射频场效应管、MOSFET(4585)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	噪声系数	电压 - 测试
MRF6P24190HR6	-	询价	9448	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	68V	安装结构	NI-1230	MRF6	2.39GHz	LDMOS	NI-1230	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	935321194128	EAR99	8541.29.0075	150		-	1.9安	40W	14分贝	-	28V
1011GN-30EL	-	询价	5305	微芯片	EL	大部分	的积极	150伏	表面贴装	55-QQP		1.03GHz～1.09GHz	-	55-QQP	下载			REACH 不出行	150-1011GN-30EL	EAR99	8541.29.0095	1	-	-	40毫安	35W	18.5分贝	-	50V
AFT23H160-25SR3	-	询价	6164	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	NI-880X-4L4S-8	AF23	2.3GHz	LDMOS	NI-880X-4L4S-8	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	935320681128	EAR99	8541.29.0075	250	双重的	-	450毫安	32W	16.7分贝	-	28V
BLP5LA55SXY	16.5462	询价	2680	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	30V	表面贴装	TO-270AA	BLP5	520兆赫	LDMOS	TO-270-2F-1	-	符合ROHS3标准			1603-BLP5LA55SXYTR			100	N沟道	1.4微安	第893章	55W	19.6分贝	-	15V
DU2840S	45.3340	询价	8517	MACOM技术解决方案	-	大部分	的积极	65V	安装结构	4L-FLG	DU2840	2MHz～175MHz	-	-	-				1465-DU2840S			1	N沟道	2毫安	200毫安	40W	13分贝	-	28V
TM00143	-	询价	3607	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义				1
BLS6G2735LS-30,112	166.9600	询价	50	Ampleon美国公司	-	大部分	SIC停产	60V	安装结构	SOT-1135B	BLS6	3.1GHz～3.5GHz	LDMOS	CDFM2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20		-	50毫安	30W	13分贝	-	32V
2SJ646-E	0.2100	询价	9	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1
RF5L051K0CB4	172.5000	询价	5027	意法半导体	-	大部分	的积极	110V	安装结构	D4E	RF5L051K0	500兆赫	LDMOS	D4E	-	符合ROHS3标准		REACH 不出行	497-RF5L051K0CB4			100	-	1微安	200毫安	1000W	21分贝	-	50V
2SK3293-TD-E	0.2500	询价	151	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	2,500人
BLS7G2933S-150,112	515.3300	询价	32	恩智浦	-	管子	的积极	60V	安装结构	SOT-922-1		2.9GHz～3.3GHz	LDMOS	CDFM2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	0000.00.0000	1		4.2微安	100毫安	150W	13.5分贝	-	32V
MRF6V2150NBR1	59.8400	询价	164	恩智浦半导体	-	大部分	过时的	110V	安装结构	TO-272BB		450兆赫	LDMOS	TO-272 WB-4	-				2156-MRF6V2150NBR1	EAR99	8541.21.0075	6	N沟道	-	450毫安	150W	25分贝	-	50V
MCH6610-TL-E	-	询价	7701	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	3,000
BLF8G10LS-270V,112	79.6700	询价	13	恩智浦	-	管子	的积极	65V		SOT-1244B	BLF8	871.5MHz～891.5MHz	LDMOS	CDFM6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	0000.00.0000	5		-	2A	67W	19.5分贝	-	28V
RF2L15200CB4	163.3500	询价	6962	意法半导体	-	大部分	的积极	65V	安装结构	左臂BB	RF2L15200	1.5GHz	LDMOS	左臂BB	-	符合ROHS3标准		REACH 不出行	497-RF2L15200CB4			100	-	1微安		200W	17.5分贝	-
2SK937Y4-AA	0.1400	询价	4	onsemi	*	大部分	过时的								下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	2,219 人
BLF7G20LS-90PH	-	询价	6127	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	表面贴装	SOT-1121B		1.81GHz～1.88GHz	LDMOS	LDMOST	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		过时的		100	双重、共同来源	18A	550毫安	40W	19.5分贝	-	28V
BLS7G2729LS-350P,1	716.0700	询价	17号	Ampleon美国公司	-	大部分	SIC停产	65V	表面贴装	SOT-539B	BLS7G2729	2.7GHz～2.9GHz	LDMOS	SOT539B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20	双重、共同来源	-	200毫安	350W	13分贝	-	32V
MRF7S38040HSR5	80.5000	询价	34	飞思卡尔半导体	-	大部分	的积极	65V		NI-400S-2S	MRF7	3.4GHz～3.6GHz	LDMOS	NI-400S-2S	-	不适用	3（168小时）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1		-	450毫安	8W	14分贝	-	30V
PTGA090304MD-V1-R5	36.4840	询价	2389	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	105V	表面贴装	14-PowerSMD模块	PTGA090304	960兆赫	LDMOS	PG-HB1DSO-14-1	下载				1697-PTGA090304MD-V1-R5TR	EAR99	8541.29.0075	500		1微安	144毫安	30W	32分贝	-	50V
2N5246	0.3000	询价	28	仙童	-	大部分	过时的	30V	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)		-	结型场效应晶体管	TO-92-3	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8541.21.0095	2,000	N沟道	7毫安		-	-	-
CG2H40035F	160.6200	询价	2706	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	的积极	28V			CG2H40035	6GHz	HEMT		下载		1（无限制）		1697-CG2H40035F	EAR99	8541.29.0075	250		-		35W	-	-
MRF8HP21130HR5	-	询价	7232	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	NI-780-4	MRF8	2.17GHz	LDMOS	NI-780-4	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50	双重的	-	360毫安	28W	14分贝	-	28V
CGHV40050P	214.6000	询价	100	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	的积极	150伏	表面贴装	440206	CGHV40050	4GHz	HEMT	440206	下载	符合ROHS3标准	不适用		1697-CGHV40050P	EAR99	8541.29.0075	100		-	300毫安	50W	19分贝	-	50V
WS1A3940-V1-R1	42.1310	询价	1864年	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	125V	表面贴装	20-TFLGA 裸露焊盘	WS1A3940	3.7GHz～3.98GHz	-	20-LGA (6x6)	-				1697-WS1A3940-V1-R1TR			100	-	-	45毫安	10W	11.7分贝	-	48V
CGHV40180F-AMP3	1.0000	询价	2	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	大部分	的积极	150伏	安装结构	440223		2GHz	HEMT	440223	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）			EAR99	8543.70.9810	1		-	1A	180W	25.6分贝	-	50V
AFV09P350-04GNR3	233.1000	询价	第253章	飞思卡尔半导体	-	大部分	的积极	105V	表面贴装	OM-780G-4L		920兆赫	LDMOS	OM-780G-4L	下载					5A991G	8541.29.0075	1	双重的	-	第860章	100W	19.5分贝	-	48V
PTFB072707FH-V1-R0	-	询价	3785	沃尔夫斯皮德公司	-	条	过时的	65V	安装结构	H-34288G-4/2		768兆赫	LDMOS	H-34288G-4/2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8542.33.0001	50		10微安	2A	60W	18.5分贝	-	28V
MRF6V2150NBR5	-	询价	8852	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	110V	安装结构	TO-272BB	MRF6	220兆赫	LDMOS	TO-272 WB-4	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50		-	450毫安	150W	25分贝	-	50V
PD55003STR-E	-	询价	第1427章	意法半导体	-	卷带式 (TR)	过时的	40V		PowerSO-10 裸露底垫	PD55003	500兆赫	LDMOS	PowerSO-10RF（直读）	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	600		2.5A	50毫安	3W	17分贝	-	12.5V

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

射频场效应管、MOSFET(4585)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²