SIC
close

FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
FDMS9410L Fairchild Semiconductor FDMS9410L -
RFQ
 ECAD 7333 0.00000000 Fairchild半导体 * 大部分 积极的 FDMS9410 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 3,000 -
UPA2590T1H-T1-AT Renesas Electronics America Inc UPA2590T1H-T1-AT 0.5500
RFQ
 ECAD 66 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 大部分 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 UPA2590 MOSFET （金属 o化物） 1.24W 8-VSOF 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 30V 4.5a 50MOHM @ 2A，10V 2.5V @ 1mA 6.6nc @ 10V 310pf @ 10V 逻辑级别门
EFC4K105NUZTDG onsemi EFC4K105NUZTDG 0.8800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 上次购买 150°C（TJ） 表面安装 10-SMD，没有铅 EFC4K105 MOSFET （金属 o化物） 2.5W（TA） 10-wlcsp （3.4x1.96） 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双）公共排水 22V 25A（TA） 3.55MOHM @ 5A，4.5V 1.3V @ 1mA 43nc @ 3.8V - 逻辑水平门，2.5V
DMT3020UFDB-7 Diodes Incorporated DMT3020UFDB-7 0.1815
RFQ
 ECAD 3821 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-udfn暴露垫 DMT3020 MOSFET （金属 o化物） 860MW U-DFN2020-6（B型） 下载 到达不受影响 31-DMT3020UFDB-7TR Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 30V 6.5A（TA） 21mohm @ 6a，10v 1.7V @ 250µA 8.8nc @ 10V 383pf @ 15V -
SIZ914DT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIZ914DT-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 2269 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powerwdfn SIZ914 MOSFET （金属 o化物） 22.7W，100W 8-PowerPair® 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（半桥） 30V 16a，40a 6.4mohm @ 19a，10v 2.4V @ 250µA 26NC @ 10V 1208pf @ 15V 逻辑级别门
AO6800 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO6800 0.1823
RFQ
 ECAD 1356 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SC-74，SOT-457 AO680 MOSFET （金属 o化物） 1.15W 6-TSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 3.4a 60mohm @ 3.4a，10v 1.5V @ 250µA 10NC @ 10V 235pf @ 15V 逻辑级别门
CAR600M17HN6 Wolfspeed, Inc. CAR600M17HN6 3.0000
RFQ
 ECAD 4105 0.00000000 Wolfspeed，Inc。 - 大部分 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 CAR600 （SIC） 50MW 模块 下载 不适用 Ear99 8541.21.0095 1 2 n 通道（半桥） 1700V（（1.7kV） 986a（TC） - - - 55700pf @ 0v -
BSO207PHXUMA1 Infineon Technologies BSO207PHXUMA1 -
RFQ
 ECAD 7104 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） BSO207 MOSFET （金属 o化物） 1.6W PG-DSO-8 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2（p 通道（双） 20V 5a 45MOHM @ 5.7A，4.5V 1.2V @ 44µA 16nc @ 4.5V 1650pf @ 15V 逻辑级别门
BSL316CL6327HTSA1 Infineon Technologies BSL316CL6327HTSA1 -
RFQ
 ECAD 3981 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 BSL316 MOSFET （金属 o化物） 500MW PG-TSOP6-6 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 30V 1.4a，1.5a 160MOHM @ 1.4A，10V 2V @ 3.7µA 0.6NC @ 5V 94pf @ 15V 逻辑级别门
BSS8402DWQ-7-52 Diodes Incorporated BSS8402DWQ-7-52 0.0760
RFQ
 ECAD 3489 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 BSS8402 MOSFET （金属 o化物） 200mw（ta） SOT-363 下载 （1 （无限） 31-BSS8402DWQ-7-52 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道互补 60V，50V 115ma（ta），130mA（ta） 13.5ohm @ 500mA，10v，10ohm @ 100mA，5v 2.5V @ 250µA，2V @ 1mA - 50pf @ 25V，45pf @ 25V 标准
SI4559ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4559ADY-T1-GE3 1.5800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4559 MOSFET （金属 o化物） 3.1W，3.4W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 60V 5.3a，3.9a 58mohm @ 4.3A，10V 3V @ 250µA 20NC @ 10V 665pf @ 15V 逻辑级别门
US6M11TR Rohm Semiconductor US6M11TR 0.6700
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，平坦的铅 US6M11 MOSFET （金属 o化物） 1W Tumt6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n和p通道 20V，12V 1.5a，1.3a 180MOHM @ 1.5A，4.5V 1V @ 1mA 1.8NC @ 4.5V 110pf @ 10V 逻辑级别门
MSCSM170AM029CT6LIAG Microchip Technology MSCSM170AM029CT6LIAG 1.0000
RFQ
 ECAD 5231 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 MSCSM170 （SIC） 3KW（TC） - 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 150-MSCSM170AM029CT6LIAG Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（相腿） 1700V（（1.7kV） 676a（TC） 3.75MOHM @ 360A，20V 3.3V @ 30mA 2136nc @ 20v 39600pf @ 1000V -
IPG20N04S4L08AATMA1 Infineon Technologies IPG20N04S4L08AATMA1 1.6200
RFQ
 ECAD 8610 0.00000000 Infineon技术 汽车，AEC-Q101，Optimos™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装，可润湿的侧面 8-Powervdfn IPG20N MOSFET （金属 o化物） 54W PG-TDSON-8-10 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双） 40V 20a 8.2MOHM @ 17a，10v 2.2V @ 22µA 39nc @ 10V 3050pf @ 25V 逻辑级别门
NTUD3174NZT5G onsemi NTUD3174NZT5G 0.7200
RFQ
 ECAD 135 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-963 NTUD3174 MOSFET （金属 o化物） 125MW（TA） SOT-963 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 8,000 2 n 通道（双） 20V 220mA（ta） 1.5OHM @ 100mA，4.5V 1V @ 100µA - 12.5pf @ 15V -
MCB20P1200LB-TRR IXYS MCB20P1200LB-TRR -
RFQ
 ECAD 1558年 0.00000000 ixys MCB20P1200LB 胶带和卷轴（（tr） 积极的 - 表面安装 9-PowersMD MCB20P1200 （SIC） - 9-SMPD-B - rohs3符合条件 到达不受影响 238-MCB20P1200LB-TRRTR Ear99 8541.29.0095 200 4（n n 通道（半桥） 1200V（1.2kV） - - - - - -
DMG6602SVTQ-7 Diodes Incorporated DMG6602SVTQ-7 0.3700
RFQ
 ECAD 2698 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 DMG6602 MOSFET （金属 o化物） 840MW TSOT-26 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 30V 3.4a，2.8a 60mohm @ 3.1a，10v 2.3V @ 250µA 13nc @ 10V 400pf @ 15V -
RFP40N10S5001 Harris Corporation RFP40N10S5001 1.0000
RFQ
 ECAD 3724 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 积极的 RFP40 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 1 -
MTI145WX100GD-SMD IXYS MTI145WX100GD-SMD 43.9085
RFQ
 ECAD 1138 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 ISOPLUS-DIL™ MTI145 MOSFET （金属 o化物） - ISOPLUS-DIL™ - rohs3符合条件 到达不受影响 238-MTI145WX100GD-SMD Ear99 8541.29.0095 13 6 n通道（3相桥） 100V 190a（TC） 2.2MOHM @ 100A，10V 3.5V @ 275µA 155nc @ 10V 11100pf @ 50V -
BSS138BKDW-TPQ2 Micro Commercial Co BSS138BKDW-TPQ2 0.1001
RFQ
 ECAD 7786 0.00000000 微商业公司 - 大部分 积极的 -55°C〜150°C 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 BSS138 MOSFET （金属 o化物） 350MW SOT-363 下载 353-BSS138BKDW-TPQ2 Ear99 8541.21.0095 1 2 n通道 50V 220mA 1.5OHM @ 500mA，10V 1.45V @ 250µA - 22.8pf @ 25V 标准
SI4942DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4942DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 3872 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4942 MOSFET （金属 o化物） 1.1W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 40V 5.3a 21mohm @ 7.4a，10v 3V @ 250µA 32NC @ 10V - 逻辑级别门
TPC8211(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8211（TE12L，Q，M） -
RFQ
 ECAD 1656年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度） TPC8211 MOSFET （金属 o化物） 450MW 8-SOP（5.5x6.0） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 5.5a 36mohm @ 3a，10v 2.5V @ 1mA 25nc @ 10V 1250pf @ 10V 逻辑级别门
APTC60AM45BC1G Microchip Technology APTC60AM45BC1G 96.4309
RFQ
 ECAD 4906 0.00000000 微芯片技术 coolmos™ 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP1 APTC60 MOSFET （金属 o化物） 250W SP1 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 3 n通道（相腿 +升压斩波器） 600V 49a 45MOHM @ 24.5A，10V 3.9V @ 3mA 150nc @ 10V 7200pf @ 25V -
DMTH6015LDVWQ-13 Diodes Incorporated DMTH6015LDVWQ-13 0.3410
RFQ
 ECAD 2298 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn DMTH6015 MOSFET （金属 o化物） 1.46W（TA） PowerDI3333-8（类型UXD） 下载 到达不受影响 31-DMTH6015LDVWQ-13TR Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V 9.2A（TA），24.5A （TC） 20.5Mohm @ 10a，10v 2.5V @ 250µA 14.3nc @ 10V 825pf @ 30V -
DMC3730UFL3-7 Diodes Incorporated DMC3730UFL3-7 0.4800
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-xfdfn暴露垫 DMC3730 MOSFET （金属 o化物） 390MW x2-dfn1310-6（b型） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道互补 30V 1.1a，700mA 460MOHM @ 200MA，4.5V 950mv @ 250µA 0.9NC @ 4.5V 65.9pf @ 25V -
DMN33D8LDW-7 Diodes Incorporated DMN33D8LDW-7 0.3700
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 DMN33 MOSFET （金属 o化物） 350MW SOT-363 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 250mA 2.4OHM @ 250mA，10V 1.5V @ 100µA 1.23nc @ 10V 48pf @ 5V -
FDMJ1028N onsemi FDMJ1028N -
RFQ
 ECAD 7640 0.00000000 Onmi PowerTrench® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-udfn暴露垫 FDMJ1028 MOSFET （金属 o化物） 800MW Microfet 2x2薄 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 3.2a 90MOHM @ 3.2A，4.5V 1.5V @ 250µA 3NC @ 4.5V 200pf @ 10V 逻辑级别门
SI1023CX-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1023CX-T1-GE3 0.4500
RFQ
 ECAD 58 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 SI1023 MOSFET （金属 o化物） 220MW SC-89（SOT-563F） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V - 756mohm @ 350mA，4.5V 1V @ 250µA 2.5NC @ 4.5V 45pf @ 10V 逻辑级别门
AOCA24106E Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOCA24106E 0.9900
RFQ
 ECAD 1175 0.00000000 Alpha＆欧米茄半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，没有铅 AOCA24106 MOSFET （金属 o化物） 2.7W（TA） 6-Alphadfn（1.9x1.6） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 8,000 2 n 通道（双）公共排水 12V 20A（TA） 5.6MOHM @ 4A，4.5V 1.1V @ 250µA 18NC @ 4.5V - -
NVMFD5C668NLWFT1G onsemi NVMFD5C668NLWFT1G 1.5361
RFQ
 ECAD 3506 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 - - - NVMFD5 - - - 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 - - - - - - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

RFQ列表（0项）
购物车列表（0个项目）
Wishlist愿望清单（0个项目）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

数量：1

比较列表（0项）
点击Enter进行搜索或ESC关闭