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FET，MOSFET（6056）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet
PJT138K_R1_00001 Panjit International Inc. PJT138K_R1_00001 0.3000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Panjit International Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 PJT138 MOSFET （金属 o化物） 236MW（TA） SOT-363 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 50V 360ma（ta） 1.6ohm @ 500mA，10v 1.5V @ 250µA 1NC @ 4.5V 50pf @ 25V -
APTM50HM75SCTG Microchip Technology APTM50HM75SCTG 197.5617
RFQ
 ECAD 4491 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP4 APTM50 （SIC） 357W SP4 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 4（n n 通道（半桥） 500V 46a 90MOHM @ 23A，10V 5V @ 2.5mA 123nc @ 10V 5590pf @ 25V -
DMC3016LDV-13 Diodes Incorporated DMC3016LDV-13 0.2475
RFQ
 ECAD 6958 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn DMC3016 MOSFET （金属 o化物） 900MW（TA） PowerDI3333-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道互补 30V 21A（TC），15A （TC） 12mohm @ 7a，10v，25mohm @ 7a，10v 2.4V @ 250µA 9.5NC @ 4.5V 1184pf @ 15V，1188pf @ 15V -
UT6MC5TCR Rohm Semiconductor UT6MC5TCR 0.8900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 6-Powerudfn UT6M MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） HUML2020L8 下载 （1 （无限） 3,000 - 60V 3.5a（ta），2.5a（ta） 95MOHM @ 3.5A，10V，280MOHM @ 2.5A，10V 2.5V @ 1mA - - 标准
DMN2041UVT-13 Diodes Incorporated DMN2041UVT-13 0.1160
RFQ
 ECAD 5520 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 DMN2041 MOSFET （金属 o化物） 1.1W TSOT-26 下载 到达不受影响 31-DMN2041UVT-13TR Ear99 8541.29.0095 10,000 2 n 通道（双）公共来源 20V 5.8A（ta） 28mohm @ 8.2a，4.5V 900mv @ 250µA 9.1nc @ 4.5V 689pf @ 10V -
NTZD3156CT5G onsemi NTZD3156CT5G -
RFQ
 ECAD 6663 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 NTZD3156 MOSFET （金属 o化物） 250MW SOT-563 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 4,000 n和p通道 20V 540mA，430mA 550MOHM @ 540mA，4.5V 1V @ 250µA 2.5NC @ 4.5V 72pf @ 16V 逻辑级别门
EMH2402-TL-E Sanyo EMH2402-TL-E 0.2400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Sanyo * 大部分 积极的 EMH2402 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 3,000 -
DMN1002UCA6-7 Diodes Incorporated DMN1002UCA6-7 0.3564
RFQ
 ECAD 6568 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，没有铅 DMN1002 MOSFET （金属 o化物） 1.1W X4-DSN3118-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双）公共排水 - - - - 68.6NC @ 4V - -
DMC31D5UDA-7B Diodes Incorporated DMC31D5UDA-7B 0.0820
RFQ
 ECAD 9768 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，没有铅 DMC31 MOSFET （金属 o化物） 370MW（TA） X2-DFN0806-6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 DMC31D5UDA-7BDI Ear99 8541.21.0095 10,000 n和p通道互补 30V 400mA（TA） 1.5OHM @ 100mA，4.5V 1V @ 250µA 0.38NC @ 4.5V 22.6pf @ 15V -
GT060N04D52 Goford Semiconductor GT060N04D52 0.4215
RFQ
 ECAD 1255 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET （金属 o化物） 20W（TC） 8-DFN（4.9x5.75） - Rohs符合条件 到达不受影响 3141-GT060N04D52TR Ear99 8541.29.0000 5,000 2 n通道 40V 62A（TC） 6.5MOHM @ 30a，10v 2.3V @ 250µA 44NC @ 10V 1276pf @ 20V 标准
SI4532DY Fairchild Semiconductor SI4532DY -
RFQ
 ECAD 3306 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4532 MOSFET （金属 o化物） 900MW 8-SOIC 下载 Ear99 8541.29.0095 1 n和p通道 30V 3.9a，3.5a 65MOHM @ 3.9A，10V 3V @ 250µA 15nc @ 10V 235pf @ 10V -
SI7909DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7909DN-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 2105 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®1212-8 SI7909 MOSFET （金属 o化物） 1.3W POWERPAK®1212-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 12V 5.3a 37MOHM @ 7.7A，4.5V 1V @ 700µA 24nc @ 4.5V - 逻辑级别门
SQJ914EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ914EP-T1_GE3 1.3000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix 汽车，AEC-Q101，Trenchfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®SO-8 SQJ914 MOSFET （金属 o化物） 27W（TC） POWERPAK®SO-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 30A（TC） 12MOHM @ 4.5A，10V 2.5V @ 250µA 25nc @ 10V 1110pf @ 15V -
DMC3032LSD-13 Diodes Incorporated DMC3032LSD-13 0.4600
RFQ
 ECAD 7823 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） DMC3032 MOSFET （金属 o化物） 2.5W 8-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 30V 8.1a，7a 32MOHM @ 7A，10V 2.1V @ 250µA 9.2nc @ 10V 404.5pf @ 15V 逻辑级别门
CPH5614-TL-E onsemi CPH5614-TL-E -
RFQ
 ECAD 6223 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 150°C 表面安装 SOT-23-5薄，TSOT-23-5 MOSFET （金属 o化物） 900MW（TA） 5-CPH - Rohs不合规 供应商不确定 2156-CPH5614-TL-E-488 1 2 n 通道（双）公共来源 100V 1A（1A） 630mohm @ 500mA，10v 2.6V @ 1mA 6.5nc @ 10V 240pf @ 20V 标准
SI4505DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4505DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 4440 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4505 MOSFET （金属 o化物） 1.2W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 30V，8V 6a，3.8a 18mohm @ 7.8a，10v 1.8V @ 250µA 20nc @ 5V - 逻辑级别门
NVMFD5C470NT1G onsemi NVMFD5C470NT1G 1.9900
RFQ
 ECAD 3894 0.00000000 Onmi 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN NVMFD5 MOSFET （金属 o化物） 3.1W（TA），28W（tc） 8-dfn（5x6）（SO8FL偶） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道（双） 40V 11.7a（TA），36a （TC） 11.7mohm @ 10a，10v 3.5V @ 250µA 8NC @ 10V 420pf @ 25V -
ALD1101BSAL Advanced Linear Devices Inc. ALD1101BSAL 6.6082
RFQ
 ECAD 5829 0.00000000 高级线性设备公司 - 管子 积极的 0°C 〜70°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） ALD1101 MOSFET （金属 o化物） 500MW 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1014-1217 Ear99 8541.21.0095 50 2（n n 通道（双） 10.6V 40mA - - - - -
RFD3055LE_R4821 Fairchild Semiconductor RFD3055LE_R4821 -
RFQ
 ECAD 8952 0.00000000 Fairchild半导体 * 大部分 积极的 RFD3055 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 1 -
EM6M1T2R Rohm Semiconductor EM6M1T2R 0.5300
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 EM6M1 MOSFET （金属 o化物） 150MW EMT6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 8,000 n和p通道 30V，20V 100mA，200mA 8ohm @ 10mA，4V - 0.9NC @ 4.5V 13pf @ 5V 逻辑级别门
HUF76407DK8T onsemi HUF76407DK8T -
RFQ
 ECAD 5911 0.00000000 Onmi Ultrafet™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） HUF76 MOSFET （金属 o化物） 2.5W 8-SOIC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V - 90MOHM @ 3.8A，10V 3V @ 250µA 11.2nc @ 10V 330pf @ 25V 逻辑级别门
DMTH4008LPDWQ-13 Diodes Incorporated DMTH4008LPDWQ-13 0.3248
RFQ
 ECAD 3193 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN DMTH4008 MOSFET （金属 o化物） 2.67W（TA），39.4W（tc） PowerDI5060-8（type UXD） 下载 到达不受影响 31-DMTH4008LPDWQ-13TR Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 40V 10A（10A），46.2A（TC） 12.3mohm @ 20a，10v 2.3V @ 250µA 12.3nc @ 10V 881pf @ 20V -
SI4943BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4943BDY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 6835 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SI4943 MOSFET （金属 o化物） 1.1W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 2（p 通道（双） 20V 6.3a 19mohm @ 8.4a，10v 3V @ 250µA 25nc @ 5V - 逻辑级别门
SI1016X-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1016X-T1-GE3 0.6600
RFQ
 ECAD 9967 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 SI1016 MOSFET （金属 o化物） 250MW SC-89（SOT-563F） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 20V 485mA，370mA 700MOHM @ 600mA，4.5V 1V @ 250µA 0.75nc @ 4.5V - 逻辑级别门
SH8K32GZETB Rohm Semiconductor SH8K32GZETB 1.5700
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SH8K32 MOSFET （金属 o化物） 1.4W（TA） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道（双） 60V 4.5A（ta） 65mohm @ 4.5A，10V 2.5V @ 1mA 10NC @ 5V 500pf @ 10V -
FS50KM-2-AX#204 Renesas Electronics America Inc FS50KM-2-AX ＃204 1.9400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 大部分 积极的 FS50公里 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 1 -
SI1902DL-T1-BE3 Vishay Siliconix SI1902DL-T1-BE3 0.5200
RFQ
 ECAD 8948 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SI1902 MOSFET （金属 o化物） 270MW（TA） SC-70-6 下载 （1 （无限） 到达不受影响 742-SI1902DL-T1-BE3TR Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 660ma（ta） 385MOHM @ 660mA，4.5V 1.5V @ 250µA 1.2nc @ 4.5V - -
ALD1108ESCL Advanced Linear Devices Inc. Ald1108ESCL 5.2920
RFQ
 ECAD 7993 0.00000000 高级线性设备公司 epad® 管子 积极的 0°C 〜70°C（TJ） 表面安装 16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm） ALD1108 MOSFET （金属 o化物） 600MW 16-Soic 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 50 4 n n通道，匹配对 10V - 500OHM @ 5V 1.01V @ 1µA - 25pf @ 5V -
SI7923DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7923DN-T1-GE3 1.5800
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 POWERPAK®1212-8 SI7923 MOSFET （金属 o化物） 1.3W POWERPAK®1212-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 30V 4.3a 47MOHM @ 6.4a，10V 3V @ 250µA 21NC @ 10V - 逻辑级别门
DMP2040UND-13 Diodes Incorporated DMP2040UND-13 0.1995
RFQ
 ECAD 5602 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn DMP2040 MOSFET （金属 o化物） 900MW（TA） PowerDI3333-8（UXB） 下载 到达不受影响 31-DMP2040UND-13TR Ear99 8541.29.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 5.3a（ta），13.6a（TC） 36mohm @ 8.9a，4.5V 1.5V @ 250µA 20NC @ 10V 834pf @ 10V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

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    30,000,000

    标准产品单位

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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