1		120毫安	5毫安	12分贝	16分贝	0.6分贝	2V
BLF6G22L-40BN,118	-	询价	8719	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	SOT-1112A	BLF6G22	2.11GHz～2.17GHz	LDMOS	CDFM6	下载		1（无限制）	REACH 不出行	934064313118	EAR99	8541.29.0075	100	双重、共同来源	-	第345章	2.5W	19分贝	-	28V
EC4409C-TL-H	0.1500	询价	40	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	10,000
MRFE6P9220HR3	399.8500	询价	第864章	飞思卡尔半导体	-	大部分	的积极	66伏		NI-860C3	MRFE6	880兆赫	LDMOS	NI-860C3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0075	250		-	1.6安	47W	20分贝	-	28V
BLF8G10LS-160V,112	66.3900	询价	5	恩智浦	-	管子	的积极	65V	法兰安装	SOT-502B	BLF8	920MHz～960MHz	LDMOS	SOT502B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	0000.00.0000	1			1.1安	35W	19.7分贝	-	30V
MRF7S21150HSR3	-	询价	第1533章	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	NI-780S	MRF7	2.11GHz～2.17GHz	LDMOS	NI-780S	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	935309845128	EAR99	8541.29.0075	250		-	1.35安	44W	17.5分贝	-	28V
MRF8HP21130HSR5	-	询价	3355	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	表面贴装	NI-780S-4L	MRF8	2.17GHz	LDMOS	NI-780S-4L	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50	双重的	-	360毫安	28W	14分贝	-	28V
MMRF1020-04GNR3	266.1723	询价	3118	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极	105V	表面贴装	OM-780G-4L	MMRF1020	920兆赫	LDMOS	OM-780G-4L	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	935318203528	EAR99	8541.29.0075	250	双重的	-	第860章	100W	19.5分贝	-	48V
MCH6626-TL-H	0.1000	询价	39	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	3,000
MRF8P20100HSR3	93.7900	询价	44	飞思卡尔半导体	-	大部分	的积极	65V		NI-780S-4	MRF8	2.03GHz	LDMOS	NI-780S-4	下载	不适用	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1	双重的	-	400毫安	20W	16分贝	-	28V

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

射频场效应管、MOSFET(4585)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²