射频场效应管、MOSFET(4585)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	噪声系数	电压 - 测试
MMRF1016HR5	-	询价	5779	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	120V	安装结构	SOT-979A	MMRF1	225兆赫	LDMOS	NI-1230-4H	-	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	935322153178	EAR99	8541.29.0075	50	双重的	-	2.6安	125W	25分贝	-	50V
2SK2464-TL-E	1.1000	询价	12	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1,500人
NSTHS5404T1G	0.1000	询价	222	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	3,000
MRF24G300HS-2STG	900.0000	询价	2	恩智浦	-	大部分	的积极	125V	表面贴装	NI-780S-4L		2.4GHz～2.5GHz	N化镓	NI-780S-4L	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	568-MRF24G300HS-2STG	EAR99	8541.29.0075	1		-		336W	15.3分贝	-	48V
CGH27015P	87.5968	询价	3229	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	的积极	84V	表面贴装	440196	CGH27015	2.3GHz～2.9GHz	HEMT	440196	下载				1697-CGH27015P	EAR99	8541.29.0075	50		-	100毫安	15W	15分贝	-	28V
2SJ659-DL-E	0.5100	询价	15	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1,000
AFV10700HR5	537.6400	询价	27	恩智浦半导体	-	大部分	的积极	105V	安装结构	NI-780-4		960MHz～1.215GHz	LDMOS（双）	NI-780-4	-				2156-AFV10700HR5			1	2 N 沟道	1微安	100毫安	700W	19.2dB@1.03GHz	-	52V
MRF6S27085HSR5	81.8500	询价	5	飞思卡尔半导体	-	大部分	过时的	68V	安装结构	NI-780S		2.66GHz	LDMOS	NI-780S	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8541.29.0075	50		-	900毫安	20W	15.5分贝	-	28V
64-9174PBF	1.0000	询价	3748	国际校正器公司	*	大部分	的积极								-	不适用	3（168小时）	供应商未定义				第336章
PXAC261202FCV1XWSA1	-	询价	6463	英飞凌科技	-	托盘	过时的	65V	安装结构	H-37248-4		2.61GHz	LDMOS	H-37248-4	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001178442	过时的	0000.00.0000	1	双重、共同来源	-	230毫安	28W	13.5分贝	-	28V
PTFA261301E V1	-	询价	3652	英飞凌科技	金茂®	托盘	过时的	65V	表面贴装	2 纸张封装，鳍片底部		2.68GHz	LDMOS	H-30260-2	下载		3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	35		10微安	1.4A	130W	13.5分贝	-	28V
EC4409C-TL-H	0.1500	询价	40	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	10,000
MRFE6P9220HR3	399.8500	询价	第864章	飞思卡尔半导体	-	大部分	的积极	66伏		NI-860C3	MRFE6	880兆赫	LDMOS	NI-860C3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0075	250		-	1.6安	47W	20分贝	-	28V
MRF6VP3091NR1	-	询价	8018	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	115V	表面贴装	TO-270AB	MRF6	860兆赫	LDMOS	TO-270 WB-4	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	935314619528	EAR99	8541.29.0075	500	双重的	-	350毫安	18W	22分贝	-	50V
MCH6626-TL-H	0.1000	询价	39	onsemi	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	3,000
MRF8P20100HSR3	93.7900	询价	44	飞思卡尔半导体	-	大部分	的积极	65V		NI-780S-4	MRF8	2.03GHz	LDMOS	NI-780S-4	下载	不适用	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1	双重的	-	400毫安	20W	16分贝	-	28V
BLF8G10LS-160V,112	66.3900	询价	5	恩智浦	-	管子	的积极	65V	法兰安装	SOT-502B	BLF8	920MHz～960MHz	LDMOS	SOT502B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	0000.00.0000	1			1.1安	35W	19.7分贝	-	30V
BLC10G18XS-301AVTZ	81.8900	询价	56	Ampleon美国公司	-	托盘	的积极	65V	安装结构	SOT-1275-1	BLC10	1.805GHz～1.88GHz	LDMOS	东风六号	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	20	双重的	-	300毫安	300W	15.6分贝	-	30V
2N3819	-	询价	9575	onsemi	-	大部分	过时的	25V	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2N3819	-	结型场效应晶体管	TO-92 (TO-226)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000	N沟道	100毫安		-	-	-
BLF8G27LS-100PU	-	询价	6506	Ampleon美国公司	-	托盘	过时的	65V	表面贴装	SOT-1121B	BLF8G27	2.5GHz～2.7GHz	LDMOS	LDMOST	下载		1（无限制）	REACH 不出行	934067466112	EAR99	8541.29.0095	20	双重、共同来源	-	第860章	25W	18分贝	-	28V
0912GN-50LE	-	询价	7718	微芯片	B	大部分	的积极	150伏	表面贴装	55-QQP		960MHz～1.215GHz	-	55-QQP	下载			REACH 不出行	150-0912GN-50LE	EAR99	8541.29.0095	1	-	-	30毫安	58W	15.9分贝	-	50V
BLF6G22L-40BN,118	-	询价	8719	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	SOT-1112A	BLF6G22	2.11GHz～2.17GHz	LDMOS	CDFM6	下载		1（无限制）	REACH 不出行	934064313118	EAR99	8541.29.0075	100	双重、共同来源	-	第345章	2.5W	19分贝	-	28V
MRF6S19120HR5	-	询价	1798	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	68V	安装结构	SOT-957A	MRF6	1.99GHz	LDMOS	NI-780H-2L	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50		-	1A	19W	15分贝	-	28V
BLC2425M10LS250Y	85.4400	询价	7309	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	的积极	65V	表面贴装	SOT-1270-1	BLC2425	2.4GHz～2.5GHz	LDMOS	SOT-1270-1	-	符合ROHS3标准			1603-BLC2425M10LS250YTR			100	N沟道	2.8微安	100毫安	250W	14.4分贝	-	32V
MRF7S21150HSR3	-	询价	第1533章	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	NI-780S	MRF7	2.11GHz～2.17GHz	LDMOS	NI-780S	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	935309845128	EAR99	8541.29.0075	250		-	1.35安	44W	17.5分贝	-	28V
BLF2425M8L140J	133.8600	询价	9678	Ampleon美国公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	65V	安装结构	SOT-502A	BLF2425	2.45GHz	LDMOS	SOT502A	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	934067835118	EAR99	8542.39.0001	100		-	1.3A	140W	19分贝	-	28V
MRF5S4140HSR3	-	询价	3654	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	NI-780S	MRF5	465兆赫	LDMOS	NI-780S	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	250		-	1.25安	28W	21分贝	-	28V
MRF5S4140HR5	-	询价	4227	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V	安装结构	SOT-957A	MRF5	465兆赫	LDMOS	NI-780H-2L	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50		-	1.25安	28W	21分贝	-	28V
BLS7G3135L-350P,11	858.0300	询价	46	Ampleon美国公司	-	大部分	不适合新设计	65V	安装结构	SOT-539A	BLS7	3.5GHz	LDMOS	SOT539A	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	20	双重、共同来源	-	200毫安	320W	10分贝	-	32V
BLL1214-250	261.9600	询价	153	罗彻斯特电子有限责任公司	*	大部分	的积极								下载		供应商未定义	REACH 不出行	2156-BLL1214-250-2156	EAR99	8541.29.0075	1

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

射频场效应管、MOSFET(4585)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²