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RF FET，MOSFET（4585）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	噪音图	电压 -测试
BLC9G20LS-150PVY	-	RFQ	5892	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-	BLC9				-	rohs3符合条件		到达不受影响	934960016518	过时的	0000.00.0000	100
RF5L15030CB2	54.4500	RFQ	5253	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的	110 v	底盘安装	GXB	RF5L15030	1.5GHz	ldmos	GXB	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-RF5L15030CB2			180	-	1µA	200 ma	30W	23.5db	-	50 V
SAV-581+	16.0200	RFQ	132	迷你电路	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	5 v	表面安装	SC-82A，SOT-343		45MHz〜6GHz	e-phemt	MMM1362	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8542.33.0001	1,000		-	30 ma	20.5dBm	22.3db	1.5dB	3 V
TAV2-501+	12.1300	RFQ	1	迷你电路	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	7 V	表面安装	8-tfdfn暴露垫	tav2	400MHz〜3.9GHz	e-phemt	MC1631-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8542.33.0001	2,000		500NA	280 MA	-	23.5db	1.3dB	4.5 v
BF1215,115	-	RFQ	5905	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	6 V	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	BF121	400MHz	MOSFET	6-TSSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道双门	30mA	19 ma	-	30dB	1.5dB	5 v
BLF25M612,112	-	RFQ	3705	Ampleon USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v	底盘安装	SOT-975B	BLF25M612	2.45GHz	ldmos	CDFM2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	934066219112	Ear99	8541.29.0075	60		-	10 MA	12W	19db	-	28 V
MRF6S21100HSR5	-	RFQ	7391	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v	底盘安装	NI-780	MRF6	2.11GHZ〜2.17GHz	ldmos	NI-780	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50		-	950 MA	23W	15.9db	-	28 V
BLF878,112	-	RFQ	7290	Ampleon USA Inc.	-	托盘	过时的	89 v	底盘安装	SOT-979A		860MHz	ldmos	CDFM2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	60	双重，共同来源	-	1.4 a	300W	21dB	-	40 V
BF1108/L，215	-	RFQ	7749	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	3 V	表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BF110	-	MOSFET	SOT-143B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934061588215	Ear99	8541.29.0075	3,000	n通道	10mA		-	-	-
MRF5P21180HR5	-	RFQ	1093	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	NI-1230	MRF5	2.16GHz	ldmos	NI-1230	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		5A991G	8541.29.0075	50		-	1.6 a	38W	14dB	-	28 V
BLP10H6120PY	-	RFQ	6694	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	110 v		SOT-1223-2	BLP10	1GHz	ldmos	4-HSOPF	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	934960006518	Ear99	8541.29.0075	100		1.4µA	80 ma	120W	18db	-	50 V
MRF6S19100HR5	-	RFQ	5076	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v	底盘安装	SOT-957A	MRF6	1.99GHz	ldmos	NI-780H-2L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50		-	900 MA	22W	16.1db	-	28 V
AFT26HW050SR3	80.8200	RFQ	4	自由度半导体	-	大部分	积极的	65 v	底盘安装	NI-780-4S4		2.496GHZ〜2.69GHz	ldmos	NI-780-4S4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0040	250	双重的	10µA	100 ma	9W	14.2db	-	28 V
RF5L051K5CB4	187.5000	RFQ	8349	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的	110 v	底盘安装	D4E	RF5L051K5	500MHz	ldmos	D4E	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-RF5L051K5CB4			100	-	1µA	200 ma	1500W	22DB	-	50 V
AFT20S015GNR1	26.1700	RFQ	777	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	65 v	表面安装	TO-270BA	AFT20	2.17GHz	ldmos	TO-270-2鸥	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		5A991G	8541.29.0040	500		-	132 MA	1.5W	17.6dB	-	28 V
PTFA080551E-V4-R0	54.9642	RFQ	5872	Wolfspeed，Inc。	-	条	不适合新设计	65 v	底盘安装	H-36265-2	PTFA080551	869MHz〜960MHz	ldmos	H-36265-2	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		10µA	450 MA	55W	18.5db	-	28 V
MRF6S23100HSR5	-	RFQ	7920	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v	底盘安装	NI-780	MRF6	2.4GHz	ldmos	NI-780	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		5A991G	8541.29.0075	50		-	1 a	20W	15.4dB	-	28 V
MRF7S21150HSR3	-	RFQ	1533年	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	NI-780	MRF7	2.11GHZ〜2.17GHz	ldmos	NI-780	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	935309845128	Ear99	8541.29.0075	250		-	1.35 a	44W	17.5db	-	28 V
MRF6V2300NR5	-	RFQ	4065	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	110 v	表面安装	TO-270AB	MRF6	220MHz	ldmos	TO-270 WB-4	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935309909578	Ear99	8541.29.0075	50		-	900 MA	300W	25.5db	-	50 V
MRF6VP11KGSR5	-	RFQ	9749	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	110 v	底盘安装	NI-1230S-4 GW	MRF6	130MHz	ldmos	NI-1230S-4	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935314866178	5A991G	8541.29.0095	50	双重的	-	150 ma	1000W	26dB	-	50 V
B11G2327N70DX	-	RFQ	5346	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	表面安装	36 QFN暴露垫	B11G2327	2.3GHz〜2.7GHz	LDMO （双）	36-PQFN （12x7）	-					过时的		1	-	-		-	30.3db	-
PTVA101K02EVV1XWSA1	-	RFQ	8837	Infineon技术	-	托盘	过时的	50 V	底盘安装	H-36275-4		1.03GHz〜1.09GHz	ldmos	H-36275-4	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001033548	Ear99	8541.29.0095	30	双重的	-		950W	17.5db	-
A2I20H060GNR1	30.9400	RFQ	500	NXP半导体	-	大部分	积极的	65 v	表面安装	TO-270WBG-15		1.8GHz〜2.2GHz	LDMO （双）	TO-270WBG-15	-				2156-A2I20H060GNR1			10	2 n通道	-	24 ma	12W	32.4dB	-	28 V
PTFA043002E V1	-	RFQ	3273	Infineon技术	-	托盘	过时的	65 v	表面安装	2-flatpack，鳍线		800MHz	ldmos	H-30275-4	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		10µA	1.55 a	100W	16dB	-	32 v
NE3505M04-T2-A	0.6500	RFQ	12	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
MRFE6P3300HR5	-	RFQ	3327	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	66 v	底盘安装	NI-860C3	MRFE6	857MHz〜863MHz	ldmos	NI-860C3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50		-	1.6 a	270W	20.4dB	-	32 v
BLF8G20LS-140GVJ	-	RFQ	3256	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	SOT-1244B		1.81GHZ〜1.88GHz	ldmos	CDFM6	下载		（1 （无限）	到达不受影响	934068305118	过时的	0000.00.0000	100		-	900 MA	35W	18.5db	-	28 V
BLF189XRBSU	-	RFQ	5814	Ampleon USA Inc.	-	托盘	在sic中停产	135 v	表面安装	SOT-539B	BLF189	108MHz	ldmos	SOT539B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	20		2.8µA	200 ma	1900W	26dB	-	50 V
RFM04U6P（TE12L，F）	1.5493	RFQ	7126	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	16 V	表面安装	TO-243AA	RFM04U6	470MHz	MOSFET	PW-Mini	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	2a	500 MA	4.3W	13.3db	-	6 V
ATF-53189-TR1	-	RFQ	1669年	Broadcom Limited	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	7 V		TO-243AA		900MHz	Phemt fet	SOT-89-3	下载		2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000		300mA	135 MA	21.7dBm	17.2db	0.8dB	4 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

RF FET，MOSFET（4585）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²