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RF FET，MOSFET（4585）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	噪音图	电压 -测试
ARF476FL	158.3900	RFQ	10	微芯片技术	-	托盘	积极的	500 v		-	ARF476	128MHz	MOSFET	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）公共来源	10a	15 ma	900W	16dB	-	150 v
BLF8G10LS-270,118	-	RFQ	6732	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	SOT-502B	BLF8	922.5MHz〜957.5MHz	ldmos	SOT502B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934067016118	Ear99	8541.29.0075	100		-	2 a	67W	18.5db	-	28 V
BF1100WR，115	-	RFQ	6703	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	14 V	表面安装	SC-82A，SOT-343	BF110	800MHz	MOSFET	CMPAK-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道双门	30mA	10 MA	-	-	2DB	9 V
PTFB092707FH-V1-R0	-	RFQ	8760	Wolfspeed，Inc。	-	条	过时的	65 v	表面安装	H-37288L-4/2		960MHz	ldmos	H-37288L-4/2	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8542.33.0001	50		-	2.15 a	60W	19db	-	28 V
MRFG35003ANR5	-	RFQ	8033	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	15 v	表面安装	PLD-1.5	MRFG35	3.55GHz	Phemt fet	PLD-1.5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50		-	55 MA	3W	10.8db	-	12 v
MRF19045LSR5	28.1800	RFQ	135	自由度半导体	-	大部分	积极的	65 v		Ni-400s	MRF19	1.93GHz	ldmos	NI-400S-240	-	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	50		-	550 MA	9.5W	14.5db	-	26 V
GTVA355001EC-V1-R0	734.1100	RFQ	48	Wolfspeed，Inc。	甘	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125 v	底盘安装	H-36248-2		2.9GHz〜3.5GHz	hemt	H-36248-2	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			光盘3A001B3	8541.29.0075	50		-	200 ma	500W	13.5dB	-	50 V
2SJ580-TD-E	0.2400	RFQ	57	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1,000
BG3130RH6327XTSA1	-	RFQ	8239	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	8 V	表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BG3130	800MHz	MOSFET	PG-SOT363-PO	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）	25mA	14 ma	-	24dB	1.3dB	5 v
AFT18HW355SR5,178	1.0000	RFQ	2872	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的								下载						0000.00.0000	1
NE3503M04-T2B-A	-	RFQ	3127	cel	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	4 V		4-SMD，平坦的铅		12GHz	GAAS HJ-FET	M04	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000		70mA	10 MA	-	12DB	0.45dB	2 v
MRF6S19200HSR3	-	RFQ	7164	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	66 v	底盘安装	NI-780	MRF6	1.93GHZ〜1.99GHz	ldmos	NI-780	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250		-	1.6 a	56W	17.9db	-	28 V
BLC10G22XS-570AVTY	87.6150	RFQ	7451	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	65 v	表面安装	SOT-1258-4	BLC10	2.11GHZ〜2.18GHz	ldmos （双），普通来源	SOT1258-4	-	rohs3符合条件			1603-BLC10G22XS-570AVTYTR			100	2 n 通道（双）公共来源	2.8µA	1.15 a	570W	15.7dB	-	30 V
STAC4933	113.3700	RFQ	53	Stmicroelectronics	-	盒子	过时的	200 v		STAC177B	STAC4933	30MHz	MOSFET	STAC177B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	n通道	40a	250 MA	300W	24dB	-	50 V
MRF8P20140WHR5	-	RFQ	1100	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	65 v	底盘安装	NI-780-4	MRF8	1.88GHz〜1.91GHz	ldmos	NI-780-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		5A991G	8541.29.0075	50	双重的	-	500 MA	24W	16dB	-	28 V
PD55025TR-E	29.6600	RFQ	4289	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	40 V		Powerso-10rf 暴露底部垫（ 2个形成的导线）	PD55025	500MHz	ldmos	Powerso-10rf （形成的铅）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	600		7a	200 ma	25W	14.5db	-	12.5 v
PTF080101S V1	-	RFQ	7761	Infineon技术	Goldmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	表面安装	H-32259-2		960MHz	ldmos	H-32259-2	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		1µA	150 ma	10W	18.5db	-	28 V
MRF7S21210HR3	-	RFQ	5235	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	SOT-957A	MRF7	2.17GHz	ldmos	NI-780H-2L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250		-	1.4 a	63W	18.5db	-	28 V
PTRA093818NF-V1-R5	85.6207	RFQ	8923	Wolfspeed，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	105 v	表面安装	HBSOF-6-2	PTRA093818	925MHz〜960MHz	ldmos	pg-hbsof-6-2	下载	Rohs符合条件	3（168））			Ear99	8541.29.0075	500		10µA	200 ma	250W	18db	-	48 v
BLC2425M10LS500PY	140.4300	RFQ	3227	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	65 v	表面安装	SOT1250-1	BLC2425	2.4GHz〜2.5GHz	ldmos	SOT1250-1	-	rohs3符合条件			1603-BLC2425M10LS500PYTR			100	2 n 通道（双）公共来源	4.2µA	20 ma	500W	14.5db	-	32 v
MRF5S21150HSR5	-	RFQ	2179	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		NI-880S	MRF5	2.11GHZ〜2.17GHz	ldmos	NI-880S	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50		-	1.3 a	33W	12.5db	-	28 V
MRF18030ALSR5	41.8400	RFQ	50	自由度半导体	-	大部分	积极的	65 v		Ni-400s	MRF18	1.81GHZ〜1.88GHz	ldmos	Ni-400s	-	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	50		-	250 MA	30W	14dB	-	26 V
PTFA072401FL-V5-R0	121.4836	RFQ	3164	Wolfspeed，Inc。	-	条	不适合新设计	65 v		2-flatpack，鳍线	PTFA072401	725MHz〜770MHz	ldmos	H-34288-2	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		10µA	1.9 a	240W	19db	-	30 V
MRF1570NT1	-	RFQ	5432	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	40 V	底盘安装	TO-272-8	MRF15	470MHz	ldmos	TO-272-8包装	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	935313761528	Ear99	8541.21.0075	500		-	800 MA	70W	11.5db	-	12.5 v
MRF151	-	RFQ	5763	MACOM技术解决方案	-	托盘	积极的	125 v		-		175MHz	MOSFET	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		1465-1153	Ear99	8541.29.0095	30	n通道	16a	250 MA	150W	13db〜22dB	-	50 V
CGH40035F	197.6500	RFQ	3502	Wolfspeed，Inc。	甘	托盘	积极的	84 v		440193	CGH40	0Hz〜4GHz	hemt	440193	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		CGH40035FE	Ear99	8541.29.0075	120		10.5a	500 MA	45W	14dB	-	28 V
BLF7G24LS-100,112	-	RFQ	9438	Ampleon USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v	底盘安装	SOT-502B	BLF7	2.3GHz〜2.4GHz	ldmos	SOT502B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20		28a	900 MA	20W	18db	-	28 V
NE3210S01	-	RFQ	1602	cel	-	条	过时的	4 V		4-SMD		12GHz	GAAS HJ-FET	SMD	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1		15mA	10 MA	-	13.5dB	0.35dB	2 v
Art1k6phz	-	RFQ	3926	Ampleon USA Inc.	艺术	托盘	积极的	177 v	表面安装	OMP-1230-4G-1	Art1k6	1MHz〜450MHz	ldmos	OMP-1230-4G-1	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20	双重，共同来源	960NA	50 mA	1600W	27.4db	-	55 v
NE3517S03-T1C-A	-	RFQ	6910	cel	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	4 V		4-SMD，平坦的铅		20GHz	GAAS HJ-FET	S03	-		（1 （无限）	到达不受影响		5A991G	8542.33.0001	2,000		15mA	10 MA	-	13.5dB	0.7dB	2 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

RF FET，MOSFET（4585）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²