射频场效应管、MOSFET(4585)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	噪声系数	电压 - 测试
MMRF1020-04NR3	266.1723	询价	2784	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极	105V	表面贴装	OM-780-4L	MMRF1020	920兆赫	LDMOS	OM-780-4L	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	250	双重的	-	第860章	100W	19.5分贝	-	48V
MRF7S38075HSR3	132.5300	询价	1	飞思卡尔半导体	-	大部分	的积极	65V		NI-780S	MRF7	3.4GHz～3.6GHz	LDMOS	NI-780S	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0075	250		-	900毫安	12W	14分贝	-	30V
CE3514M4-C2	0.8200	询价	53	西尔	-	卷带式 (TR)	的积极	4V		4-SMD，写入	CE3514	12GHz	pHEMT场效应管	4-超迷你模具	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	15,000		68毫安	15毫安	125毫W	12.2分贝	0.62分贝	2V
MRFIC1501R2	1.7200	询价	5	飞思卡尔半导体	*	大部分	的积极								下载		供应商未定义	供应商未定义	2156-MRFIC1501R2-600055			1
MRF5S9150HR5	83.1600	询价	100	飞思卡尔半导体	-	大部分	的积极	68V		SOT-957A	MRF5	880兆赫	LDMOS	NI-780H-2L	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1		-	1.5A	33W	19.7分贝	-	28V
BLF7G24LS-100	-	询价	4190	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	65V	安装结构	SOT-502B		2.3GHz～2.4GHz	LDMOS	SOT502B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		过时的		20		5微安	900毫安	100W	18分贝	-	28V
TM-10	-	询价	7632	罗彻斯特电子有限责任公司	-	大部分	过时的								-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-TM-10-2156	EAR99	8541.29.0095	1
MMBF5485_NB50012	-	询价	7043	onsemi	-	大部分	过时的	25V	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	MMBF54	400兆赫	结型场效应晶体管	SOT-23-3	-		不适用	REACH 不出行		过时的	0000.00.0000	1	N沟道	10毫安		-	-	4分贝	15V
MRF8P20100HSR5	-	询价	5508	恩智浦	-	卷带式 (TR)	SIC停产	65V	表面贴装	NI-780S-4L	MRF8	2.03GHz	LDMOS	NI-780S-4L	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50	双重的	-	400毫安	20W	16分贝	-	28V
MHT1005HSR3	-	询价	8839	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的					-	-		-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	2832-MHT1005HSR3	过时的		50	-	-		-	-	-
MCH3312-EBM-TL-E	0.1100	询价	24	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	3,000
ON5173118	0.7300	询价	3	恩智浦半导体	*	大部分	的积极								下载		供应商未定义	REACH 不出行	2156-ON5173118-954	EAR99	0000.00.0000	1
MRF24G300HR5	113.2852	询价	3352	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极	125V	安装结构	NI-780-4		2.4GHz～2.5GHz	N化镓	NI-780-4	-	符合ROHS3标准		REACH 不出行	568-MRF24G300HR5TR	EAR99	8541.29.0095	50	2 N 沟道	-		300W	15.2分贝	-	48V
AFT18HW355SR5,178	1.0000	询价	2872	恩智浦	*	大部分	的积极								下载						0000.00.0000	1
MRFE6VP61K25GNR6	195.5361	询价	8842	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极	133伏	安装结构	OM-1230G-4L	MRFE6	230兆赫	LDMOS	OM-1230G-4L	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	935315986528	EAR99	8541.29.0075	150	双重的	-	100毫安	1250W	23分贝	-	50V
BLF6G13L-250P,112	-	询价	8530	Ampleon美国公司	-	大部分	SIC停产	100伏	安装结构	SOT-1121A	BLF6	1.3GHz	LDMOS	LDMOST	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20		-	100毫安	250W	17分贝	-	50V
GTRB266502FC-V1-R0	158.3080	询价	7873	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	48V	表面贴装	H-37248C-4	GTRB266502	2.62GHz～2.69GHz	HEMT	H-37248C-4	-				1697-GTRB266502FC-V1-R0TR			50	-	-		630W	14分贝	-
TF009F-AC	0.0700	询价	320	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	1
MRF6S21050LR5	67.1100	询价	50	飞思卡尔半导体	-	大部分	的积极	68V		NI-400	MRF6	2.16GHz	LDMOS	NI-400	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	50		-	450毫安	11.5W	16分贝	-	28V
MRF8HP21130HSR3	-	询价	6037	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	表面贴装	NI-780S-4L	MRF8	2.17GHz	LDMOS	NI-780S-4L	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	935321595128	EAR99	8541.29.0075	250	双重的	-	360毫安	28W	14分贝	-	28V
DU2820S	48.3679	询价	9015	MACOM技术解决方案	-	大部分	的积极	65V	安装结构	4L-FLG	DU2820	2MHz～175MHz	N沟道	-	-				1465-DU2820S			1	N沟道	1毫安	100毫安	20W	13分贝	-	28V
2SK3557-7-TB-EX	-	询价	5703	onsemi	-	大部分	的积极	15V	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3		-	结型场效应晶体管	3-CP	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	3,000	N沟道	50毫安	1毫安	-	-	1分贝	5V
AFT09MS007NT1	4.5800	询价	2	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极	30V	表面贴装	PLD-1.5W	AF09	870兆赫	LDMOS	PLD-1.5W	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		-	100毫安	7.3W	15.2分贝	-	7.5V
CGHV40100P	323.5600	询价	43	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	的积极	125V		440206	CGHV40100	0Hz～4GHz	HEMT	440206	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	100		8.7A	600毫安	116W	11分贝	-	50V
FDMF5804	1.0000	询价	7033	仙童	*	大部分	的积极								-	不适用	3（168小时）	供应商未定义				3,000
BLF245B	-	询价	8772	罗彻斯特电子有限责任公司	-	大部分	过时的	65V		SOT-279A		175兆赫	场效应晶体管	CDFM4	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-BLF245B	EAR99	8541.29.0075	1	2 N 沟道（双）公共源	1毫安	50毫安	30W	18分贝	-	28V
RF3L05150CB4	166.2300	询价	123	意法半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	90V	安装结构	左臂BB		1GHz	LDMOS	左臂BB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	100		1微安	500毫安	150W	23分贝	-	28V
BLM10D1822-60ABGYZ	34.1127	询价	8517	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	65V	表面贴装	OMP-400-8G-1	BLM10	1.8GHz～2.2GHz	LDMOS	OMP-400-8G-1	-	符合ROHS3标准			1603-BLM10D1822-60ABGYZTR			300	-	1.4微安	90毫安	-	27.8分贝	-	30V
ON5224,118	-	询价	4710	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	TO-263-5、D²Pak（4引脚+接片）、TO-263BB	ON52	-	-	D2PAK	-	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	934056731118	EAR99	8541.29.0095	800	-	-		-	-	-
A2T26H160-24SR3	167.7800	询价	149	飞思卡尔半导体	-	大部分	的积极	65V	安装结构	NI-780S-4L2L		2.58GHz	LDMOS	NI-780S-4L2L	下载					EAR99	8541.29.0075	1	双重的	-	350毫安	28W	15.5分贝	-	28V

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

射频场效应管、MOSFET(4585)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²