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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
SI4946CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4946CDY-T1-GE3 0.9600
RFQ
 ECAD 9283 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4946 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA），2.8W（2.8W）（TC） 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V 5.2A（ta），6.1a（6.1a）TC） 40.9MOHM @ 5.2A，10V 3V @ 250µA 10NC @ 10V 350pf @ 30V -
SI3439KDWA-TP Micro Commercial Co SI3439KDWA-TP 0.4200
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 微商业公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SI3439 MOSFET （金属 o化物） 150MW SOT-363 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 20V 750mA，600mA 300MOHM @ 500mA，4.5V，850MOHM @ 500mA，4.5V 1.1V @ 250µA 0.8NC @ 4.5V，0.86NC @ 4.5V 33pf @ 16V，40pf @ 16V 逻辑级别门
MSCSM70TAM10TPAG Microchip Technology MSCSM70TAM10TPAG 624.8900
RFQ
 ECAD 9415 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 MSCSM70 （SIC） 674W（TC） - 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 150-MSCSM70TAM10TPAG Ear99 8541.29.0095 1 6 n 通道（相腿） 700V 238a（TC） 9.5MOHM @ 80a，20V 2.4V @ 8mA 430NC @ 20V 9000pf @ 700V -
NTGD3149CT1G onsemi NTGD3149CT1G -
RFQ
 ECAD 2470 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 NTGD31 MOSFET （金属 o化物） 900MW 6-TSOP 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 20V 3.2a，2.4a 60mohm @ 3.5A，4.5V 1V @ 250µA 5.5nc @ 4.5V 387pf @ 10V 逻辑级别门
NTLMS4504NR2 onsemi NTLMS4504NR2 0.6600
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 NTLMS4504 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 2,500 -
SI4973DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4973DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 7928 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4973 MOSFET （金属 o化物） 1.1W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2（p 通道（双） 30V 5.8a 23mohm @ 7.6A，10V 3V @ 250µA 56nc @ 10V - 逻辑级别门
PMDPB42UN,115 NXP USA Inc. PMDPB42UN，115 -
RFQ
 ECAD 6612 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-udfn暴露垫 PMDPB MOSFET （金属 o化物） 510MW 6-Huson（2x2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 3.9a 50mohm @ 3.9a，4.5V 1V @ 250µA 3.5nc @ 4.5V 185pf @ 10V 逻辑级别门
IPG20N06S4L26ATMA1 Infineon Technologies IPG20N06S4L26ATMA1 1.1100
RFQ
 ECAD 745 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn IPG20N MOSFET （金属 o化物） 33W PG-TDSON-8-4 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 2 n 通道（双） 60V 20a 26mohm @ 17a，10v 2.2V @ 10µA 20NC @ 10V 1430pf @ 25V 逻辑级别门
APTM100DU18TG Microsemi Corporation aptm100du18tg -
RFQ
 ECAD 6575 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP4 APTM100 MOSFET （金属 o化物） 780W SP4 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 1000V （1kV） 43a 210MOHM @ 21.5A，10V 5V @ 5mA 372NC @ 10V 10400pf @ 25V -
RMD0A8P20ES9 Rectron USA RMD0A8P20ES9 0.0600
RFQ
 ECAD 7140 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RMD0A8 MOSFET （金属 o化物） 800MW（TA） SOT-363-6L 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RMD0A8P20ES9TR 8541.10.0080 30,000 2（p 通道（双） 20V 800mA（ta） 1.2OHM @ 500mA，4.5V 1V @ 250µA 0.0018C @ 4.5V 87pf @ 10V -
DMN3190LDWQ-13 Diodes Incorporated DMN3190LDWQ-13 0.0717
RFQ
 ECAD 6213 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 DMN3190 MOSFET （金属 o化物） 320MW（TA） SOT-363 下载 到达不受影响 31-DMN3190LDWQ-13TR Ear99 8541.21.0095 10,000 2 n 通道（双） 30V 1A（1A） 190MOHM @ 1.3A，10V 2.8V @ 250µA 2NC @ 10V 87pf @ 20V -
CSD75208W1015 Texas Instruments CSD75208W1015 0.5600
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Texas Instruments NexFet™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-ufbga，DSBGA CSD75208 MOSFET （金属 o化物） 750MW 6-DSBGA（1x1.5） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双）共同来源 20V 1.6a 68mohm @ 1A，4.5V 1.1V @ 250µA 2.5NC @ 4.5V 410pf @ 10V 逻辑级别门
SQ3987EV-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ3987EV-T1_GE3 0.6200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 SQ3987 MOSFET （金属 o化物） 1.67W 6-TSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 30V 3A（TC） 133MOHM @ 1.5A，10V 2.5V @ 250µA 12.2nc @ 10V 570pf @ 15V -
BUK7K134-100EX Nexperia USA Inc. BUK7K134-100EX 1.0300
RFQ
 ECAD 7659 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车，AEC-Q100 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 SOT-12205，8-LFPAK56 BUK7K134 MOSFET （金属 o化物） 32W LFPAK56D 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 100V 9.8a 121MOHM @ 5A，10V 4V @ 1mA 10.5NC @ 10V 564pf @ 25V -
FF4MR12KM1HPHPSA1 Infineon Technologies FF4MR12KM1HPHPSA1 509.2150
RFQ
 ECAD 3596 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 积极的 FF4MR12 - - rohs3符合条件 到达不受影响 8 -
MAX8783GTC+T ADI/Maxim Integrated max8783gtc+t 1.1600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 ADI/MAXIM集成 * 大部分 积极的 Max8783 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 2,500 -
NTND3184NZTAG onsemi NTND3184NZTAG -
RFQ
 ECAD 5209 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-xflga NTND3184 - 6-xllga（.90x.65） - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 8,000 2 n 通道（双） 20V 220mA（ta） 1.5OHM @ 100mA，4.5V 1V @ 250µA - 12.3pf @ 15V -
ALD310700ASCL Advanced Linear Devices Inc. ALD310700ASCL 7.4692
RFQ
 ECAD 7722 0.00000000 高级线性设备公司 EPAD®，零阈值™ 管子 积极的 0°C〜70°C 表面安装 16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm） ALD310700 MOSFET （金属 o化物） 500MW 16-Soic 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1014-1286 Ear99 8541.21.0095 50 4个p通道，匹配对 8V - - 20mv @ 1µA - 2.5pf @ 5V -
GSFCP0212 Good-Ark Semiconductor GSFCP0212 0.6300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 好公园的半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-SMD，没有铅 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） 6-CSP（2.15x1.66） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0080 5,000 - 20V 12a（12a） 6.8mohm @ 3A，4.5V 1.2V @ 250µA 34.7NC @ 6V 2609pf @ 10V 标准
G60N04D52 Goford Semiconductor G60N04D52 0.8700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 戈福德半导体 Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN G60 MOSFET （金属 o化物） 20W（TC） 8-DFN（4.9x5.75） 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 5,000 40V 35A（TC） 9mohm @ 20a，10v 2.5V @ 250µA 27nc @ 10V 1998pf @ 20V 标准
BSO200N03 Infineon Technologies BSO200N03 -
RFQ
 ECAD 3402 0.00000000 Infineon技术 Optimos™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） BSO200 MOSFET （金属 o化物） 1.4W PG-DSO-8 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 30V 6.6a 20mohm @ 7.9a，10v 2V @ 13µA 8NC @ 5V 1010pf @ 15V 逻辑级别门
MCM2301-TP Micro Commercial Co MCM2301-TP 0.4800
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 微商业公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-vdfn裸露的垫子 MCM2301 MOSFET （金属 o化物） 1.4W DFN2020-6L 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 3.8a 70MOHM @ 1.9A，4.5V 900mv @ 250µA 14.5nc @ 4.5V 880pf @ 6V -
NTMFD5875NLT1G onsemi NTMFD5875NLT1G -
RFQ
 ECAD 1457 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN NTMFD5875 MOSFET （金属 o化物） 3.2W（32W），32W（tc） 8-dfn（5x6）（SO8FL偶） - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 488-NTMFD5875NLT1GTR Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 60V （7A）（22a （TC）（TC） 33MOHM @ 7.5A，10V 3V @ 250µA 5.9nc @ 4.5V 540pf @ 25V 逻辑级别门
SSM5N16FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM5N16FU，LF 0.4500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 SSM5N16 MOSFET （金属 o化物） 200mw（ta） USV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V （100mA）（TA） 3ohm @ 10mA，4V 1.1V @ 100µA - 9.3pf @ 3V -
DMP2040UND-7 Diodes Incorporated DMP2040UND-7 0.1995
RFQ
 ECAD 1464 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn DMP2040 MOSFET （金属 o化物） 900MW（TA） PowerDI3333-8（UXB） 下载 到达不受影响 31-DMP2040UND-7TR Ear99 8541.29.0095 2,000 2（p 通道（双） 20V 5.3a（ta），13.6a（TC） 36mohm @ 8.9a，4.5V 1.5V @ 250µA 20NC @ 10V 834pf @ 10V -
MSCSM170DUM039AG Microchip Technology MSCSM170DUM039AG 775.6300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 MSCSM170 （SIC） 2400W（TC） - - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 150-MSCSM170DUM039AG Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双）公共来源 1700V（（1.7kV） 523a（TC） 5mohm @ 270a，20v 3.3V @ 22.5mA 1602NC @ 20V 29700pf @ 1000V -
DMP2045UFDB-7 Diodes Incorporated DMP2045UFDB-7 0.1361
RFQ
 ECAD 1714年 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-udfn暴露垫 DMP2045 MOSFET （金属 o化物） 740MW（TA） U-DFN2020-6（B型） 下载 到达不受影响 31-DMP2045UFDB-7TR Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 3.1a（ta） 90MOHM @ 4A，4.5V 1V @ 250µA 6.8NC @ 4.5V 634pf @ 10V -
PMDXB950UPEL/S500Z Nexperia USA Inc. PMDXB950UPEL/S500Z 0.0800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-xfdfn暴露垫 PMDXB950 MOSFET （金属 o化物） 265MW（TA），4.025W（tc） DFN1010B-6 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 2156-PMDXB950UPEL/S500Z Ear99 8541.29.0095 1 2（p 通道（双） 20V 500mA（ta） 1.4OHM @ 500mA，4.5V 950mv @ 250µA 2.1nc @ 4.5V 43pf @ 10V -
SI4532ADY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4532ADY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 2483 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4532 MOSFET （金属 o化物） 1.13W，1.2W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 30V 3.7a，3a 53MOHM @ 4.9A，10V 1V @ 250µA（250µA） 16NC @ 10V - 逻辑级别门
RM9926 Rectron USA RM9926 0.0840
RFQ
 ECAD 7144 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） RM99 MOSFET （金属 o化物） 1.25W（TA） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2516-RM9926TR 8541.10.0080 40,000 2 n 通道（双） 20V 6a（6a） 28mohm @ 6a，4.5V 1.2V @ 250µA 10NC @ 4.5V 640pf @ 10V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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