射频场效应管、MOSFET(4585)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	噪声系数	电压 - 测试
BLP2425M10S250PY	55.7500	询价	63	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	65V	表面贴装	OMP-780-4F-1	BLP2425	2.4GHz～2.5GHz	LDMOS	OMP-780-4F-1	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	100	双重、共同来源	2.8微安	100毫安	250W	15分贝	-	32V
A2T09VD250NR1	47.5929	询价	2461	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极	105V	表面贴装	TO-270-6 变体，牛皮	A2T09	920兆赫	LDMOS	TO-270WB-6A	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	935320819528	EAR99	8541.29.0075	500	双重的	-	1A	65W	22.5分贝	-	48V
BLF578XR,112	399.3600	询价	63	Ampleon美国公司	-	托盘	的积极	110V	安装结构	SOT-539A	BLF578	225兆赫	LDMOS	SOT539A	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20	双重、共同来源	-	40毫安	1400W	23.5分贝	-	50V
MRF9030LSR1	-	询价	5222	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	68V		NI-360S	MRF90	945兆赫	LDMOS	NI-360S	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	500		-	250毫安	30W	19分贝	-	26V
VMMK-1225-TR1G	-	询价	4182	博通有限公司	-	卷带式 (TR)	过时的	5V		0402（1005公制）		12GHz	pHEMT	0402	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.33.0001	5,000		50毫安	20毫安	8分贝	11分贝	1分贝	2V
PXAC241702FC-V1-R250	80.8964	询价	8009	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	65V	安装结构	H-37248-4	PXAC241702	2.4GHz	LDMOS	H-37248-4	下载	符合RoHS标准	3（168小时）			EAR99	8541.29.0095	250		-	360毫安	28W	16.5分贝	-	28V
BB504CDS-TL-E	0.2400	询价	第963章	瑞萨电子美国公司	*	大部分	过时的								下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000
NPT2010	238.2600	询价	8042	MACOM技术解决方案	-	托盘	的积极	48V		-		0Hz～2.2GHz	HEMT	-	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		1465-1406	EAR99	8541.29.0095	20		-	600毫安	95W	15分贝	-	48V
CPH5846-TL-E	0.1200	询价	48	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	3,000
VRF152G	174.5800	询价	5	微芯片	-	大部分	的积极	130伏		SOT-262A1	VRF152	175兆赫	场效应晶体管		下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	150-VRF152G	EAR99	8541.29.0095	1	2 个 N 沟道（双）	50微安	500毫安	300W	16分贝	-	50V
BLF6G27-10G,118	-	询价	3897	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	表面贴装	SOT-975C	BLF6G27	2.5GHz～2.7GHz	LDMOS	CDFM2	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	934061845118	EAR99	8541.29.0075	100		3.5A	130毫安	2W	19分贝	-	28V
MRF21045LR3	-	询价	9671	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V		NI-400	MRF21	2.17GHz	LDMOS	NI-400-240	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		5A991G	8542.31.0001	250		-	500毫安	10W	15分贝	-	28V
ARF447G	-	询价	7675	美高森美公司	-	大部分	的积极	900伏		TO-247-3	ARF447	40.68兆赫	场效应晶体管	TO-247	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1	N沟道	6.5A		140W	15分贝	-	250伏
BLM9D2327-26BZ	28.0000	询价	119	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	28V	表面贴装	20-QFN 裸露焊盘	BLM9	2.3GHz～2.7GHz	LDMOS	20-PQFN (8x8)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	500		1.4微安	76毫安	44.9分贝	27分贝	-	28V
ART700FHGJ	174.9300	询价	84	Ampleon美国公司	-	切带 (CT)	的积极	177伏	安装结构	SOT-1214C		1MHz～450MHz	LDMOS	SOT1214C	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	100	双重、共同来源	1.4微安	1.2A	700W	28.6分贝	-	55V
BF1101R,215	-	询价	9420	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	7V	表面贴装	SOT-143R	BF110	800兆赫	场效应晶体管	SOT-143R	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	N 沟道双感应	30毫安	12毫安	-	-	1.7分贝	5V
2SK304E-SPA-AC	-	询价	9674	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	1
MRF8P20161HSR3	110.0400	询价	1	飞思卡尔半导体	-	大部分	的积极	65V		NI-780S-4	MRF8	1.92GHz	LDMOS	NI-780S-4	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	250	双重的	-	550毫安	37W	16.4分贝	-	28V
BF556C,215	-	询价	8003	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	30V	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BF556	-	结型场效应晶体管	SOT-23 (TO-236AB)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	N沟道	18毫安		-	-	-
BLC8G20LS-400AVY	-	询价	8442	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	SOT-1258-3		1.81GHz～1.88GHz	LDMOS	东风六号	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	100	双重、共同来源	-	800毫安	85W	15.5分贝	-	32V
PXAC243502FV-V1	-	询价	3710	沃尔夫斯皮德公司	-	托盘	SIC停产	65V	表面贴装	H-37275-4		2.4GHz	LDMOS	H-37275-4	下载	符合RoHS标准	3（168小时）			EAR99	8541.29.0095	35		-	850毫安	68W	15分贝	-	28V
PD85015TRM-E	-	询价	6146	意法半导体	*	卷带式 (TR)	过时的								-		3（168小时）	REACH 不出行		过时的	0000.00.0000	600
MRF5S19060NBR1	50.2600	询价	第332章	飞思卡尔半导体	-	大部分	的积极	65V		TO-272BB	MRF5	1.99GHz	LDMOS	TO-272 WB-4	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH旅行		EAR99	0000.00.0000	1		-	750毫安	12W	14分贝	-	28V
BLF8G22LS-205VJ	-	询价	6886	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	SOT-1239B	BLF8	2.11GHz～2.17GHz	LDMOS	CDFM6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	100		-	1.2A	50.1W	18.3分贝	-	28V
MRF5P21045NR1	-	询价	7304	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	表面贴装	TO-270AB	MRF5	2.11GHz～2.17GHz	LDMOS	TO-270 WB-4	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	500	双重的	-	500毫安	10W	14.5分贝	-	28V
MRF21010LSR1	-	询价	3872	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	NI-360S	MRF21	2.17GHz	LDMOS	NI-360S	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	500		-	100毫安	10W	13.5分贝	-	28V
PXAC261002FC-V1-R250	80.8964	询价	6152	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	65V	安装结构	H-37248-4	PXAC261002	2.69GHz	LDMOS	H-37248-4	下载	符合RoHS标准	3（168小时）			EAR99	8541.29.0095	250		-	210毫安	18W	15.1分贝	-	26V
2N5245_J35Z	-	询价	6193	onsemi	-	大部分	过时的	30V	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	2N5245	-	结型场效应晶体管	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	2,000	N沟道	15毫安		-	-	-
BLF871S,112	-	询价	7604	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	89伏	表面贴装	SOT-467B		860兆赫	LDMOS	SOT-467B	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20		-	500毫安	100W	19分贝	-	40V
MRF21085R3	146.7600	询价	162	飞思卡尔半导体	-	大部分	的积极	65V	安装结构	SOT-957A		2.11GHz～2.17GHz	场效应晶体管	NI-780H-2L	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	N沟道	10微安	1A	90W	13.6分贝	-	28V

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

射频场效应管、MOSFET(4585)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²