射频场效应管、MOSFET(4585)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	噪声系数	电压 - 测试
ATF-54143-TR2G	-	询价	9991	博通有限公司	-	卷带式 (TR)	过时的	5V		SC-82A、SOT-343	ATF-54143	2GHz	pHEMT场效应管	SOT-343	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	10,000		120毫安	60毫安	20.4分贝	16.6分贝	0.5分贝	3V
BLF7G20LS-90PH	-	询价	6127	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	表面贴装	SOT-1121B		1.81GHz～1.88GHz	LDMOS	LDMOST	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		过时的		100	双重、共同来源	18A	550毫安	40W	19.5分贝	-	28V
BLS6G2735LS-30,112	166.9600	询价	50	Ampleon美国公司	-	大部分	SIC停产	60V	安装结构	SOT-1135B	BLS6	3.1GHz～3.5GHz	LDMOS	CDFM2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20		-	50毫安	30W	13分贝	-	32V
BLM10D1822-61ABGZ	50.4100	询价	173	Ampleon美国公司	黑土LM	托盘	的积极	65V	表面贴装	OMP-400-8G-1	BLM10	1.8GHz～2.2GHz	LDMOS	OMP-400-8G-1	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	90	双重、共同来源	1.4微安	108毫安	48.3分贝	28.5分贝	-	28V
CGHV59070P	297.2051	询价	2694	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	的积极	150伏	表面贴装	440170	CGHV59070	4.4GHz～5.9GHz	HEMT	440170	下载				1697-CGHV59070P	宣传册3A001B3	8541.29.0075	75		-	150毫安	70W	13.3分贝	-	50V
PD55003STR-E	-	询价	第1427章	意法半导体	-	卷带式 (TR)	过时的	40V		PowerSO-10 裸露底垫	PD55003	500兆赫	LDMOS	PowerSO-10RF（直读）	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	600		2.5A	50毫安	3W	17分贝	-	12.5V
GTRA262802FC-V2-R2	119.8668	询价	第1689章	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	卷带式 (TR)	的积极	125V	表面贴装	H-37248C-4	GTRA262802	2.49GHz～2.69GHz	HEMT	H-37248C-4	下载				1697-GTRA262802FC-V2-R2TR	EAR99	8541.29.0075	250		-	200毫安	250W	14分贝	-	48V
C4H2350N10X	12.8957	询价	3345	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	150伏	表面贴装	6-VDFN 裸露焊盘	C4H2350	2.3GHz～5GHz	场效应晶体管	6-DFN (7x6.5)	-	符合ROHS3标准			1603-C4H2350N10XTR			3,000	N沟道	240μA	15毫安	10W	19分贝	-
A5G35H055NT4	22.5600	询价	7758	恩智浦	*	卷带式 (TR)	的积极								-	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	500
CPH3441-TL-E	0.2000	询价	第402章	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	3,000
GTVA126001EC-V1-R0	845.6000	询价	30	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	卷带式 (TR)	的积极	125V	安装结构	H-36248-2	GTVA126001	1.2GHz～1.4GHz	HEMT	H-36248-2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0075	50		-	100毫安	600W	20分贝	-	50V
A2T23H160-24SR3	132.9651	询价	4413	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极	65V	安装结构	NI-780S-4L2L	A2T23	2.3GHz	LDMOS	NI-780S-4L2L	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	935326016128	EAR99	8541.29.0075	250	双重的	-	350毫安	28W	17.7分贝	-	28V
A5G38H045N-3700	337.5000	询价	4488	恩智浦	-	大部分	的积极		表面贴装	6-LDFN 裸露焊盘		-	-	6-PDFN (7x6.5)	-	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1	-	-		5W	-	-
ECH8311-TL-H	0.3000	询价	9	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	3,000
BF1009SE6327HTSA1	-	询价	7283	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	12V	表面贴装	TO-253-4、TO-253AA		800兆赫	场效应晶体管	PG-SOT-143-3D	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	N沟道	25毫安		-	22分贝	1.4分贝	9V
FW261-TL-E	0.1100	询价	25	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	2,664
BLF8G22LS-200	-	询价	7631	Ampleon美国公司	*	卷带式 (TR)	过时的								-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		过时的		100
MRF6P3300HR3	-	询价	9445	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	68V	安装结构	NI-860C3	MRF6	857MHz～863MHz	LDMOS	NI-860C3	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	250		-	1.6安	270W	20.2分贝	-	32V
A2I25H060GNR1	-	询价	9763	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	表面贴装	TO-270-17变体，鸥翼型	A2I25	2.59GHz	LDMOS	TO-270WBG-17	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	935316196528	EAR99	8542.33.0001	500	双重的	-	26毫安	10.5W	26.1分贝	-	28V
CGH40045P	201.5300	询价	69	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	不适合新设计	84V	表面贴装	440206		4GHz	HEMT	440206	下载		1（无限制）		1697-CGH40045P	EAR99	8541.29.0075	120		-	400毫安	45W	14分贝	-	28V
CLF1G0035-50H	295.1800	询价	2	Ampleon美国公司	-	托盘	的积极	150伏		SOT467C		3GHz	N化晶体管高电子迁移率晶体管	SOT467C	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.29.0095	2		-	150毫安	50W	11.5分贝	-	50V
2SK777U1-FRN	-	询价	7820	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1
BLF6G21-10G,112	-	询价	9902	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	65V	表面贴装	SOT-538A		2.11GHz～2.17GHz	LDMOS	2-CSMD	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	20		-	100毫安	700毫W	18.5分贝	-	28V
BLM9D2527-20ABX	-	询价	3903	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	65V	表面贴装	20-QFN 裸露焊盘	BLM9	2.5GHz～2.7GHz	LDMOS	20-PQFN (8x8)	-	符合ROHS3标准			1603-BLM9D2527-20ABXTR			2,000	-	1.4微安		-	27.2分贝	-	28V
ST50V10100	75.9300	询价	8771	意法半导体	-	大部分	的积极	110V	安装结构	M243	ST50	-	LDMOS	M243	-	符合ROHS3标准		REACH 不出行	497-ST50V10100			50	-	18A		100W	18分贝	-
ART150PEXY	56.6200	询价	85	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	200V	表面贴装	TO-270AA	艺术150	1MHz～650MHz	LDMOS	TO-270-2F-1	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	100	N沟道	1.4微安	500毫安	150W	31.2分贝	-	65V
275X2-501N16A-00	-	询价	8481	IXYS-RF	德	管子	过时的	500V		8-SMD，写入裸露焊盘	275X2-501	-	场效应晶体管	DE275	下载		1（无限制）	REACH旅行	DE275X2-501N16A-00	EAR99	8541.29.0095	20	2 个 N 沟道（双）	16A		1180W	-	-
2SK852-T2-A	0.2000	询价	3	瑞萨电子美国公司	*	大部分	过时的								下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	1,475
BLF8G27LS-140V	-	询价	4104	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	65V	安装结构	SOT-1120B		2.6GHz～2.7GHz	LDMOS	LDMOST	下载		1（无限制）	REACH 不出行	934067171115	EAR99	8541.29.0075	1		4.2微安	1.3A	140W	17.4分贝	-	32V
MRF8S9260HR3	-	询价	9673	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	70V	安装结构	SOT-957A	MRF8	960兆赫	LDMOS	NI-880H-2L	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	935317145128	EAR99	8541.29.0075	250		-	1.7安	75W	18.6分贝	-	28V

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

射频场效应管、MOSFET(4585)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²