射频场效应管、MOSFET(4585)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	噪声系数	电压 - 测试
BLC10G27XS-400AVTY	85.5450	询价	第3139章	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	65V	表面贴装	SOT-1258-4	BLC10	2.496GHz～2.69GHz	LDMOS	SOT1258-4	-	符合ROHS3标准			1603-BLC10G27XS-400AVTYTR			100	2 N 沟道（双）公共源	2.8微安		400W	13.3分贝	-	28V
BLF184XRSU	188.9200	询价	60	Ampleon美国公司	-	托盘	的积极	135V	表面贴装	SOT-1214B	BLF184	108兆赫	LDMOS	LDMOST	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20	双重、共同来源	-	100毫安	700W	23.9分贝	-	50V
2SJ316-TD-E	0.2900	询价	6	onsemi	*	大部分	过时的								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1,000
DC35GN-15-Q4	-	询价	第1672章	微芯片	-	大部分	的积极	125V	表面贴装	24-TFQFN 裸露焊盘		-	HEMT	24-QFN (4x4)	下载			REACH 不出行	150-DC35GN-15-Q4	EAR99	8541.29.0095	10		-	40毫安	19W	18.6分贝	-	50V
MRF085HR5178	146.7100	询价	100	恩智浦半导体	*	大部分	的积极								下载		供应商未定义	REACH 不出行	2156-MRF085HR5178-954			1
CLF1G0035-200PU	-	询价	6477	恩智浦	-	托盘	过时的			-		-	-	-	-	不适用				EAR99	8541.29.0075	20	-	-		-	-	-
ATF-53189-黑色	-	询价	6064	博通有限公司	-	大部分	过时的	7V		TO-243AA		900兆赫	pHEMT	SOT-89-3	下载		2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	100		300毫安	135毫安	21.7分贝	17.2分贝	0.8分贝	4V
BLF7G10L-250,112	-	询价	2221	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	65V	安装结构	SOT-502A	BLF7G10	920MHz～960MHz	LDMOS	SOT502A	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20		-	1.8安	60W	19.5分贝	-	30V
2SK3819-DL-E	0.9600	询价	36	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1,000
MMRF1304NR1	25.6700	询价	410	恩智浦半导体	-	大部分	过时的	133伏	表面贴装	TO-270AA		1.8MHz～2GHz	LDMOS	TO-270-2	下载	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-MMRF1304NR1	EAR99	8541.29.0075	1		7微安	10毫安	25W	25.4分贝	-	50V
GTVA311801FA-V1-R0	432.7000	询价	48	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	卷带式 (TR)	的积极	125V	表面贴装	H-37265J-2	GTVA311801	2.7GHz～3.1GHz	HEMT	H-37265J-2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			宣传册3A001B3	8541.29.0075	50		-	20毫安	180W	15分贝	-	50V
BLA9G1011LS-300GU	257.3600	询价	41	Ampleon美国公司	-	托盘	SIC停产		安装结构	SOT-502E	BLA9	1.03GHz～1.09GHz	LDMOS	CDFM2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20		4.2微安	100毫安	317W	21.8分贝	-	32V
NE3515S02-T1D-A	0.6700	询价	第654章	瑞萨电子美国公司	-	大部分	过时的	4V		4-SMD，写入		12GHz	高频场效应晶体管	S02	下载	不适用				EAR99	8541.21.0075	2,000		88毫安	10毫安	14分贝	12.5分贝	0.3分贝	2V
0912GN-650V	-	询价	第1594章	微芯片	V	大部分	的积极	150伏	表面贴装	55-KR		960MHz～1.215GHz	HEMT	55-KR	下载			REACH 不出行	150-0912GN-650V	EAR99	8541.29.0095	1		-	100毫安	650W	18分贝	-	50V
BLF7G22LS-130,112	-	询价	7432	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	65V	安装结构	SOT-502B	BLF7G22	2.11GHz～2.17GHz	LDMOS	SOT502B	下载		1（无限制）	REACH 不出行		5A991G	8541.29.0075	20		28A	950毫安	30W	18.5分贝	-	28V
VMMK-1218-BLKG	-	询价	8656	博通有限公司	-	条	过时的	5V		0402（1005公制）	VMMK-1218	10GHz	pHEMT	0402	-		2（1年）	REACH 不出行		EAR99	8542.33.0001	100		100毫安	20毫安	12分贝	9分贝	0.81分贝	3V
NSTHS4101PT1G	-	询价	6752	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	3,000
PTFB211503EL-V1-R250	-	询价	8779	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	H-33288-6		2.17GHz	LDMOS	H-33288-6	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	250		-	1.2A	32W	18分贝	-	30V
WS1A3940-V1-R3K	26.9391	询价	4341	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	125V	表面贴装	20-TFLGA 裸露焊盘	WS1A3940	3.7GHz～3.98GHz	-	20-LGA (6x6)	-				1697-WS1A3940-V1-R3KTR			3,000	-	-	45毫安	10W	11.7分贝	-	48V
GTVA212701FA-V2-R2	138.2003	询价	1037	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	卷带式 (TR)	的积极	125V	表面贴装	H-87265J-2	GTVA212701	2.11GHz～2.2GHz	HEMT	H-87265J-2	下载				1697-GTVA212701FA-V2-R2	EAR99	8541.29.0075	250		-	320毫安	270W	19分贝	-	48V
UPA608T(0)-T1-A	0.1800	询价	57	瑞萨电子美国公司	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	3,000
AFT18H357-24SR6	-	询价	6672	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	NI-1230-4LS2L	AFFT18	1.81GHz	LDMOS	NI-1230-4LS2L	-	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		5A991G	8541.29.0075	150	双重的	-	800毫安	63W	17.3分贝	-	28V
MCH3317-TL-E	0.0800	询价	72	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	3,000
2SK212F-SPA	1.0000	询价	3395	onsemi	*	大部分	的积极								-						0000.00.0000	1
GTRA263902FC-V2-R0	185.3754	询价	4388	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	卷带式 (TR)	的积极	125V	表面贴装	H-37248C-4	GTRA263902	2.495GHz～2.69GHz	HEMT	H-37248C-4	下载				1697-GTRA263902FC-V2-R0TR	EAR99	8541.29.0075	50		-	280毫安	370W	13.8分贝	-	48V
PD85035S-E	23.9580	询价	2337	意法半导体	-	管子	的积极	40V		PowerSO-10 裸露底垫	PD85035	870兆赫	LDMOS	PowerSO-10RF（直读）	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	400		8A	350毫安	15W	17分贝	-	13.6V
MHT1807T1	0.3200	询价	114	恩智浦	*	大部分	不适合新设计								-	不适用	供应商未定义	可根据要求提供REACH信息	2832-MHT1807T1	EAR99		1
GTRA263902FC-V2-R2	197.9200	询价	250	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	卷带式 (TR)	的积极	125V	表面贴装	H-37248C-4	GTRA263902	2.495GHz～2.69GHz	HEMT	H-37248C-4	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0075	250		-	280毫安	370W	13.8分贝	-	48V
MRFE6S9205HSR5	-	询价	6531	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	66伏	表面贴装	NI-880S	MRFE6	880兆赫	LDMOS	NI-880S	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50		-	1.4A	58W	21.2分贝	-	28V
MHT2025NR1	-	询价	4929	恩智浦	*	卷带式 (TR)	过时的				MHT20				-	符合ROHS3标准		REACH 不出行	935341634528	过时的		500

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

射频场效应管、MOSFET(4585)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²